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产品详细信息

参数

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, MOSFET, GaNFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Enable/disable function Disable Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 9.2, 6.5 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

特性

  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 工作温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 5ns 最大脉宽失真度
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100 V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kV
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流,6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可连接数字和模拟控制器
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可通过编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和瞬态噪声
  • 可针对电源排序快速禁用
  • 符合行业标准的宽体 SOIC-16 (DW) 封装
  • 安全相关认证:
    • 8000VPK 增强型隔离,符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 获得 GB4943.1-2011 CQC 认证

All trademarks are the property of their respective owners.

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描述

UCC21520 和 UCC21520A是隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7 kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500 VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚在设为高电平时可同时关断两个输出,在悬空或接地时允许器件正常运行。作为一种故障安全机制,一次侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

每个器件支持高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 至 18V 的宽输入 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护。

凭借上述所有高级 特性,UCC21520 和 UCC21520A 能够满足各类电源 应用中对于高效率、高电源密度和稳健性的需求。

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功能和引脚相同,但与相比较的设备不等效:
UCC21540 正在供货 具有 3.3mm 通道到通道间距选项的增强型隔离式双通道栅极驱动器 This product is optimized for silicon MOSFETs .

技术文档

= 特色
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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
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白皮书 Cities grow smarter through innovative semiconductor technologies 2017年 7月 7日
更多文献资料 CQC Product Certificate 2016年 11月 4日
应用手册 UCC21520, a Universal Isolated Gate Driver with the Fastest Dynamic Response 2016年 7月 5日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本 (Rev.G)
$999.00
说明

高功率三相功率因数(交流/直流)应用中(例如非板载电动汽车 (EV) 充电和电信整流器)使用了 Vienna 整流器电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ 微控制器控制功率级的方法。此设计使用 HSEC180 controlCARD 接口并基于 C2000™ Delfino™ F2837x 系列微控制器。

了解有关 C2000 MCU 可以为电动汽车应用提供哪些功能的更多信息。

特性

硬件特性

  • 具有用于接受 HSEC180 controlCARD 的接口的 EVM
  • TMDSCNCD28379D:基于 TMS320F28379D HSEC180 的 controlCARD
    • 隔离式 XDS100v2 USB 转 JTAG 调试探针支持实时系统内编程和调试
  • 高于 98% 的峰值效率
  • 满负载和低压线路中小于 2% 的 THD
  • 采用三相 400Vac VL-L 输入的高达 2.4KW 设计

软件特性

  • 免费下载 Code Composer Studio IDE
  • 免费下载用于器件驱动程序和示例项目的 controlSUITE
  • 使用 powerSUITE 工具(解决方案适配器、SFRA 和补偿设计器)可轻松调整软件以及调节定制功率级
    • SFRA 可在设计的控制环路中实现电路内验证

开始使用

  • 阅读用户指南
  • 安装 controlSUITE
  • 导航至 C:\ti\controlSUITE\development_kits\TIDM_1000 以获取该 TI EVM 的所有硬件文件和软件示例
  • 在 TI C2000 E2E 社区论坛上提问
评估板 下载
document-generic 用户指南
$29.00
说明

UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW(一种具备 4A 源电流容量和 6A 峰值灌电流容量的隔离式双通道栅极驱动器)。此 EVM 可用作功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的驱动参考设计,具备 UCC21520 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。

特性
  • 使用 UCC21520 驱动高达 1200VDC 的 MOSFET、IGBT、SiC 的布局示例
  • 外设组件选择参考
  • 各引脚均在 PCB 布局中进行了扩展,具有引脚功能识别
  • PCB 板镂空有助于在初级侧和二级侧之间进行高压隔离测试
  • 两个输出通道间的最大爬电距离

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLUM543.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLUM544.ZIP (59 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLUM551.ZIP (23 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型 下载
SLUM552.TSC (168 KB) - TINA-TI Reference Design

参考设计

参考设计 下载
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TIDM-1000 高功率三相功率因数 (AC-DC) 应用中(例如非板载 EV 充电器和电信整流器)使用了 Vienna 整流器电源拓扑。整流器的控制设计可能很复杂。此设计说明了使用 C2000™ 微控制器 (MCU) 控制功率级的方法。还根据 HTTP GUI (...)
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document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本
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紧凑型半桥增强隔离式栅极驱动参考设计
TIDA-01159 TIDA-01159 设计针对 UPS 驱动功率级、逆变器、服务器和电信应用中使用的半桥隔离式栅极驱动器提供参考设计。该 TI 参考设计基于 TI 的 UCC21520 增强型隔离式栅极驱动器,能够驱动 MOSFET 和 (...)
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封装 引脚 下载
SOIC (DW) 16 视图选项

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