应确保DRV8706-Q1电荷泵负载能力可以满足 MOSFET 和 PWM 频率要求。可通过公式 1 所示的简单计算方法来确认这一点。在典型的 H 桥驱动配置中,一次只能开关一个高侧 MOSFET。
Equation1. IVCP (A) = QG (C) x fPWM (Hz) x 正在进行开关的 HS FET 数量
以输入设计参数为例,我们可以通过公式 2 证明,在此例中,电荷泵的输出负载能力是足够的。
Equation2. IVCP = 30 nC x 20 kHz x 1 = 0.6 mA