LMG3410R070
- TI GaN Process Qualified Through Accelerated Reliability In-application Hard-switching Mission Profiles
- Enables High Density Power Conversion Designs
- Superior System Performance Over Cascode or Stand-alone GaN FETs
- Low Inductance 8mm x 8mm QFN Package for Ease of Design, and Layout
- Adjustable Drive Strength for Switching Performance and EMI Control
- Digital Fault Status Output Signal
- Only +12 V Unregulated Supply Needed
- Integrated Gate Driver
- Zero Common Source Inductance
- 20 ns Propagation Delay for MHz Operation
- Process-tuned Gate Bias Voltage for Reliability
- 25 to 100V/ns User Adjustable Slew Rate
- Robust Protection
- Requires No External Protection Components
- Over-current Protection with <100ns Response
- >150V/ns Slew Rate Immunity
- Transient Overvoltage Immunity
- Overtemperature Protection
- UVLO Protection on All Supply Rails
- Device Options:
- LMG3410R070: Latched Overcurrent Protection
- LMG3411R070: Cycle-by-cycle Overcurrent Protection
The LMG341xR070 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.
The LMG341xR070 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100V/ns switching with near zero Vds ringing, <100 ns current limiting self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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針腳對針腳的功能與所比較的裝置相同。
技術文件
設計與開發
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LMG34XX-BB-EVM — 適用於 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主機板
LMG34XX-BB-EVM 是一款易於使用的分接板，可當作同步降壓轉換器配置任何 LMG341x 半橋電路板，例如 LMG3410-HB-EVM。透過提供功率級、偏壓電源和邏輯電路，此 EVM 可快速測量 GaN 裝置切換。此 EVM 能夠提供高達 8 A 的輸出電流，運用適當的溫度管理 (強制空氣、低頻率運作等)，確保不超過最高運作溫度。EVM 屬於開迴路電路板，不適合執行瞬態量測。
只需要單脈衝寬度調變輸入，具有互補脈衝寬度調變訊號，和板上產生的對應失效時間。使用具有短接地彈簧的示波器探針，提供探針點來測量主要邏輯和功率級波形。
LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半橋子板
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
PMP20873 — 效率高達 99% 且基於 GaN 的 1kW CCM 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 轉換器參考設計
PMP21309 — 具有 HV GaN FET 的 24-V/500-W 共振轉換器參考設計
PMP21842 — 具有 HV GaN FET 的 12V/500W 共振轉換器參考設計
PMP41006 — 由 C2000™ 和 GaN 實現且具 CCM 圖騰柱 PFC 和電流模式 LLC 的 1-kW 參考設計
此參考設計將展示混合磁滯控制 (HHC) 方法，這是一種採用 C2000™ F28004x 微控制器之半橋 LLC 階段上的電流模式控制方式。硬體採用 TIDA-010062，這是 1-kW、80-Plus 鈦金屬、GaN CCM 圖騰柱免橋接 PFC 與半橋式 LLC 參考設計。針對混合磁滯控制新增獨立的感應卡，可在共振電容器上重新產生電壓。相較於單迴路電壓模式控制方法 (VMC)、HHC LLC 階段顯示較佳的暫態回應與簡單控制迴路設計。
PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 實現且具 CCM 圖騰柱 PFC 和電流模式 LLC 的 1.6-kW 參考設計
此參考設計將展示混合磁滯控制 (HHC) 方法，是配備 C2000 F28004x 微控制器的半橋 LLC 階段上之電流模式控制方式。硬體以 TIDA-010062 為基礎，為 1-kW、80 Plus 鈦金屬、GaN CCM 圖騰柱免橋接 PFC 與半橋式 LLC 參考設計。針對混合磁滯控制新增獨立感應卡，可在共振電容器上重新產生電壓。
相較於單迴路電壓模式控制 (VMC) 方法，HHC LLC 階段展示較佳的暫態回應與簡單控制迴路設計。
TIDA-010062 — 1-kW、80+ 鈦金，以及 GaN CCM 圖騰柱免橋接 PFC 和半橋接 LLC 搭配 LFU 參考設計
TIDM-02008 — 使用 C2000™ MCU 的雙向高密度 GaN CCM 圖騰柱 PFC
此參考設計為 3kW 雙向交錯式連續傳導模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 免橋接功率因數校正 (PFC) 功率級，使用 C2000™ 即時控制器和 LMG3410R070 氮化鎵 (GaN)，並具備整合式驅動器和防護功能。 此電源拓撲結構可進行雙向電源流動 (PFC 與併網型逆變器)，並使用 LMG341x GaN 裝置，可提升電源供應器的效率並縮小尺寸。此設計支援切相和適應性失效時間，以提升效率、在輕負載情況下提供改善功率因數的輸入電容方案，以及在 PFC 模式瞬態下降低電壓突波的非線性電壓迴路。此參考設計提供的軟硬體可加快上市時間。
TIDM-1007 — 高效率 GaN CCM 圖騰柱免橋接功率因數校正 (PFC) 參考設計
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RWH) | 32 | Ultra Librarian |
訂購與品質
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