UCC21220

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适用于 MOSFET 和 GaNFET 的具有禁用引脚和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bus voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bus voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • 支持基本隔离和功能隔离
  • CMTI 大于 100V/ns
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 开关参数:
    • 40ns 最大传播延迟
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 5.5ns 最大脉宽失真
    • 35µs 最大 VDD 上电延迟
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 工作温度范围 (TA) = –40°C 至 125°C
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离(计划)
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证(计划)
  • 支持基本隔离和功能隔离
  • CMTI 大于 100V/ns
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
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    • 40ns 最大传播延迟
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 5.5ns 最大脉宽失真
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    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离(计划)
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证(计划)

UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在 PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率 MOSFET 和 GaNFET,借助超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI),可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。

这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联,以形成单个驱动器,由于具有一流的延迟匹配性能,因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。

保护特性包括以下几项:DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出;INA/B 引脚可抑制短于 5ns 的输入瞬态;输入和输出可以承受 –2V 的尖峰达 200ns,所有电源都具有欠压锁定 (UVLO) 功能,有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在 2.1V 以下。

凭借这些特性,这些器件可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在 PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率 MOSFET 和 GaNFET,借助超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI),可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。

这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联,以形成单个驱动器,由于具有一流的延迟匹配性能,因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。

保护特性包括以下几项:DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出;INA/B 引脚可抑制短于 5ns 的输入瞬态;输入和输出可以承受 –2V 的尖峰达 200ns,所有电源都具有欠压锁定 (UVLO) 功能,有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在 2.1V 以下。

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设计和开发

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评估板

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A/6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21220EVM-009 专为评估 UCC21220 而设计,后者是一款具有 4.0A 拉电流和 6.0A 峰值灌电流容量的 3.0kVRMS 隔离双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
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仿真模型

UCC21220AD PSpice Transient Model

SLUM649.ZIP (58 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21220AD Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM650.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21220D PSpice Transient Model

SLUM602.ZIP (51 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21220D Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM603.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具

SLURAZ5 UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0

支持的产品和硬件

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产品
隔离式栅极驱动器
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