ZHCSOF1A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 短路保护（CS+、CS- 和 ISCP）
      4. 8.3.4 过压保护和电池电压检测（SW、OV、UVLO）
      5. 8.3.5 低 IQ 睡眠模式（SLEEP、SLEEP_OV）
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
        1. 9.2.2.1 输入瞬态保护：ISO 7637-2 脉冲 1
        2. 9.2.2.2 交流叠加输入整流：ISO 16750-2 和 LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入、电源和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 过压保护和电池监测器
        6. 9.2.3.6 选择短路电流阈值
          1. 9.2.3.6.1 缩放电阻器 RSET 和短路保护电阻器 RISCP 的选型
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 优秀设计实践
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 9.4.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.5 低 IQ 睡眠模式（SLEEP、SLEEP_OV）

LM74912-Q1 支持低 IQ 睡眠模式运行。此模式可通过将 SLEEP 引脚拉至低电平（EN = 高电平）来启用。在睡眠模式下，器件会关闭内部电荷泵和 SW 开关并禁用 DGATE 和 HGATE 驱动，从而实现典型值为 5.5μA 的低电流消耗。但是，与此同时，器件会为常开负载供电，这些负载通过内部低功率 MOSFET（典型导通电阻为 7Ω）连接到 OUT 引脚上。在此模式下，器件可支持 100mA 的峰值负载电流。随着负载增加，内部 MOSFET 上的压降也会增加。器件在睡眠模式下提供过流保护，其典型过流阈值为 250mA。如果在睡眠模式下发生过流事件，器件会通过断开内部 MOSFET 开关并锁存器件来保护内部 FET。作为一层额外的保护，器件还在睡眠模式下具有带闭锁功能的热关断，以防器件在睡眠模式下过热。要使器件退出锁存模式，用户必须切换 SLEEP 或 EN 引脚。

在睡眠模式下，LM74912-Q1 可针对输入过压事件提供保护。器件可配置为过压切断（SLEEP_OV 连接到 C）或过压钳位模式（SLEEP_OV 连接到 VOUT），默认过压阈值为典型值 21V。

如果不需要睡眠模式功能，则应将 SLEEP 引脚连接到 EN。不使用时，SLEEP_OV 引脚可以保持悬空。

GUID-20220418-SS0I-GXBT-9BMN-P3QWJ2FPQM3X-low.svg图 8-6 LM74912-Q1 睡眠模式

如图 8-7 所示，可以通过在 SLEEP_OV 引脚与 OUT/C 之间添加一个外部齐纳二极管来为睡眠模式实现更高的过压阈值。在为 24V 或 48V 供电系统配置过压阈值时，此功能非常有用。

GUID-20230630-SS0I-W4M7-2M0Q-MPXC6KN1TBBZ-low.svg图 8-7 扩展睡眠模式下的过压阈值