ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
LM749x0-Q1 具有两个独立的栅极控制和驱动器输出(DGATE 和 HGATE),可驱动背对背 N 沟道 MOSFET。LM749x0-Q1 符合 ISO 7637-2 和 ISO 16750-2 标准以及其他汽车 OEM 标准,能够在各种汽车瞬态测试期间提供全面的抗扰性和强大的系统保护。如需更多信息,请参阅使用理想二极管控制器实现符合汽车 EMC 标准的反向电池保护 文章。
LM749x0-Q1 栅极驱动输出 DGATE 可控制 MOSFET Q1,以提供反向电池保护和有效的反向电流阻断功能。HGATE 可控制 MOSFET Q2,以在输入过压条件下关闭电源路径。SW 引脚到接地之间连接的电阻器网络 R1、R2 和 R3、R4 可配置来实现欠压和过压保护阈值。双向 TVS D1 会将 12V 电池上的汽车瞬态输入电压(包括正负两个方向的瞬态)钳制到对 MOSFET Q1 和 LM749x0-Q1 安全的电压电平。
由于具有快速反向电流阻断响应和快速反向恢复能力,LM749x0-Q1 能够在 ISO 16750-2 和 LV124 E-06 中所述的交流叠加输入期间导通/关断 MOSFET Q1,并对叠加在直流电池电压上的交流输入进行有源整流。LM749x0-Q1 的快速反向电流阻断响应有助于在 ISO 7637-2 中所述的 –150V 2ms 脉冲 1 等负瞬态输入和 LV124 E-10 测试等输入微短路条件下关断 MOSFET Q1。