ZHCSO86C December   2022  – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 过流保护（CS+、CS-、ILIM、IMON、TMR）
        1. 8.3.3.1 脉冲过载保护，断路器
        2. 8.3.3.2 具有锁闭的过流保护
        3. 8.3.3.3 短路保护 (ISCP)
        4. 8.3.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      4. 8.3.4 欠压保护、过压保护和电池电压检测（UVLO、OV、SW）
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 超低 IQ 关断模式 (EN)
      2. 8.4.2 低 IQ 睡眠模式 (SLEEP)
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
        1. 9.2.2.1 输入瞬态保护：ISO 7637-2 脉冲 1
        2. 9.2.2.2 交流叠加输入整流：ISO 16750-2 和 LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 电流检测电阻 RSNS 的选型
        6. 9.2.3.6 缩放电阻器 (RSET) 和短路保护设置电阻器 (RSCP) 的选型
        7. 9.2.3.7 过流限值 (ILIM)、断路器计时器 (TMR) 和电流监控输出 (IMON) 选择
        8. 9.2.3.8 过压保护和电池监测器
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 使用 LM749x0-Q1 解决汽车输入反向电池保护拓扑问题
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGE|24
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4.2 低 IQ 睡眠模式 (SLEEP)

LM749x0-Q1 支持低 IQ 睡眠模式运行。此模式可通过将 SLEEP 引脚拉至低电平（EN = 高电平）来启用。在睡眠模式下，器件会关闭内部电荷泵和 SW 开关并禁用 DGATE 和 HGATE 驱动，从而实现典型值为 6μA 的低电流消耗。但是，与此同时，器件会为常开负载供电，这些负载通过内部低功率 MOSFET（典型导通电阻为 7Ω）连接到 OUT 引脚上。在此模式下，器件可支持 100mA 的峰值负载电流。随着负载增加，内部 MOSFET 上的压降也会增加。器件在睡眠模式下提供过流保护，其典型过流阈值为 250mA。对于 LM74900-Q1 和 LM74910H-Q1，如果在睡眠模式下发生过流事件，器件会通过断开内部 MOSFET 开关并闭锁器件来保护内部 FET。

对于 LM74910H-Q1，睡眠模式下的过流事件会触发器件在 64 个计时器周期内切换到正常运行模式，在此期间器件会消耗静态电流 I(Q)。当器件进入正常模式并持续 64 个计时器周期，将启用电荷泵、DGATE 和 HGATE，从而允许负载电流流过外部 FET。在 64 个计时器周期结束后，器件从正常模式恢复到睡眠模式。这一自动重试功能使 LM74910H-Q1 器件能够启动进入睡眠模式并传递大于睡眠过流阈值的瞬态负载电流，而不会闭锁器件。

作为一层额外的保护，器件还在睡眠模式下具有带闭锁功能的热关断，以防器件在睡眠模式下过热。要使器件退出闭锁模式，用户必须切换 SLEEP 或 EN 引脚。

在睡眠模式下，LM749x0-Q1 可针对输入过压事件提供保护。器件可配置为过压切断（SLEEP_OV 连接到 C）或过压钳位模式（SLEEP_OV 连接到 VOUT），默认过压阈值为典型值 21V。

如果不需要睡眠模式功能，则应将 SLEEP 引脚连接到 EN。不使用时，SLEEP_OV 引脚可以保持悬空。

LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1 LM749x0-Q1 睡眠模式运行图 8-10 LM749x0-Q1 睡眠模式运行

如图 8-11 所示，可以通过在 SLEEP_OV 引脚与 OUT/C 之间添加一个外部齐纳二极管来为睡眠模式实现更高的过压阈值。在为 24V 或 48V 供电系统配置过压阈值时，此功能非常有用。

LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1 使用外部齐纳二极管增大 SLEEP_OV 阈值图 8-11 使用外部齐纳二极管增大 SLEEP_OV 阈值