ZHCUBV7 March   2024

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 PFC 电感设计
      2. 2.2.2 LMG3622 中 CS 引脚的配置
      3. 2.2.3 AHB 拓扑和 VCC 设计
      4. 2.2.4 用于 AHB 拓扑的 LMG2610
    3. 2.3 主要产品
      1. 2.3.1 UCC28056
      2. 2.3.2 LMG3622
      3. 2.3.3 LMG2610
  9. 3硬件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
      1. 3.3.1 开关波形
        1. 3.3.1.1 PFC 级上的开关波形
        2. 3.3.1.2 AHB 级上的开关波形
      2. 3.3.2 效率测试结果
      3. 3.3.3 热测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
      3. 4.1.3 布局打印 {可选部分}
    2. 4.2 工具
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5作者简介

LMG2610

GUID-20221003-SS0I-HVJS-SCGB-KJJSLTGM5G2N-low.svg图 2-11 LMG2610 功能方框图

LMG2610 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥 GaN HEMT、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器,简化了设计、减少了元件数量并减小了布板空间。

非对称 GaN HEMT 电阻针对 AHB 工作条件进行了优化。可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。

高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部设计中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降,可避免高侧电源过充,并且反向恢复电荷为零。

LMG2610 具有低静态电流和快速启动时间,支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

  • 650V GaN HEMT 半桥
  • 170mΩ 低侧和 248mΩ 高侧 GaN HEMT
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 低侧/高侧栅极驱动互锁
  • 高侧栅极驱动信号电平转换器
  • 智能开关自举二极管功能
  • 低侧/高侧逐周期过流保护
  • AUX 空闲静态电流:240μA
  • AUX 待机静态电流:50μA
  • BST 空闲静态电流:60μA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
  • 具有双散热焊盘的 9mm × 7mm QFN 封装