ZHCUD04 May   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 术语
    2. 1.2 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 输入电容器选型
      2. 2.2.2 直流侧
      3. 2.2.3 交流侧
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TMDSCNCD28P55X - controlCARD 评估模块
        1. 2.3.1.1 硬件特性
        2. 2.3.1.2 软件功能
      2. 2.3.2 LMG2100R026 - 100V、53A GaN 半桥功率级
      3. 2.3.3 LMG365xR035 - 具有集成式驱动器和保护功能的 650V 35mΩ GaN FET
      4. 2.3.4 TMCS1123 - 具有增强型隔离的精密 250kHz 霍尔效应电流传感器
      5. 2.3.5 TMCS1133 - 具有增强型隔离的精密 1MHz 霍尔效应电流传感器
      6. 2.3.6 INA185 - 26V、350kHz 双向高精度电流检测放大器
      7. 2.3.7 LM5164 – 具有超低 IQ 的 100V 输入、1A 同步直流/直流降压转换器
      8. 2.3.8 ISO6762 – EMC 性能优异的通用六通道增强型数字隔离器
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 光伏逆变器的隔离
    2. 3.2 拓扑概述
    3. 3.3 控制理论
      1. 3.3.1 单相移和扩展相移调制技术
      2. 3.3.2 零电压开关和循环电流
      3. 3.3.3 优化的控制方法
      4. 3.3.4 死区时间补偿
      5. 3.3.5 频率调制
      6. 3.3.6 控制器方框图
    4. 3.4 MPPT 和输入电压纹波
  10. 4硬件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
    2. 4.2 测试设置
      1. 4.2.1 电路板检查
      2. 4.2.2 直流-直流测试
      3. 4.2.3 直流-交流测试
    3. 4.3 测试结果
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 BOM
    2. 5.2 工具与软件
    3. 5.3 文档支持
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标
  12. 6作者简介

2.3.3 LMG365xR035 - 具有集成式驱动器和保护功能的 650V 35mΩ GaN FET

LMG365xR035 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。可调栅极驱动器强度允许独立地控制导通和最大关断压摆率，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。导通压摆率可以在 10V/ns 至 100V/ns 内变化，而关断压摆率可以根据负载电流的大小限制为 10V/ns 至最大值。保护特性包括欠压锁定 (UVLO) 逐周期过流限制、短路和过热保护。LMG3651R035 在 LDO5V 引脚上提供 5V LDO 输出，可用于为外部数字隔离器供电。LMG3656R035 包含零电压检测 (ZVD) 功能，可在实现零电压开关时提供来自 ZVD 引脚的脉冲输出。LMG3657R035 包含零电流检测 (ZCD) 功能，可在漏源电流为负时将 ZCD 引脚设置为高电平，并在检测到过零点时转换为低电平。