ZHCSO86C December   2022  – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 过流保护（CS+、CS-、ILIM、IMON、TMR）
        1. 8.3.3.1 脉冲过载保护，断路器
        2. 8.3.3.2 具有锁闭的过流保护
        3. 8.3.3.3 短路保护 (ISCP)
        4. 8.3.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      4. 8.3.4 欠压保护、过压保护和电池电压检测（UVLO、OV、SW）
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 超低 IQ 关断模式 (EN)
      2. 8.4.2 低 IQ 睡眠模式 (SLEEP)
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
        1. 9.2.2.1 输入瞬态保护：ISO 7637-2 脉冲 1
        2. 9.2.2.2 交流叠加输入整流：ISO 16750-2 和 LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 电流检测电阻 RSNS 的选型
        6. 9.2.3.6 缩放电阻器 (RSET) 和短路保护设置电阻器 (RSCP) 的选型
        7. 9.2.3.7 过流限值 (ILIM)、断路器计时器 (TMR) 和电流监控输出 (IMON) 选择
        8. 9.2.3.8 过压保护和电池监测器
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 使用 LM749x0-Q1 解决汽车输入反向电池保护拓扑问题
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGE|24
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.3.1 脉冲过载保护，断路器

LM749x0-Q1 通过 ILIM 引脚和 GND 之间连接的电阻器 (RLIM) 提供可编程的过流阈值设置。

方程式 3. LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1

其中

  • RSET 是 CS+ 和 VS 之间连接的电阻器
  • RSNS 是电流检测电阻器
  • ILIM 是过流水平

CTMR 对断路器和自动重试时间进行编程。一旦 CS+ 和 CS– 上的电压超过设定点，CTMR 便会以 85μA 的上拉电流开始充电。一旦 CTMR 充电至 V(TMR_FLT)，FLT 就会置为低电平，从而提供 FET 即将关断的警告。一旦 CTMR 充电至 V TMR_OC，HGATE 就会被拉至 OUT，从而关断 HFET。发生此事件后，自动重试行为就会开始。CTMR 电容器开始放电，下拉电流为 2.7µA。一旦电压达到 VTMR_Low 电平，电容器就会开始充电，上拉电流为 2.7µA。经过 CTMR 的 32 个充/放电周期后，FET 导通，FLT 在置为无效延迟后置为无效。

方程式 4. LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1

其中

  • tOC 是关断 FET 的延迟
  • CTMR 是 TMR 与 GND 之间连接的电容

自动重试时间可通过以下公式计算

方程式 5. LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1

如果过流脉冲持续时间低于 TOC，则 FET 保持开通，CTMR 通过内部下拉开关放电。

不使用时，ILIM 接地，而 TMR 可以保持悬空。

LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1 LM749x0 自动重试计时器功能图 8-3 LM749x0 自动重试计时器功能
LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1 具有自动重试功能的过流保护计时示意图图 8-4 具有自动重试功能的过流保护计时示意图

如果过流脉冲持续时间低于 TOC，则 HFET 保持开通，CTMR 通过内部下拉开关放电。