ZHCSOF1A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 短路保护（CS+、CS- 和 ISCP）
      4. 8.3.4 过压保护和电池电压检测（SW、OV、UVLO）
      5. 8.3.5 低 IQ 睡眠模式（SLEEP、SLEEP_OV）
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
        1. 9.2.2.1 输入瞬态保护：ISO 7637-2 脉冲 1
        2. 9.2.2.2 交流叠加输入整流：ISO 16750-2 和 LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入、电源和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 过压保护和电池监测器
        6. 9.2.3.6 选择短路电流阈值
          1. 9.2.3.6.1 缩放电阻器 RSET 和短路保护电阻器 RISCP 的选型
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 优秀设计实践
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 9.4.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10

LV124 标准中规定的 E-10 测试可检查电子模块对于因接触问题或继电器反弹而导致的电源输入短时中断问题是否具有抗扰能力。该测试（案例 2）过程中会对输入施加微短路，持续时间短至 10µs 至几 ms。为了达到功能通过状态 A，电子模块需要在 E-10 测试（案例 2）期间以 100µs 的持续时间不间断运行。与单栅极驱动控制器相比，LM74912-Q1 的双栅极驱动架构（DGATE 和 HGATE）能够达到功能通过状态 A，并在输出端提供最佳保持电容。当输入微短路持续 100µs 时，LM74912-Q1 通过将 DGATE 短接至阳极（MOSFET 的源极）在 0.5µs 内快速关断 MOSFET Q1 以防止输出放电，而 HGATE 保持导通状态以使 MOSFET Q2 保持导通状态，从而在输入短路条件消失后实现快速恢复。

在 E10 输入电源中断测试案例 2 期间 LM74912-Q1 的性能如图 9-4 所示。输入短路条件消失后，输入电压恢复，MOSFET Q1 在 130μs 内重新导通。请注意，双栅极驱动拓扑允许 MOSFET Q2 在测试期间保持导通状态，并有助于更快地恢复输入功率。在整个持续时间内，输出电压保持不受干扰，从而达到功能状态 A。

GUID-20230705-SS0I-GS0Q-XJNM-W2KX4ZGM0LSG-low.png图 9-4 输入微短路 - LV124 E10 TC 2 100µs