ZHCUD52 July   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TPS7H5006-SEP
      2. 2.3.2 TPS7H6025-SEP
      3. 2.3.3 TPS7H1111-SEP
      4. 2.3.4 TPS7H4010-SEP
      5. 2.3.5 TPS73801-SEP
      6. 2.3.6 TPS7H3302-SEP
      7. 2.3.7 TPS7H3014-SEP
      8. 2.3.8 TPS7H2221-SEP
      9. 2.3.9 SN54SC6T14-SEP
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 0V8 分立式降压稳压器 (VCCINT)
      1. 3.1.1 VCCINT 负载阶跃
    2. 3.2 降压稳压器（集成）
      1. 3.2.1 1V2
      2. 3.2.2 1V2_VCCO
      3. 3.2.3 1V2_MEM
      4. 3.2.4 2V5_DDR_VPP
      5. 3.2.5 3V3_VCCO
    3. 3.3 线性稳压器
      1. 3.3.1 DDR 终端
      2. 3.3.2 0V92
      3. 3.3.3 1V5_GTY
      4. 3.3.4 1V5
      5. 3.3.5 5V0_SYS
    4. 3.4 时序控制
      1. 3.4.1 TPS7H3014-SP 序列发生器
      2. 3.4.2 TPS7H2221-SEP 放电电路
      3. 3.4.3 VCCINT 放电电路
  10. 4硬件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
    2. 4.2 测试设置
    3. 4.3 测试结果
      1. 4.3.1 分立式降压稳压器 (VCCINT)
        1. 4.3.1.1 0V8
      2. 4.3.2 降压稳压器（集成）
        1. 4.3.2.1 1V2
        2. 4.3.2.2 1V2_VCCO
        3. 4.3.2.3 1V2_MEM
        4. 4.3.2.4 2V5_DDR_VPP
        5. 4.3.2.5 3V3_VCCO
      3. 4.3.3 线性稳压器
        1. 4.3.3.1 0V6_VTT
        2. 4.3.3.2 0V92
        3. 4.3.3.3 1V5_GTY
        4. 4.3.3.4 1V5
        5. 4.3.3.5 5V0_SYS
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 BOM
      3. 5.1.3 布局图
    2. 5.2 文档支持
    3. 5.3 支持资源
    4. 5.4 商标
  12. 6作者简介

2.3.2 TPS7H6025-SEP

TPS7H6025-SEP 是一款抗辐射的 GaN FET 栅极驱动器，专为高频、高效率和高电流应用而设计。TPS7H6025-SEP 是 TPS7H60x5 系列栅极驱动器的一部分，其中包括 TPS7H6005（200V 额定值）、TPS7H6015（60V 额定值）和 TPS7H6025（22V 额定值）。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能提供驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

此设计中使用 TPS7H6025-SEP 来驱动 GaN FET，该 FET 是用于高电流 VCCINT 轨的降压稳压器的一部分。耐辐射 TPS7H60x5-SP 还采用 QMLP 塑料封装。此外，耐辐射 TPS7H60x3-SP 采用 QMLV 陶瓷封装。