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ZHCUCJ3A October 2024 – December 2024

TIEVM-MTR-HVINV 实现有两个冗余过流保护 (OCP) 电路。首先，外部比较器能够向三相逆变器报告过流故障。其次，子板 MCU 能够通过使用内部比较器报告过流故障。如果任一 OCP 机制报告故障，则三相逆变器和 MCU 都会转换到故障状态。系统将保持处于故障状态，直到手动清除该状态。

图 2-12 展示了外部 OCP 电路。该电路会将三个电流相求和，然后将该和与参考值进行比较。如果三相电流之和超过参考值，则“IPM_CIN”信号进行切换，并且 IPM 向微控制器报告过流故障。确切的过流保护电流可以通过以下公式计算。⁽¹⁾

首先，基准电压 V_- 通过分压器从 3.3V 电源轨生成。

方程式 7.

V_{-} = 3.3 V \times \frac{R_{108}}{R_{107} + R_{108}} = 3.3 V \times \frac{1 k}{20 k + 1 k} = 0.15714 V

接下来，请注意从任何 IPM 相到结点 U10₊ 的电阻为 5.12kΩ。在此情况下，其中两个相（例如，V 和 W）约为 0A，而第三个相 (U) 出现电流尖峰并触发 OCP 电路。因此，请考虑将 R_V 和 R_w 并联。

方程式 8.

R_{U} = R_{V} = R_{W} = R_{87} + R_{8} = 5.12 k

方程式 9.

R_{V | | W} = {(\frac{1}{R_{V}} + \frac{1}{R_{W}})}^{- 1} = {(\frac{2}{5.12 k})}^{- 1} = 2.56 k

结点 U10₊ 处的电压可以称为 V₊。V₊ 通过相对于 IPM 每个相的电压（V_U、V_V、V_W）的分压生成。请注意，V_v 和 V_W 均假设为 0V，因为 I_V 和 I_W 均声明等于或接近 0A。

方程式 10.

V_{+} = (V_{U} - V_{VW}) \times \frac{R_{V | | W}}{R_{U} + R_{V | | W}} = V_{U} \times \frac{R_{V | | W}}{R_{U} + R_{V | | W}}

方程式 11.

V_{+} = V_{U} \times \frac{R_{V | | W}}{R_{U} + R_{V | | W}} = V_{U} \times \frac{2.56 k}{5.12 k + 2.56 k} = \frac{V_{U}}{3}

V_U 还定义为过流事件期间，分流电阻 R_shunt 上的电压。

方程式 12.

V_{U} = R_{shunt} \times I_{OCP} = 0.05 \times I_{OCP}

要触发 OCP 电路，V₊ 必须大于或等于基准电压 V_-。

方程式 13.

V_{+} = \frac{0.05 \times I_{OCP}}{3} \geq V_{-}

方程式 14.

I_{ocp} \geq \frac{V_{-}}{(\frac{0.05}{3})} = \frac{0.15714}{(\frac{0.05}{3})} = 9.42857 A

图 2-12 外部过流保护电路

电路板的某些版本可能对外部电路具有更高的 OCP 限制。在这些情况下，内部 (CMPSS) 保护仍会按照预期级别完全正常运行。更多信息，请参阅节 6.1。