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氮化鎵 (GaN) 功率級

LMG2100R026

現行

100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級

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產品規格表

LMG2100R026

現行
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產品詳細資料

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
UNKNOWN (VBN) 16 See data sheet VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm² 7 x 4.5
  • Integrated half-bridge GaN FETs and driver
  • 93V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated half-bridge GaN FETs and driver
  • 93V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R026 device is a 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. The driver and the two GaN FETs are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R026 device is available in a 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R026 device is a 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. The driver and the two GaN FETs are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R026 device is available in a 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

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類型 標題 日期
* Data sheet LMG2100R026 100V, 53A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2025年 3月 31日
Application brief GaN FET 在人形機器人中的應用 PDF | HTML 2025年 2月 5日

設計與開發

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開發板

BOOSTXL-LMG2100-MD — LMG2100 升壓轉換器評估模組

BOOSTXL-LMG2100-MD 評估模組 (EVM) 採用具精密直列分流式相位電流感測的 GaN 逆變器，以準確控制伺服驅動器等精密驅動器。EVM 提供 TI BoosterPack ™相容介面，可連接至 C2000 ™ MCU LaunchPad ™開發套件，以輕鬆進行性能評估。
使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
開發板

BP-AMC0106-LMG-MD — BP-AMC0106-LMG-MD 評估模組

BP-AMC0106-LMG-MD 評估模組 (EVM) 是一款先進的氮化鎵 (GaN) 式逆變器，具備精密分流架構隔離相位電流感測與 AMC0106M05 ΔΣ 調變器。此技術可準確控制高精密度驅動器，包括伺服驅動器。EVM 具有 TI BoosterPack ™相容介面，可連接至 C2000™ 微控制器 MCU LaunchPad™ 開發套件，以順利進行性能評估。此 EVM 是 TIDA-010936 和 BOOSTXL-LMG2100-MD EVM 的後續版本。
使用指南: PDF | HTML
要求
開發板

LMG2100EVM-097 — LMG2100R026 評估模組

LMG2100EVM-097 是一款小巧易用的功率級產品，且具有外部 PWM 訊號。此電路板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其它使用半橋的轉換器拓撲。此評估模組採用 LMG2100R026 半橋電源模組，並具有兩個由 90V GaN FET 半橋閘極驅動器驅動的 100V 2.6mΩ GaN FET。
使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有整合式驅動器和防護功能的 100-V 4.4-mΩ 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有整合式驅動器、保護和電流感測功能且適用於 ACF 的 650-V 170/248-mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 95mΩ GaN 半橋 LMG2652 — 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 140mΩ GaN 半橋 LMG2656 — 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 230mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600-V 50-mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電流偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電流偵測的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測報告的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG3527R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電流偵測的 650V 30mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
下載
參考設計

TIDA-010954 — 600W GaN 型單相換流器參考設計

此參考設計採用換流器 (AC-DAB) 拓撲與 TI GaN 功率級，打造 600W 雙向單級 DC-AC 逆變器。此設計在 DC 側支援高達 60V 和 ±16A，在單相交流側則支援 230VAC 和 2.6A。此逆變器支援雙向功率流，可做各種應用，例如太陽能微逆變器或電池儲能系統 (BESS)。
Design guide: PDF
參考設計

TIDA-010949 — 以 GaN 為基礎，具備有線與無線通訊功能的 600W 太陽能優化器參考設計

此參考設計為太陽能最佳化工具，可支援高達 80V 的輸入電壓及 80V 的輸出電壓，並提供高達 18A 的輸出及輸入電流。此設計使用可配置的四開關降壓升壓轉換器，將面板電流升壓或降壓至串列電流。旁路電路採用智慧型二極體控制器架構設計。

此參考設計包括電源線通訊 (PLC)，同時具備無線通訊功能。數位控制和通訊皆在單一 C2000™ 微控制器 (MCU) 中執行。

Design guide: PDF
參考設計

PMP23591 — 具有 GaN 開關的 20VIN 至 60VIN、600W 車用雙相位降壓轉換器參考設計

此參考設計可從額定 48V 輸入產生穩定的 12V 輸出。此設計可處理高達 50A 的最大電流及每相位 25A 的最大電流。LM5137F-Q1 控制器為 LMG2100R026 半橋式氮化鎵 (GaN) 場效應電晶體 (FET) 提供開關訊號，並內建閘極驅動器。
Test report: PDF
參考設計

PMP31306 — 適合 H 類音訊應用的 GaN 式雙相位升壓轉換器參考設計

此設計為雙相汽車升壓轉換器，採用 LMG2100R026 氮化鎵 (GaN) 半橋並提供類比或數位輸出電壓追蹤，適用於 H 類音訊應用。11V 輸入電壓下的輸出功率為 1000W（12V 時峰值為 1250W）。轉換器面積測量為 47mm × 48mm，不包括反向極性保護和大型輸入電容。此設計是以 LM5125-Q1 為基礎。此設計也可使用提供額外 I²C 以進行診斷和控制的接腳相容 LM51251-Q1 變體。
Test report: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
UNKNOWN (VBN) 16 Ultra Librarian
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供，且不構成 TI 規範。檢視使用條款。

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題，請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片