ZHCSO86C December   2022  – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 过流保护（CS+、CS-、ILIM、IMON、TMR）
        1. 8.3.3.1 脉冲过载保护，断路器
        2. 8.3.3.2 具有锁闭的过流保护
        3. 8.3.3.3 短路保护 (ISCP)
        4. 8.3.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      4. 8.3.4 欠压保护、过压保护和电池电压检测（UVLO、OV、SW）
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 超低 IQ 关断模式 (EN)
      2. 8.4.2 低 IQ 睡眠模式 (SLEEP)
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
        1. 9.2.2.1 输入瞬态保护：ISO 7637-2 脉冲 1
        2. 9.2.2.2 交流叠加输入整流：ISO 16750-2 和 LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 电流检测电阻 RSNS 的选型
        6. 9.2.3.6 缩放电阻器 (RSET) 和短路保护设置电阻器 (RSCP) 的选型
        7. 9.2.3.7 过流限值 (ILIM)、断路器计时器 (TMR) 和电流监控输出 (IMON) 选择
        8. 9.2.3.8 过压保护和电池监测器
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 使用 LM749x0-Q1 解决汽车输入反向电池保护拓扑问题
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGE|24
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

TJ = –40°C 至 +125°C；TJ = 25°C、V(A) = V(OUT) = V(VS) = 12V、C(CAP) = 0.1µF、V(EN)、V(SLEEP) = 2V 时的典型值，在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压
V(VS) 工作输入电压 3 65 V
V(VS_PORR) VS POR 阈值，上升 2.4 2.6 2.9 V
V(VS_PORF) VS POR 阈值，下降 2.2 2.4 2.7 V
I(SHDN) SHDN 电流，I(GND) V(EN) = 0V 2.5 5 µA
I(SLEEP) 睡眠模式电流，I(GND) V(EN) = 2V，V(SLEEP) = 0V 5.5 10 µA
I(Q) 系统总静态电流，I(GND) V(EN) = 2V（LM74900-Q1、LM74910-Q1） 630 750 µA

V(EN) = 2V (LM74910H-Q1)		 675 810 µA
V(A) = V(VS) = 24V，V(EN) = 2V（LM74900-Q1、LM74910-Q1） 635 750 µA
V(A) = V(VS) = 24V，V(EN) = 2V (LM74910H-Q1) 675 810 µA
I(REV) 反极性期间的泄漏电流 I(A)， 0V ≤ V(A) ≤ –65V -100 -35 µA
反极性期间的漏电流，I(OUT) -1 -0.3 µA
ENABLE
V(ENF) 使能上升阈值电压  0.6 0.8 1.05 V
V(ENF) 低 Iq 关断使能阈值电压，下降 0.41 0.7 0.98 V
I(EN) 0V ≤ V(EN) ≤ 65V 55 200 nA
欠压锁定比较器（SW、UVLO）
V(UVLOR) UVLO 阈值电压，上升 0.585 0.6 0.63 V
V(UVLOF) UVLO 阈值电压，下降 0.533 0.55 0.573 V
I(UVLO) 0V ≤ V(UVLO) ≤ 5V 50 200 nA
过压保护和电池检测（SW、OV）输入
R(SW) 电池检测断开开关电阻 3V ≤V(A) ≤ 65V 10 22.5 46 Ω
V(OVR) 过压阈值输入，上升 0.585 0.6 0.63 V
V(OVF) 过压阈值输入，下降 0.533 0.55 0.573 V
I(OV) OV 输入漏电流 0V ≤ V(OV) ≤ 5V 50 200 nA
电流检测放大器
V(OFFSET) 输入参考偏移电压（VSNS 至 VIMON 调节） RSET = 50Ω，RIMON = 5kΩ、10kΩ（对应于 VSNS = 6mV 至 30mV）增益分别为 45 和 90。  （LM74900-Q1、LM74910-Q1） -2.1 2.1 mV
V(GE_SET) VSNS 至 VIMON 调节 RSET = 50Ω、RIMON = 5kΩ（对应于 VSNS = 6mV 至 30mV）  82 90 97
V(SNS_TH) OCP 比较器阈值，上升 (ILIM) 1.08 1.22 1.32
V(SNS_TH) OCP 比较器阈值，下降 (ILIM) 1.02 1.15 1.25 V
ISCP SCP 输入偏置电流 VISCP = 12V（LM74900-Q1、LM74910-Q1） 9.5 10.5 12 µA
VISCP = 12V (LM74910H-Q1) 9.3 10.5 12 µA
V(SNS_SCP) SCP 阈值 R(ISCP)= 0Ω（ISCP 连接到 VS）（LM74900-Q1、LM74910-Q1） 17.86 20 22.77 mV
R(ISCP)= 0Ω（ISCP 连接到 VS）(LM74910H-Q1) 17.86 20 23 mV
R(ISCP) = 1kΩ（外部） 31 mV
IMON_ACC 电流监测器输出精度 VSENSE = 20mV（LM74900-Q1、LM74910-Q1） -12.5 12.5 %
VSENSE = 10mV (LM74910H-Q1) -6 6 %
VSENSE = 20mV (LM74910H-Q1) -3 3 %
VSENSE = 30mV (LM74910H-Q1) -2 2 %
故障
R(FLT) FLT_I 下拉电阻 （LM74900-Q1、LM74910-Q1） 11 25 60 Ω
(LM74910H-Q1) 9.46 25 60 Ω
I_FLT FLT 输入漏电流 0V ≤ V(FLT) ≤ 20V -100 400 nA
延迟计时器(TMR)
I(TMR_SRC_CB) TMR 源电流 65 85 97 µA
I(TMR_SRC_FLT) TMR 源电流  1.94 2.7 3.4 µA
I(TMR_SNK) TMR 灌电流 （LM74900-Q1、LM74910-Q1） 2 2.7 3.15 µA
(LM74910H-Q1) 2 2.7 3.66 µA
V(TMR_OC) IWRN 关断的 TMR 引脚电压 1.1 1.2 1.4 V
V(TMR_FLT) 用于 IFLT 触发的 TMR 引脚电压 1.04 1.1 1.2 V
V(TMR_LOW) 用于 AR 计数器下降阈值的 TMR 引脚电压 0.1 0.2 0.3 V
N(A_R_Count) 自动重试周期数 32
电荷泵 (CAP)
I(CAP) 电荷泵拉电流（电荷泵导通） V(CAP) – V(A) = 7V，6V ≤ V(S) ≤ 65V 1.3 2.7 mA
V(CAP) – V(A) = 7V，VS = 65V，仅限 LM74910-Q1 2.5 4.2 mA
VCAP – VS 电荷泵导通电压 11 12.2 13.2 V
电荷泵关断电压 11.9 13.2 14.1 V
V(CAP UVLO) 电荷泵 UVLO 电压阈值，上升 5.4 6.6 7.9 V
电荷泵 UVLO 电压阈值，下降 4.4 5.5 6.6 V
理想二极管（A、C、DGATE）
V(A_PORR) V(A) POR 阈值，上升 2.2 2.45 2.7 V
V(A_PORF) V(A) POR 阈值，下降 2 2.25 2.45 V
V(AC_REG) 稳压正向 V(A)–V(C) 阈值 3.6 10.5 13.4 mV
V(AC_REV) V(A)–V(C) 快速反向电流阻断阈值 -16 -10.5 -5 mV
V(AC_FWD) V(A)–V(C) 反向至正向转换的阈值 150 177 200 mV
V(DGATE) – V(A) 栅极驱动电压 3V < V(S) < 5V 7 V
5V < V(S) < 65V 9.2 11.5 14 V
I(DGATE) 峰值栅极拉电流 V(A) – V(C) = 100mV，V(DGATE) – V(A) = 1V 18.5 mA
峰值栅极灌电流 V(A) – V(C) = -12mV，V(DGATE) – V(A) = 11V 2670 mA
稳压灌电流 V(A) – V(C) = 0V，V(DGATE) – V(A) = 11V 5 13.5 µA
I(C) 阴极漏电流 V(A) = -14V，V(C) = 12V 4 9 32 µA
高侧控制器（HGATE、OUT）
V(HGATE) – V(OUT) 栅极驱动电压 3V < V(S) < 5V 7 V
5V < V(S) < 65V 10 11.1 14.5 V
I(HGATE) 源电流 39 55 75 µA
灌电流 V(OV) > V(OVR) 128 180 mA
睡眠模式
V(SLEEPR) SLEEP 高电平阈值电压  0.85 1.05 V
V(SLEEPF) 低 Iq 关断 SLEEP 阈值电压，下降 0.41 0.7 V
I(SLEEP) SLEEP 输入漏电流 100 160 nA
过压阈值 睡眠模式过压上升阈值 SLEEP=低电平，EN=高电平 19.3 21.3 23 V
过压阈值 睡眠模式过压阈值 SLEEP=低电平，EN=高电平 18.4 21 22.2 V
过流阈值 睡眠模式过流阈值（器件闭锁） 150 250 310 mA
T(TSD) 睡眠模式 TSD 阈值，上升 SLEEP=低电平，EN=高电平 155 ℃
T(TSDhyst) TSD 迟滞 SLEEP=低电平，EN=高电平 10 ℃