产品详细信息

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 9.2, 6.5 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 5, 8
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SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 工作温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kV
  • 隔离层寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可连接数字和模拟控制器
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可通过编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 电源定序快速禁用
  • 业界通用的宽体 SOIC-16 (DW) 封装
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 获得 CQC 认证,符合 GB4943.1-2011 标准
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  • 工作温度范围:–40°C 至 +125°C
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    • 19ns 典型传播延迟
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  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
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  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可连接数字和模拟控制器
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    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可通过编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 电源定序快速禁用
  • 业界通用的宽体 SOIC-16 (DW) 封装
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 获得 CQC 认证,符合 GB4943.1-2011 标准

UCC21520 和 UCC21520A 是隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500 VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚 在设为高电平时可同时关断两个输出,在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

每个器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。凭借 3V 至 18V 的宽输入电压 VCCI 范围,该驱动器非常适合连接模拟和数字控制器。所有 电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性,UCC21520 和 UCC21520A 可 在各类电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

UCC21520 和 UCC21520A 是隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500 VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚 在设为高电平时可同时关断两个输出,在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

每个器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。凭借 3V 至 18V 的宽输入电压 VCCI 范围,该驱动器非常适合连接模拟和数字控制器。所有 电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性,UCC21520 和 UCC21520A 可 在各类电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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设计和开发

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高功率三相功率因数(交流/直流)应用(例如非车载电动汽车 (EV) 充电器和电信整流器)中使用了 Vienna 整流器电源拓扑。此设计说明了如何使用 C2000™ MCU 控制功率级。此设计使用 HSEC180 controlCARD 接口,该软件支持 F2837x 或 F2838x 以及 F28004x 系列的 MCU。

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借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

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SOIC (DW) 16 了解详情

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