4 Revision History
Changes from Revision D (May 2016) to Revision E (October 2020)
- 注:采用 MicroStar Jr. BGA 封装的器件采用层压 nFBGA 封装进行了重新设计。这种 nFBGA 封装提供了类似于数据表中的电气性能。该封装占用空间也类似于 MicroStar Jr. BGA。将在整个数据表中更新全新封装标识符来代替已停止使用的封装标识符。Go
- 将 u*jr ZQE 更改为 nFBGA ZXHGo
- Changed u*jr ZQE to nFBGA ZXHGo
- Changed u*jr ZQE to nFBGA ZXH, updated thermal
informationGo
- Correct SN65LVDS822 to SN65LVDS302Go
Changes from Revision C (August 2012) to Revision D (May 2016)
- 添加了
ESD 等级 表、
特性说明 部分、
器件功能模式
部分、
应用和实现 部分、
电源相关建议 部分、
布局 部分、
器件和文档支持 部分
以及机械、封装和可订购信息 部分
Go