产品详细信息

Number of channels (#) 1 Vin (Min) (V) 1.6 Vin (Max) (V) 5.5 Imax (A) 1.25 Ron (Typ) (mOhm) 90 Shutdown current (ISD) (Typ) (uA) 0.002 Quiescent current (Iq) (Typ) (uA) 8 Soft start Fixed Rise Time Rise time (Typ) (us) 1280 Current limit type Fixed Features Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Operating temperature range (C) -55 to 125
Number of channels (#) 1 Vin (Min) (V) 1.6 Vin (Max) (V) 5.5 Imax (A) 1.25 Ron (Typ) (mOhm) 90 Shutdown current (ISD) (Typ) (uA) 0.002 Quiescent current (Iq) (Typ) (uA) 8 Soft start Fixed Rise Time Rise time (Typ) (us) 1280 Current limit type Fixed Features Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Operating temperature range (C) -55 to 125
SOT-SC70 (DCK) 6 4 mm² 2 x 2.1
  • 提供供应商项目图,VID V62/22609
  • 电离辐射总剂量 (TID) 为 30krad(Si)
    • 每个晶圆批次的 TID RLAT(辐射批次验收测试):20krad (Si)
  • 确定了单粒子效应 (SEE)
    • 单粒子闩锁 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于有效线性能量传递 (LETEFF) 的抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 对于 LETEFF 的额定抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
  • 输入电压范围 (VIN):1.6 至 5.5V
  • 建议持续电流 (IMAX):1.25A
  • 导通电阻 (RON)
    • VIN = 5V 时典型值为 116mΩ
    • VIN = 3.3V 时典型值为 115mΩ
    • VIN = 1.8V 时典型值为 133mΩ
  • 输出短路保护 (ISC):3A(典型值)
  • 低功耗:
    • 导通状态 (IQ):8.3µA(典型值)
    • 关闭状态 (ISD):3nA(典型值)
  • 可限制浪涌电流的慢速导通时序 (tON):
    • 5V 时的 tON:3.61mV/µs 下为 1.68ms
    • 3.3V 时的 tON:2.91mV/µs 下为 1.51ms
    • 1.8V 时的 tON:2.15mV/µs 下为 1.32ms
  • 可调节输出放电和下降时间:
    • VIN = 3.3V 时内部 QOD 电阻= 9.2Ω(典型值)
  • 增强型航天塑料 (SEP)
    • 受控基线
    • 金键合线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 一个组装和测试基地
    • 一个制造基地
    • 军用级(-55°C 到 125°C)温度范围
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知 (PCN)
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型塑封实现低释气
  • 提供供应商项目图,VID V62/22609
  • 电离辐射总剂量 (TID) 为 30krad(Si)
    • 每个晶圆批次的 TID RLAT(辐射批次验收测试):20krad (Si)
  • 确定了单粒子效应 (SEE)
    • 单粒子闩锁 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于有效线性能量传递 (LETEFF) 的抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 对于 LETEFF 的额定抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
  • 输入电压范围 (VIN):1.6 至 5.5V
  • 建议持续电流 (IMAX):1.25A
  • 导通电阻 (RON)
    • VIN = 5V 时典型值为 116mΩ
    • VIN = 3.3V 时典型值为 115mΩ
    • VIN = 1.8V 时典型值为 133mΩ
  • 输出短路保护 (ISC):3A(典型值)
  • 低功耗:
    • 导通状态 (IQ):8.3µA(典型值)
    • 关闭状态 (ISD):3nA(典型值)
  • 可限制浪涌电流的慢速导通时序 (tON):
    • 5V 时的 tON:3.61mV/µs 下为 1.68ms
    • 3.3V 时的 tON:2.91mV/µs 下为 1.51ms
    • 1.8V 时的 tON:2.15mV/µs 下为 1.32ms
  • 可调节输出放电和下降时间:
    • VIN = 3.3V 时内部 QOD 电阻= 9.2Ω(典型值)
  • 增强型航天塑料 (SEP)
    • 受控基线
    • 金键合线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 一个组装和测试基地
    • 一个制造基地
    • 军用级(-55°C 到 125°C)温度范围
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知 (PCN)
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型塑封实现低释气

TPS7H2221-SEP 器件是一款压摆率可控的小型单通道负载开关。此器件包含一个可在 1.6V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 N 沟道 MOSFET,并且支持 1.25A 的最大持续电流。

开关导通状态由数字输入控制,此输入可与低压控制信号直接连接。首次加电时,此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空,直到系统定序完成。按计划将该引脚驱动为高电平 (VON>VIH) 之后,便会断开智能下拉电阻,以防止不必要的功率损耗。

TPS7H2221-SEP 负载开关也具有自保护特性,因此可保护自己免受输出短路事件的影响。

TPS7H2221-SEP 采用标准 SC-70 封装,工作环境温度范围为 -55°C 至 125°C。

TPS7H2221-SEP 器件是一款压摆率可控的小型单通道负载开关。此器件包含一个可在 1.6V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 N 沟道 MOSFET,并且支持 1.25A 的最大持续电流。

开关导通状态由数字输入控制,此输入可与低压控制信号直接连接。首次加电时,此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空,直到系统定序完成。按计划将该引脚驱动为高电平 (VON>VIH) 之后,便会断开智能下拉电阻,以防止不必要的功率损耗。

TPS7H2221-SEP 负载开关也具有自保护特性,因此可保护自己免受输出短路事件的影响。

TPS7H2221-SEP 采用标准 SC-70 封装,工作环境温度范围为 -55°C 至 125°C。

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技术文档

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS7H2221-SEP 抗辐射、5.5V、1.25A、115mΩ 负载开关 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 09 Nov 2022
* 辐射与可靠性报告 TPS7H2221-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 28 Sep 2022
* 辐射与可靠性报告 TPS7H2221-SEP Production Flow and Reliability Report 22 Sep 2022
* 辐射与可靠性报告 TPS7H2221-SEP Neutron Displacement (NDD) Characterization Report 18 Aug 2022
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设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

TPS7H2221EVM — 适用于 TPS7H2221 1.6V 至 5.5V 输入、1.25A 负载开关的评估模块

TPS7H2221 评估模块 (EVM) 演示了 TPS7H2221-SEP 负载开关的并联运行。此 EVM 允许将并联电路分成两个独立的单器件电路,并提供可组装额外无源器件的封装,以便对定制配置进行测试。

用户指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
仿真模型

TPS7H2221-SEP PSpice Transient Model

SLVMDX7.ZIP (21 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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