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LMG2640

現行

具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 105mΩ GaN 半橋

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產品規格表

LMG2640

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產品詳細資料

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 105 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 105 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RRG) 40 63 mm² 9 x 7
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 105mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with low propagation delays
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side / high-side gate-drive interlock
  • High-side gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : < 8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
  • Over-temperature protection with FLT pin reporting
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 65µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 9×7mm QFN package with dual thermal pads
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 105mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with low propagation delays
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side / high-side gate-drive interlock
  • High-side gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : < 8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
  • Over-temperature protection with FLT pin reporting
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 65µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 9×7mm QFN package with dual thermal pads

The LMG2640 is a 650V GaN power-FET half bridge intended for switch mode power supply applications. The LMG2640 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9mm by 7mm QFN package.

The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2640 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down.

The LMG2640 is a 650V GaN power-FET half bridge intended for switch mode power supply applications. The LMG2640 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9mm by 7mm QFN package.

The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2640 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down.
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* Data sheet LMG2640 Integrated 650V GaN Half Bridge datasheet PDF | HTML 2024年 11月 4日

設計與開發

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子卡

LMG2640EVM-090 — LMG2640 子卡

LMG2640 子卡評估模組 (EVM) 專為提供快速簡單的平台所設計，可評估任何半橋拓撲結構中的 TI 整合式 GaN 裝置。此電路板的設計用途，在於使用電路板底部邊緣的六個電源針腳和 10 個數位針腳，來與大型系統介接。電源針腳構成主要切換迴路，包括高電壓 DC 匯流排、開關節點和電源接地。數位針腳使用 PWM 閘極輸入控制 LMG2640 裝置，以低電壓供應提供輔助電源，並以數位輸出方式回報故障狀況。使用 TI 的同步降壓/升壓主機板 (LMG342X-BB-EVM)，讓您以最輕鬆的方式示範評估 LMG2640EVM (...)

使用指南: PDF | HTML
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計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支援產品和硬體

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產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
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下載
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VQFN (RRG) 40 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

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