ZHCUD04 May   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 术语
    2. 1.2 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 输入电容器选型
      2. 2.2.2 直流侧
      3. 2.2.3 交流侧
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TMDSCNCD28P55X - controlCARD 评估模块
        1. 2.3.1.1 硬件特性
        2. 2.3.1.2 软件功能
      2. 2.3.2 LMG2100R026 - 100V、53A GaN 半桥功率级
      3. 2.3.3 LMG365xR035 - 具有集成式驱动器和保护功能的 650V 35mΩ GaN FET
      4. 2.3.4 TMCS1123 - 具有增强型隔离的精密 250kHz 霍尔效应电流传感器
      5. 2.3.5 TMCS1133 - 具有增强型隔离的精密 1MHz 霍尔效应电流传感器
      6. 2.3.6 INA185 - 26V、350kHz 双向高精度电流检测放大器
      7. 2.3.7 LM5164 – 具有超低 IQ 的 100V 输入、1A 同步直流/直流降压转换器
      8. 2.3.8 ISO6762 – EMC 性能优异的通用六通道增强型数字隔离器
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 光伏逆变器的隔离
    2. 3.2 拓扑概述
    3. 3.3 控制理论
      1. 3.3.1 单相移和扩展相移调制技术
      2. 3.3.2 零电压开关和循环电流
      3. 3.3.3 优化的控制方法
      4. 3.3.4 死区时间补偿
      5. 3.3.5 频率调制
      6. 3.3.6 控制器方框图
    4. 3.4 MPPT 和输入电压纹波
  10. 4硬件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
    2. 4.2 测试设置
      1. 4.2.1 电路板检查
      2. 4.2.2 直流-直流测试
      3. 4.2.3 直流-交流测试
    3. 4.3 测试结果
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 BOM
    2. 5.2 工具与软件
    3. 5.3 文档支持
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标
  12. 6作者简介

2.3.2 LMG2100R026 - 100V、53A GaN 半桥功率级

LMG2100R026 器件是一款 93V 连续 100V 脉冲式 53A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 GaN FET，采用半桥配置，由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。因为 GaN FET 的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都极小，所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。驱动器和两个 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R026 器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术，可使增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用，该器件是理想之选。