ZHCSKQ5A July   2020  – April 2021 DRV8706-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
    1.     器件比较表
  5. 5 引脚配置
    1.     DRV8706-Q1_RHB 封装 (VQFN) 引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部元件
      2. 7.3.2 器件接口类型
        1. 7.3.2.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.2.2 硬件 (H/W)
      3. 7.3.3 输入 PWM 模式
        1. 7.3.3.1 半桥控制
        2. 7.3.3.2 H 桥控制
        3. 7.3.3.3 分离式 HS 和 LS 螺线管控制
      4. 7.3.4 智能栅极驱动器
        1. 7.3.4.1 功能方框图
        2. 7.3.4.2 压摆率控制 (IDRIVE)
        3. 7.3.4.3 栅极驱动状态机 (TDRIVE)
      5. 7.3.5 倍增（单级）电荷泵
      6. 7.3.6 宽共模差分电流分流放大器
      7. 7.3.7 引脚图
        1. 7.3.7.1 逻辑电平输入引脚（DRVOFF，IN1/EN，IN2/PH，nHIZx，nSLEEP，nSCS，SCLK，SDI）
        2. 7.3.7.2 逻辑电平推挽输出 (SDO)
        3. 7.3.7.3 逻辑电平开漏输出 (nFAULT)
        4. 7.3.7.4 四电平输入（GAIN）
        5. 7.3.7.5 六电平输入（IDRIVE，VDS）
      8. 7.3.8 保护和诊断
        1. 7.3.8.1  栅极驱动器禁用和启用（DRVOFF 和 EN_DRV）
        2. 7.3.8.2  故障复位 (CLR_FLT)
        3. 7.3.8.3  DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
        4. 7.3.8.4  PVDD 电源欠压监控器 (PVDD_UV)
        5. 7.3.8.5  PVDD 电源过压监控器 (PVDD_OV)
        6. 7.3.8.6  VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
        7. 7.3.8.7  MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        8. 7.3.8.8  栅极驱动器故障 (VGS_GDF)
        9. 7.3.8.9  热警告 (OTW)
        10. 7.3.8.10 热关断 (OTSD)
        11. 7.3.8.11 离线短路和开路负载检测（OOL 和 OSC）
        12. 7.3.8.12 故障检测和响应汇总表
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 非运行或睡眠状态
      2. 7.4.2 待机状态
      3. 7.4.3 运行状态
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 接口
      2. 7.5.2 SPI 格式
      3. 7.5.3 用于连接多个从器件的 SPI 接口
        1. 7.5.3.1 用于连接菊花链中多个从器件的 SPI 接口
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 状态寄存器
      2. 7.6.2 控制寄存器
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 栅极驱动器配置
          1. 8.2.2.1.1 VCP 负载计算示例
          2. 8.2.2.1.2 IDRIVE 计算示例
        2. 8.2.2.2 电流分流放大器配置
        3. 8.2.2.3 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
  10. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
      2. 10.1.2 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  11. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RHB|32
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

DRV8706-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动电流对减少电磁干扰 (EMI) 进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监控器来防止漏源极和栅极短路问题。

宽共模分流放大器具有内联电流感测功能，即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内联感测，放大器可用于低侧或高侧感测配置。

DRV8706-Q1 提供了一系列保护功能，可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监控、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监控、离线开路负载和短路诊断，以及内部热警告和热关断保护功能。

器件信息(1)
器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
DRV8706-Q1 VQFN (32) 5.00mm x 5.00mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
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