ZHCSPJ5A August   2022  – October 2022 TPS7H2221-SEP

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. Revision History
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Derating Curves
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Test Circuit and Timing Waveforms Diagrams
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 On and Off Control
      2. 8.3.2 Output Short Circuit Protection (ISC)
      3. 8.3.3 Fall Time (tFALL) and Quick Output Discharge (QOD)
        1. 8.3.3.1 QOD When System Power is Removed
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Limiting Inrush Current
        2. 9.2.2.2 Setting Fall Time for Shutdown Power Sequencing
        3. 9.2.2.3 Application Curves
    3. 9.3 Application Curves
    4. 9.4 Power Supply Recommendations
    5. 9.5 Layout
      1. 9.5.1 Layout Guidelines
      2. 9.5.2 Layout Example
  10. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Related Documentation
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 10.5 术语表
    6. 10.6 Export Control Notice
    7. 10.7 第三方产品免责声明
  11. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 提供供应商项目图,VID V62/22609
  • 电离辐射总剂量 (TID) 为 30krad(Si)
    • 每个晶圆批次的 TID RLAT(辐射批次验收测试):20krad (Si)
  • 确定了单粒子效应 (SEE)
    • 单粒子闩锁 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于有效线性能量传递 (LETEFF) 的抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 对于 LETEFF 的额定抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
  • 输入电压范围 (VIN):1.6 至 5.5V
  • 建议持续电流 (IMAX):1.25A
  • 导通电阻 (RON)
    • VIN = 5V 时典型值为 116mΩ
    • VIN = 3.3V 时典型值为 115mΩ
    • VIN = 1.8V 时典型值为 133mΩ
  • 输出短路保护 (ISC):3A(典型值)
  • 低功耗:
    • 导通状态 (IQ):8.3µA(典型值)
    • 关闭状态 (ISD):3nA(典型值)
  • 可限制浪涌电流的慢速导通时序 (tON):
    • 5V 时的 tON:3.61mV/μs 下为 1.68ms
    • 3.3V 时的 tON:2.91mV/μs 下为 1.51ms
    • 1.8V 时的 tON:2.15mV/μs 下为 1.32ms
  • 可调节输出放电和下降时间:
    • VIN = 3.3V 时内部 QOD 电阻= 9.2Ω(典型值)
  • 增强型航天塑料 (SEP)
    • 受控基线
    • 金键合线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 一个组装和测试基地
    • 一个制造基地
    • 军用级(-55°C 到 125°C)温度范围
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知 (PCN)
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型塑封实现低释气