ZHCSOF1A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 短路保护（CS+、CS- 和 ISCP）
      4. 8.3.4 过压保护和电池电压检测（SW、OV、UVLO）
      5. 8.3.5 低 IQ 睡眠模式（SLEEP、SLEEP_OV）
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
        1. 9.2.2.1 输入瞬态保护：ISO 7637-2 脉冲 1
        2. 9.2.2.2 交流叠加输入整流：ISO 16750-2 和 LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入、电源和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 过压保护和电池监测器
        6. 9.2.3.6 选择短路电流阈值
          1. 9.2.3.6.1 缩放电阻器 RSET 和短路保护电阻器 RISCP 的选型
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 优秀设计实践
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 9.4.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

TJ = –40°C 至 +125°C；TJ = 25°C、V(A) = V(OUT) = V(VS) = 12V、C(CAP) = 0.1µF、V(EN)、V(SLEEP) = 2V 时的典型值，在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压
V(VS) 工作输入电压 3 65 V
V(VS_PORR) VS POR 阈值，上升 2.4 2.65 2.9 V
V(VS_PORF) VS POR 阈值，下降 2.2 2.45 2.7 V
I(SHDN) SHDN 电流，I(GND) V(EN) = 0V 2.5 5 µA
I(SLEEP) 睡眠模式电流，I(GND) V(EN) = 2V，V(SLEEP) = 0V 5.5 10 µA
I(Q) 系统总静态电流，I(GND) V(EN) = 2V 610 730 µA
V(A) = V(VS) = 24V，V(EN) = 2V 615 735 µA
I(REV) 反极性期间的漏电流 I(A) 0V ≤ V(A) ≤ – 65V –100 -35 µA
反极性期间的漏电流 I(OUT) -1 –0.3 µA
使能
V(ENR) 低 Iq 关断使能阈值电压，上升 0.8 1.05 V
V(ENF) 低 Iq 关断使能下降阈值电压 0.41 0.7 V
I(EN) V(EN) = 65V 55 200 nA
欠压锁定比较器
V(UVLOR) UVLO 阈值电压，上升 0.585 0.6 0.63 V
V(UVLOF) UVLO 阈值电压，下降 0.533 0.55 0.573 V
I(UVLO) UVLO 引脚漏电流 0V ≤ V(UVLO) ≤ 5V 52 200 nA
睡眠模式
V(SLEEPR) 低 IQ 模式的 SLEEP 阈值电压 0.8 1.05 V
V(SLEEPF) 低 Iq 关断 SLEEP 阈值电压，下降 0.41 0.7 V
I(SLEEP) SLEEP 输入漏电流 0V ≤ V(SLEEP) ≤ 12V 100 160 nA
过流阈值 睡眠模式过流阈值 150 250 310 mA
过压阈值 过压比较器上升阈值 19.3 21.5 23 V
过压比较器下降阈值 18.4 21.04 22.2 V
FET 电阻 睡眠模式旁路 FET 电阻 4.5 7.5 11.5 Ω
TSD 睡眠模式期间的热关断上升阈值 155 ℃
过压保护和电池检测输入
R(SW) 电池检测断开开关电阻 3V ≤ V(SNS) ≤ 65V 10 22 46 Ω
V(OVR) 过压阈值输入，上升 0.585 0.6 0.63 V
V(OVF) 过压阈值输入，下降 0.533 0.55 0.573 V
I(OV) OV 引脚输入漏电流 0V ≤ V(OV) ≤ 5V 52 200 nA
电流检测放大器
ICS+ CS+ 引脚灌电流 10 11 11.85 µA
ISCP ISCP 引脚偏置电流 10 11 11.85 µA
V(SNS_SCP) 短路保护阈值 RISCP = RSET = 0Ω 47.3 50 53.4 mV
RSET = 1kΩ，RISCP = 0Ω 61 mV
RISCP = 1kΩ，RSET = 0Ω 39 mV
故障
R_FLT FLT 下拉电阻 11 25 60 Ω
I_FLT FLT 引脚漏电流 –100 400 nA
电荷泵
I(CAP) 电荷泵拉电流  V(CAP) – V(A) = 7V，6V ≤ V(S) ≤ 65V  2.5 4 mA
VCAP – VS 电荷泵导通电压 11 12.2 13.2 V
电荷泵关断电压 11.9 13.2 14.1 V
V(CAP UVLO) 电荷泵 UVLO 电压阈值，上升 5.4 6.6 7.9 V
电荷泵 UVLO 电压阈值，下降 4.4 5.4 6.6 V
理想二极管 MOSFET 控制
V(A_PORR) V(A) POR 阈值，上升 2.2 2.4 2.7 V
V(A_PORF) V(A) POR 阈值，下降 2 2.2 2.45 V
V(AC_REG) 稳压正向 V(A) – V(C) 阈值 3.6 10.5 13.4 mV
V(AC_REV) V(A) – V(C) 快速反向电流阻断阈值 –16 -10.5 -5 mV
V(AC_FWD) V(A) – V(C) 反向至正向转换的阈值 150 177 200 mV
V(DGATE) – V(A) 栅极驱动电压 3V < V(S) < 5V 7 V
5V < V(S) < 65V 9.2 11.5 14 V
I(DGATE) 峰值栅极拉电流 V(A) – V(C) = 300mV，V(DGATE) – V(A) = 1V 20 mA
峰值栅极灌电流 V(A) – V(C) = –12mV，V(DGATE) – V(A) = 11V 2670 mA
稳压灌电流 V(A) – V(C) = 0V，V(DGATE) – V(A) = 11V 6 15 µA
I(C) 阴极漏电流 V(A) = –14V，V(C) = 12V 4 9 32 µA
高侧 MOSFET 控制
V(HGATE) – V(OUT) 栅极驱动电压 3V < V(S) < 5V 7 V
5V < V(S) < 65V 10 11.1 14 V
I(HGATE) 拉电流 39 55 75 µA
灌电流 128 180 mA
V(HGATE –OUT)_SCP 短路保护启用的 HGATE-OUT 阈值 6.4 V