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UCC21222

正在供货

具有禁用功能、可编程死区时间的基础型 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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open-in-new 比较替代产品
功能优于比较器件,可直接替换。
UCC21330 正在供货 具有禁用功能、可编程死区时间的基础型 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 Improved CMTI, faster VDD startup

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)
  • 通用:双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器

  • 结温范围:–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V、 VDD UVLO 选项
  • 开关参数:
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 安全相关认证(计划):
    • 4242VPK 隔离,符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
  • 通用:双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器

  • 结温范围:–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V、 VDD UVLO 选项
  • 开关参数:
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 安全相关认证(计划):
    • 4242VPK 隔离,符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

UCC21222 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。

UCC21222 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性,UCC21222 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

UCC21222 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。

UCC21222 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性,UCC21222 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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技术文档

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* 数据表 UCC21222 4A/6A 3kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024-11-4
* 用户指南 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019-4-25
证书 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026-6-11
证书 UCC21220 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023-8-16
应用简报 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022-11-14
证书 FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance 2021-10-26
白皮书 隔离式栅极驱动器的影响 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2021-4-14
应用简报 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020-4-29
应用简报 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020-4-29
测试报告 Peak Efficiency at 99%, 585-W High-Voltage Buck Reference Design 2020-4-24
证书 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019-7-22
应用简报 How to Drive High Voltage GaN FETs with UCC21220A 2019-3-6
应用手册 Common Mode Transient Immunity (CMTI) for UCC2122x Isolated Gate Drivers 2018-7-19
应用手册 Solar Inverter Layout Considerations for UCC21220 2018-6-6
白皮书 Demystifying high-voltage power electronics for solar inverters 2018-6-6
技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs PDF | HTML 2018-5-24

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A、6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21220EVM-009 旨在用于评估 UCC21220,后者是一款具备 4.0A 源极峰值电流和 6.0A 峰值沉降电流能力的 3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

SLURAZ5 — UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0

支持的产品和硬件
参考设计

PMP40500 — 54VDC 输入,12V、42A 输出半桥参考设计

这款 12V、42A 输出半桥参考设计适用于有线网络园区和分支交换机中的总线转换器。该设计具有高效率和各种故障保护功能(过流和短路)。该设计对使用 3kVRMS 基本和功能隔离式栅驱动器 UCC21220D、UCC21220AD、UCC21222D 和使用 5.7kRMS 增强型隔离式栅驱动器 UCC21540D、UCC21540DWK 及 UCC21541DW 的效率进行了比较。

支持的产品和硬件
参考设计

PMP41006 — 由 C2000™ 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1kW 参考设计

此参考设计在使用 C2000™ F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法,这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制,从而在谐振电容器上重新生成电压。与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比,该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。

支持的产品和硬件
参考设计

PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1.6kW 参考设计

此参考设计在使用 C2000 F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法,这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制,从而在谐振电容器上重新生成电压。

与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比,该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-010203 — 采用 C2000 和 GaN 的 4kW 单相图腾柱 PFC 参考设计

此参考设计是一款 4kW CCM 图腾柱 PFC,采用 F280049/F280025 控制卡和 LMG342x EVM 电路板。此设计展示了一个强大的 PFC 解决方案,它通过将控制器接地置于 MOSFET 桥臂的中间来避免隔离式电流感应。得益于非隔离特性,可以通过高速放大器 OPA607 来实现交流电流感应,从而帮助实现可靠的过电流保护。在此设计中,效率、热感图像、交流压降、雷电浪涌和 EMI CE 均进行了充分的验证。该参考设计具有完整的测试数据,显示了图腾柱 PFC 通过 C2000 和 GaN 具有更高的成熟度,并且是高效产品 PFC 级设计的良好研究平台。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 16 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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