在建议运行条件下(除非另有说明)
| 参数 |
测试条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
| 通用 |
| CVDDIO(1)(2) |
每个引脚的 VDDIO 电容(5) |
|
0.1 |
|
|
uF |
| CVDDA(1)(2) |
每个引脚的 VDDA 电容(5) |
|
2.2 |
|
|
uF |
| SRVDD33(3) |
3.3V 电源轨(VDDIO、VDDA)的电源电压斜升速率 |
|
3 |
|
100 |
mV/us |
| VBOR-VDDIO-GB(4) |
VDDIO 欠压复位电压保护带 |
|
|
0.1 |
|
V |
(1) 还应使用大容量电容器。去耦电容的确切值取决于为这些引脚供电的系统电压调节解决方案。
(2) 建议将 3.3V 电压轨(VDDIO、VDDA)连接在一起并由单电源供电。
(3) 请参阅电源压摆率 一节。电源斜坡速率高于最大值会触发片上 ESD 保护。
(4) TI 建议使用 VBOR-VDDIO-GB,避免由于正常电源噪声或 3.3V VDDIO 系统稳压器上的负载瞬态事件而导致 BOR-VDDIO 复位。要防止在器件正常运行期间激活 BOR-VDDIO,良好的系统稳压器设计和去耦电容(符合系统稳压器规格)非常重要。VBOR-VDDIO-GB 的值是一个系统级设计注意事项;此处列出的电压是许多应用的典型值。
(5) 最大电容器容差应为 20%。