ZHCSX86D October 2024 – November 2025 CC2744R7-Q1 , CC2745P10-Q1 , CC2745R10-Q1 , CC2745R7-Q1
PRODMIX
本节介绍了在各种运行条件下计算结温的不同技术。更多详细信息,请参阅半导体和 IC 封装热指标。
建议通过两种方法根据其他测量温度得出结温:
P 是器件的功耗,可以通过电流消耗乘以电源电压来计算。热阻系数请参见热阻特性。
示例:
在此示例中,一个简单的用例以 0dBm 输出功率连续发射无线电。假设我们要保持 105°C 的结温且电源电压为 3.3V。使用公式 1 计算外壳顶部温度与结温之间的温差。要计算 P,请在图 7-10 的图中查找 105°C 处 TX 0dBm 的电流消耗。在 105°C 时,电流消耗大约为 9.5mA。这意味着 P 为 9.5mA × 3.3V = 31.35mW。
然后,通过以下公式计算最大外壳温度:
对于各种应用用例,可能必须添加其他模块的电流消耗才能计算相应的功耗。例如,MCU 可以与无线电模块同时运行,外设模块可能被启用等等。通常,要确定峰值电流消耗以及器件中的峰值功耗,最简单方法是按照测量 CC13xx 和 CC26xx 电流消耗 应用报告中的说明进行测量。