5 引脚配置和功能

LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1 RGE 封装，24 引脚 VQFN（透明顶视图）

图 5-1 RGE 封装，24 引脚 VQFN（透明顶视图）

表 5-1 引脚功能

引脚		类型⁽¹⁾	说明
名称	编号	类型⁽¹⁾	说明
DGATE	1	O	二极管控制器栅极驱动输出。连接到外部 MOSFET 的栅极。
A	2	I	理想二极管的阳极。连接到外部 MOSFET 的源极。
SW	3	I	电压检测断开开关端子。VSNS 和 SW 通过开关在内部连接。使用 SW 作为电池检测或 OV 电阻梯网络的顶部连接点。当 EN 被拉至低电平时，该开关关断以断开电阻梯与电池线路的连接，从而切断漏电流。如果未使用 VSNS 和 SW 之间的内部断开开关，则将它们短接在一起并连接到 VS 引脚。
UVLO	4	I	可调节欠压阈值输入。在 SW 与 UVLO 端子到 GND 之间连接一个电阻梯。当 UVLO 上的电压低于欠压切断阈值时，HGATE 被拉至低电平，从而关断 HSFET。当检测电压高于 UVLO 下降阈值时，HGATE 导通。
OV	5	I	可调节过压阈值输入。在 SW 与 OV 端子之间连接一个电阻梯。当 OVP 上的电压超过过压切断阈值时，HGATE 被拉至低电平，从而关断 HSFET。当检测电压低于 OVP 下降阈值时，HGATE 导通。
EN	6	I	EN 输入。连接到 VS 引脚以实现常开运行。可通过微控制器 I/O 从外部驱动。将其拉至低于 V_(ENF) 的低电平可使器件进入低 Iq 关断模式。
SLEEP	7	I	低电平有效睡眠模式输入。可以由微控制器驱动。当被拉低时，该器件会进入低功耗状态，并且电荷泵和栅极驱动关闭。内部旁路开关以有限电流能力提供输出电压。
NC	8	—	无连接。
TMR	9	I	故障计时器输入。TMR 引脚与 GND 之间的电容器可设置故障警告、故障关断 (FLT) 和重试周期的时间。将它保持开路可设置最快速度。将 TMR 连接到 GND 将禁用过流保护。
IMON	10	O	模拟电流监视器输出。该引脚通过外部电流检测电阻 R_SNS 提供按比例降低的电流。该引脚与 GND 之间的电阻器可将电流成比例转换为电压。如果未使用，请将其保持悬空状态。
ILIM	11	I	过流检测设置。ILIM 与 GND 之间的电阻器可以设置过流比较器阈值。如果不需要过流保护功能，请将 ILIM 连接到 GND。
FLT	12	O	开漏故障输出。在发生 UVLO、OV、OCP 或 SCP 事件时，FLT 引脚会被拉低。
GND	13	G	连接到系统接地平面。
HGATE	14	O	HSFET 的栅极驱动器输出。连接到外部 FET 的栅极。
OUT	15	I	连接到输出电源轨（外部 MOSFET 源极）。
SLEEP_OV	16	I	睡眠模式过压保护引脚。将此引脚连接到 VS 可实现过压切断功能。连接到 OUT 可实现过压钳位功能。
NC	17	—	无连接。
ISCP	18	I	短路检测阈值设置。如果不需要短路保护功能，请将 ISCP 保持悬空状态。当 ISCP 连接到 CS+ 时，器件会将内部固定阈值设置为 20mV。
CS–	19	I	电流检测负输入。
CS+	20	I	电流检测正输入。在 CS+ 与外部电流检测电阻器之间连接一个 50 至 100mΩ 的电阻器。
NC	21	—	无连接。
VS	22	P	IC 的输入电源。将 VS 连接到共漏极背对背 MOSFET 配置的中点。在 VS 和 GND 引脚之间连接一个 100nF 电容器。
CAP	23	O	电荷泵输出。在 CAP 和 VS 引脚之间连接一个 100nF 电容器。
C	24	I	理想二极管的阴极。连接到外部 MOSFET 的漏极。
RTN	散热焊盘	—	将外露焊盘保持悬空。不要连接到 GND 平面。

(1) I = 输入，O = 输出，I/O = 输入和输出，P = 电源，G = 接地