ZHCUD52 July   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TPS7H5006-SEP
      2. 2.3.2 TPS7H6025-SEP
      3. 2.3.3 TPS7H1111-SEP
      4. 2.3.4 TPS7H4010-SEP
      5. 2.3.5 TPS73801-SEP
      6. 2.3.6 TPS7H3302-SEP
      7. 2.3.7 TPS7H3014-SEP
      8. 2.3.8 TPS7H2221-SEP
      9. 2.3.9 SN54SC6T14-SEP
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 0V8 分立式降压稳压器 (VCCINT)
      1. 3.1.1 VCCINT 负载阶跃
    2. 3.2 降压稳压器（集成）
      1. 3.2.1 1V2
      2. 3.2.2 1V2_VCCO
      3. 3.2.3 1V2_MEM
      4. 3.2.4 2V5_DDR_VPP
      5. 3.2.5 3V3_VCCO
    3. 3.3 线性稳压器
      1. 3.3.1 DDR 终端
      2. 3.3.2 0V92
      3. 3.3.3 1V5_GTY
      4. 3.3.4 1V5
      5. 3.3.5 5V0_SYS
    4. 3.4 时序控制
      1. 3.4.1 TPS7H3014-SP 序列发生器
      2. 3.4.2 TPS7H2221-SEP 放电电路
      3. 3.4.3 VCCINT 放电电路
  10. 4硬件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
    2. 4.2 测试设置
    3. 4.3 测试结果
      1. 4.3.1 分立式降压稳压器 (VCCINT)
        1. 4.3.1.1 0V8
      2. 4.3.2 降压稳压器（集成）
        1. 4.3.2.1 1V2
        2. 4.3.2.2 1V2_VCCO
        3. 4.3.2.3 1V2_MEM
        4. 4.3.2.4 2V5_DDR_VPP
        5. 4.3.2.5 3V3_VCCO
      3. 4.3.3 线性稳压器
        1. 4.3.3.1 0V6_VTT
        2. 4.3.3.2 0V92
        3. 4.3.3.3 1V5_GTY
        4. 4.3.3.4 1V5
        5. 4.3.3.5 5V0_SYS
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 BOM
      3. 5.1.3 布局图
    2. 5.2 文档支持
    3. 5.3 支持资源
    4. 5.4 商标
  12. 6作者简介

2.2 设计注意事项

使用表 1-1 中所述的时序控制和负载，将按照 表 2-1 中所述创建电源树。

表 2-1 电源树规格
电源轨序列 电源轨名称 器件 总电源轨设计电流(1) 负载 预期最大负载电流
0(2) 5V0_SYS TPS73801-SEP 50mA 序列发生器上拉 10mA
TPS7H2221 输入 0.2mA
SN54SC6T14-SEP 输入 15mA
1 3V3_VCCO TPS7H4010-SEP 6A Versal HDIO 和 PSIO 4A
TPS7H1111-SEP 偏置电源轨 81mA
TPS7H3302-SEP VDD 30mA
2V5_DDR_VPP TPS7H4010-SEP 3A DDR_VPP 0.1A
1V5 的 TPS7H1111-SEP 输入 1.5A
1V5_GTY 的 TPS7H1111-SEP 输入 0.2A
1V2_MEM TPS7H4010-SEP 6A DDR_VDDQ 3A
TPS7H3302-SEP VLDOIN 3A
1V2_VCCO TPS7H4010-SEP 4A Versal XPIO 2A
0V92 的 TPS7H1111-SEP 输入 1A
VTT (0V6) TPS7H3302-SEP ±3A DDR4_VTT ±3A
VTTREF (0V6) ±10mA DDR4_VTTREF ±10mA
2 0V80

TPS7H5006-SEP

TPS7H6025-SEP

5xEPC7019G

 44A

Versal VCCINT 和相关电源轨

 44A
3 1V5 TPS7H1111-SEP 1.5A Versal VCCAUX_SMON 和 VCCAUX_PMC 1.5A
4 0V92 TPS7H1111-SEP 1A Versal VGTYP_AVCC 0.8A
5 1V5_GTY TPS7H1111-SEP 0.2A Versal VGTY_AVCCAUX 0.1A
6 1V2 TPS7H4010-SEP 2A Versal VGTY_AVTT 和 VGTY_AVTTRCAL 1.3A
(1) 这是最大设计电流，由于增加设计裕度，该电流可能大于预期的负载电流。
(2) 这不是时序控制的一部分，一旦施加 12V0_SYS，电源轨就会立即升压。

此设计使用额定电离辐射总剂量 (TID) 至少为 20krad (Si) 的抗辐射器件，单粒子效应 (SEE) 至少为 43MeV-cm2/mg。这些额定值为许多近地轨道 (LEO) 卫星电源系统提供了理想选择。为了满足更高的辐射需求，许多 TI 器件都采用耐辐射等效产品。