ZHCUBV7 March 2024
LMG2610 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥 GaN HEMT、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器,简化了设计、减少了元件数量并减小了布板空间。
非对称 GaN HEMT 电阻针对 AHB 工作条件进行了优化。可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。
高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部设计中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降,可避免高侧电源过充,并且反向恢复电荷为零。
LMG2610 具有低静态电流和快速启动时间,支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。