ZHCSX86D October   2024  – November 2025 CC2744R7-Q1 , CC2745P10-Q1 , CC2745R10-Q1 , CC2745R7-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
      1. 6.1.1 引脚图 - RHA 封装
    2. 6.2 信号说明
      1. 6.2.1 信号说明 – RHA 封装
    3. 6.3 未使用的引脚和模块的连接
      1. 6.3.1 未使用的引脚和模块的连接 – RHA 封装
    4. 6.4 外设引脚映射
      1. 6.4.1 RHA 外设引脚映射
    5. 6.5 外设信号说明
      1. 6.5.1 RHA 外设信号说明
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 和 MSL 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  直流/直流
    5. 7.5  GLDO
    6. 7.6  电源和模块
    7. 7.7  电池监测器
    8. 7.8  BATMON 温度传感器
    9. 7.9  功耗 - 电源模式
    10. 7.10 功耗 - 无线电模式（R 型号）
    11. 7.11 功耗 - 无线电模式（P 型号）
    12. 7.12 非易失性（闪存）存储器特性
    13. 7.13 热阻特性
    14. 7.14 射频频带
    15. 7.15 低功耗蓝牙 - 接收 (RX)
    16. 7.16 低功耗蓝牙 - 发送 (TX)
    17. 7.17 蓝牙信道探测
    18. 7.18 2.4GHz RX/TX CW
    19. 7.19 时序和开关特性
      1. 7.19.1 复位时序
      2. 7.19.2 唤醒时间
      3. 7.19.3 时钟规格
        1. 7.19.3.1 48MHz 晶体振荡器 (HFXT)
        2. 7.19.3.2 96MHz RC 振荡器 (HFOSC)
        3. 7.19.3.3 80/90/98MHz RC 振荡器 (AFOSC)
        4. 7.19.3.4 32kHz 晶体振荡器 (LFXT)
        5. 7.19.3.5 32kHz RC 振荡器 (LFOSC)
    20. 7.20 外设特性
      1. 7.20.1 UART
        1. 7.20.1.1 UART 特性
      2. 7.20.2 SPI
        1. 7.20.2.1 SPI 特性
        2. 7.20.2.2 SPI 控制器模式
        3. 7.20.2.3 SPI 计时示意图 - 控制器模式
        4. 7.20.2.4 SPI 外设模式
        5. 7.20.2.5 SPI 计时示意图 - 外设模式
      3. 7.20.3 I2C
        1. 7.20.3.1 I2C 特性
        2. 7.20.3.2 I2C 时序图
      4. 7.20.4 I2S
        1. 7.20.4.1 I2S 控制器模式
        2. 7.20.4.2 I2S 外设模式
      5. 7.20.5 CAN-FD
        1. 7.20.5.1 CAN-FD 特性
      6. 7.20.6 GPIO
        1. 7.20.6.1 GPIO 直流特性
      7. 7.20.7 ADC
        1. 7.20.7.1 模数转换器 (ADC) 特性
      8. 7.20.8 比较器
        1. 7.20.8.1 低功耗比较器
      9. 7.20.9 电压干扰监测器
    21. 7.21 典型特性
      1. 7.21.1 MCU 电流
      2. 7.21.2 RX 电流
      3. 7.21.3 TX 电流
      4. 7.21.4 RX 性能
      5. 7.21.5 TX 性能
      6. 7.21.6 ADC 性能
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  系统 CPU
    3. 8.3  无线电（射频内核）
      1. 8.3.1 低功耗 Bluetooth
    4. 8.4  存储器
    5. 8.5  硬件安全模块 (HSM)
    6. 8.6  加密
    7. 8.7  计时器
    8. 8.8  算法处理单元 (APU)
    9. 8.9  串行外设和 I/O
    10. 8.10 电池和温度监测器
    11. 8.11 电压干扰监测器 (VGM)
    12. 8.12 µDMA
    13. 8.13 调试
    14. 8.14 电源管理
    15. 8.15 时钟系统
    16. 8.16 网络处理器
    17. 8.17 集成式平衡-非平衡变压器、高功率放大器 (PA)
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 参考设计
    2. 9.2 结温计算
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
      1. 10.2.1 SimpleLink™ 微控制器平台
      2. 10.2.2 软件许可和声明
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.12 非易失性（闪存）存储器特性

在推荐的自然通风条件下的工作温度范围内且 VDDS = 3.0V 的条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
闪存扇区大小 2 KB
发生故障前支持的闪存擦除周期，全存储体(1)(2) 30 k Cycles
发生故障前支持的闪存擦除周期，单扇区(3) 60 k Cycles
擦除扇区前的每行最大写入操作数(4) 83 写入操作
闪存保留 105°C 11.4 年
闪存保留 125°C 10 年
闪存扇区擦除电流 (5) 5.8 mA
闪存扇区擦除时间(6) 0 个擦除周期 2.2 ms
闪存写入电流 (5) 一次整个扇区 6.6 mA
闪存写入时间(6) 一次整个扇区 (2KB)，0 个擦除周期 8 ms
(1) 一次全存储体擦除被视为每个扇区上的单个擦除周期。
(2) 在擦除或编程模式期间中止闪存是一种不安全的操作。
(3) 最多可单独擦除 16 个由客户指定的扇区（在基准存储体上限 30k 次的基础上额外增加 30k 次）。
(4) 每条字线的宽度为 2048 位（或 256 字节）。此限值对应于整个字线上每次写入包含最少 4 (3.1) 字节的顺序存储器写入。如果需要对同一个字线执行额外的写入操作，则一旦达到每行的最大写入操作数，就需要执行扇区擦除。
(5) 器件对闪存扇区执行擦除或写入操作时的电流消耗。启用直流/直流转换器 (ipeak = 0)。所有外设均禁用。
(6) 该数字取决于闪存老化，并随着时间和擦除周期而增加。