ZHCUBV7 March   2024

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 PFC 电感设计
      2. 2.2.2 LMG3622 中 CS 引脚的配置
      3. 2.2.3 AHB 拓扑和 VCC 设计
      4. 2.2.4 用于 AHB 拓扑的 LMG2610
    3. 2.3 主要产品
      1. 2.3.1 UCC28056
      2. 2.3.2 LMG3622
      3. 2.3.3 LMG2610
  9. 3硬件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
      1. 3.3.1 开关波形
        1. 3.3.1.1 PFC 级上的开关波形
        2. 3.3.1.2 AHB 级上的开关波形
      2. 3.3.2 效率测试结果
      3. 3.3.3 热测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
      3. 4.1.3 布局打印 [可选部分]
    2. 4.2 工具
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5作者简介

2.2.4 用于 AHB 拓扑的 LMG2610

AHB 是一种为系统提供 ZVS 的半桥拓扑。通过采用适当的设计，系统可以在约 50% 占空比下以较低的 RMS 电流运行，这意味着导通损耗更低。最佳实践是选择一个 CO(TR) 较低的较高 RDS(on) 器件来优化设计。

在系统启动之前，系统必须打开低侧器件，以便为高侧自举电容器充电并复位 CRES。当系统启动时，输出电压为 0V，这意味着磁电感可以仿真为短路，系统总电感仅为 LRES。如果 CRES 未正确放电，系统会承受高复位电流。系统必须将主开关器件置于高侧。

GUID-20231218-SS0I-V7LJ-MHX0-VD07XLTTRKKM-low.svg图 2-6 启动期间的 AHB 等效电路

在器件内具有较低电流限值的较高 RDS(on) 器件有助于限制 CRES 的充电电压，这可降低低侧的复位电流。图 2-7 显示了启动电流的波形。通道设置为：

  • Ch1：U102 的 SW 电压 (LMG2610)
  • CH4：变压器电流
GUID-20231214-SS0I-2VDN-NN2S-3CZPC4PXSWLQ-low.svg图 2-7 VOUT 设置为 28V 且负载电流为 5A 时的启动波形

在图 2-7 中，高侧器件较低的电流限值可防止在系统启动期间对 CRES 充电过快。

在系统稳定之前，低侧复位电流高于静态状态。选择较低的 RDS(on)，以防止触发 OCP 并正确复位 CRES。

图 2-8 展示选择了较低的 RDS(on)，以防止触发 OCP 并正确复位 CRES。

GUID-20231214-SS0I-G3F5-ZTBR-D21GDKJ5JXSW-low.svg图 2-8 VOUT 设置为 28V 且负载电流为 5A 时的启动波形

在这种情况下，LMG2610 与 AHB 拓扑非常匹配，高侧的 RDS(on) 较高 (248mΩ)，低侧的阻抗较低 (170mΩ)，可平衡性能和成本。