ZHCSO86C December   2022  – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 过流保护（CS+、CS-、ILIM、IMON、TMR）
        1. 8.3.3.1 脉冲过载保护，断路器
        2. 8.3.3.2 具有锁闭的过流保护
        3. 8.3.3.3 短路保护 (ISCP)
        4. 8.3.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      4. 8.3.4 欠压保护、过压保护和电池电压检测（UVLO、OV、SW）
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 超低 IQ 关断模式 (EN)
      2. 8.4.2 低 IQ 睡眠模式 (SLEEP)
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
        1. 9.2.2.1 输入瞬态保护：ISO 7637-2 脉冲 1
        2. 9.2.2.2 交流叠加输入整流：ISO 16750-2 和 LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 电流检测电阻 RSNS 的选型
        6. 9.2.3.6 缩放电阻器 (RSET) 和短路保护设置电阻器 (RSCP) 的选型
        7. 9.2.3.7 过流限值 (ILIM)、断路器计时器 (TMR) 和电流监控输出 (IMON) 选择
        8. 9.2.3.8 过压保护和电池监测器
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 使用 LM749x0-Q1 解决汽车输入反向电池保护拓扑问题
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGE|24
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 开关特性

TJ = –40°C 至 +125°C；TJ = 25°C、V(A) = V(OUT) = V(VS) = 12V、C(CAP) = 0.1µF、V(EN)、V(SLEEP) = 2V 时的典型值，在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tDGATE_OFF(dly) 反向电压检测期间的 DGATE 关断延迟 V(A) – V(C) = +30mV 至 –100mV 至 V(DGATE–A) < 1V，C(DGATE–A) = 10nF 0.5 0.95 µs
tDGATE_ON(dly) 正向电压检测期间的 DGATE 导通延迟 V(A)–V(C) = –20mV 至 +700mV 至 V(DGATE-A) > 5V，C(DGATE-A) = 10nF，仅限 LM74900-Q1 2 3.8 µs
tDGATE_ON(dly) 正向电压检测期间的 DGATE 导通延迟 V(A)–V(C) = –20mV 至 +700mV 至 V(DGATE-A) > 5V，C(DGATE-A) = 10nF，仅限 LM74910-Q1 0.75 1.6 µs
tEN(dly)_DGATE EN 期间的 DGATE 导通延迟 EN ↑ 至 V(DGATE-A) > 5V，C(DGATE-A) = 10nF 180 270 µs
tUVLO_OFF(deg)_HGATE UVLO 期间的 HGATE 关断抗尖峰脉冲 UVLO ↓ 至 HGATE ↓ 5 7 µs
tUVLO_ON(deg)_HGATE UVLO 期间的 HGATE 导通抗尖峰脉冲 UVLO ↑ 至 HGATE ↑  8.5 µs
tOVP_OFF(deg)_HGATE OV 期间的 HGATE 关断抗尖峰脉冲 OV ↑ 至 HGATE ↓ 4 7 µs
tOVP_ON(deg)_HGATE OV 期间的 HGATE 导通抗尖峰脉冲 OV ↓ 至 HGATE ↑ 9 µs
tSCP_DLY 短路保护关闭延迟 (VISCP - VCS-) = 0mV 至 100mV HGATE↓，CGS = 4.7nF 3 5.5 µs
tOCP_TMR_DLY 过流保护关闭延迟 (VCS+ - VCS-)↑ HGATE↓，CTMR = 50pF
 		 35 µs
过流保护关闭延迟 (VCS+ - VCS-)↑ HGATE↓，CTMR = 10nF 190 µs
tAUTO_RETRY_DLY 过流/短路保护自动重试延迟 (VCS+ - VCS-) ↓ HGATE ↑，CTMR = 50pF
 		 1.5 ms
过流/短路保护自动重试延迟 (VCS+ - VCS-) ↓ HGATE ↑，CTMR = 10nF
 		 230 ms
tFLT_ASSERT 故障置位延迟 (VCS+ - VCS-)↑ FLT↓，CTMR = 50pF
 		 35 µs
故障置位延迟 OV ↑ 至 FLT ↓ 3 µs
tFLT_DE-ASSERT 故障取消置位延迟 4 µs
tSLEEP_OCP_LATCH 睡眠 OCP 锁存延迟 3.5 7.5 µs
tSLEEP_MODE 睡眠模式进入延迟 SLEEP=低电平，EN=高电平 95 µs
tOVCLAMP OV 钳位响应延迟  3.5 µs