产品详细信息

Vin (Min) (V) 3.2 Vin (Max) (V) 65 Number of channels (#) 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Integrated VDS clamp, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (Typ) (mA) 0.08 Iq (Max) (mA) 0.13 FET External single FET IGate source (Typ) (uA) 11000 IGate pulsed (Typ) (A) 2.3 Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) -11 Rating Automotive
Vin (Min) (V) 3.2 Vin (Max) (V) 65 Number of channels (#) 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Integrated VDS clamp, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (Typ) (mA) 0.08 Iq (Max) (mA) 0.13 FET External single FET IGate source (Typ) (uA) 11000 IGate pulsed (Typ) (A) 2.3 Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) -11 Rating Automotive
SOT-23-THN (DDF) 8 5 mm² 2.9 x 1.6
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
  • –33V 反向电压额定值
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
  • 20mV 阳极至阴极正向压降调节
  • 1µA 关断电流(EN = 低电平)
  • 80µA 工作静态电流(EN = 高电平)
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 快速响应反向电流阻断: < 0.75µs
  • 集成电池电压监控开关 (SW)
  • 符合汽车 ISO7637 瞬态要求,无需额外的输入 TVS 二极管(无 TVS)
  • 2.90mm × 1.60mm 8 引脚 SOT-23 封装
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
  • –33V 反向电压额定值
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
  • 20mV 阳极至阴极正向压降调节
  • 1µA 关断电流(EN = 低电平)
  • 80µA 工作静态电流(EN = 高电平)
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 快速响应反向电流阻断: < 0.75µs
  • 集成电池电压监控开关 (SW)
  • 符合汽车 ISO7637 瞬态要求,无需额外的输入 TVS 二极管(无 TVS)
  • 2.90mm × 1.60mm 8 引脚 SOT-23 封装

LM74701-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器,与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作,可作为理想二极管利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护。LM74701-Q1 适用于为 12V 汽车系统提供输入保护。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关断,并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断,因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。LM74701-Q1 具有独特的集成 VDS 钳位特性,能够帮助用户实现无 TVS 输入极性保护解决方案,并在受限的汽车系统中节省平均 60%(典型值)的 PCB 空间。

LM74701-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1µA 的电流。

LM74701-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器,与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作,可作为理想二极管利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护。LM74701-Q1 适用于为 12V 汽车系统提供输入保护。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关断,并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断,因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。LM74701-Q1 具有独特的集成 VDS 钳位特性,能够帮助用户实现无 TVS 输入极性保护解决方案,并在受限的汽车系统中节省平均 60%(典型值)的 PCB 空间。

LM74701-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1µA 的电流。

下载

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同但引脚有所不同。
NEW LM74721-Q1 正在供货 具有有源整流功能的汽车类无 TVS、低 IQ 反向电池保护理想二极管控制器 Ideal diode controller with ultra-low on IQ.

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 3
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LM74701-Q1 无 TVS 汽车电池反向保护理想二极管控制器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 2月 17日
模拟设计期刊 汽车反向电池保护设计中的 TVS-less PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2021年 10月 22日
用户指南 LM74701-Q1 EVM User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021年 9月 8日

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

LM74701Q1EVM — LM74701-Q1 具有集成 VDS 钳位的理想二极管控制器评估模块

LM74701-Q1 评估模块 (LM74701Q1EVM) 可帮助设计人员评估具有集成 VDS 钳位的 LM74701-Q1 理想二极管控制器的运行情况和性能。此评估模块展示了 N 沟道功率 MOSFET 如何利用低 IQ LM74701-Q1 控制器提供输入反向电压保护

用户指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
仿真模型

LM74701-Q1 PSpice Transient Model

SNOM717.ZIP (107 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
封装 引脚数 下载
SOT-23-THIN (DDF) 8 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频