10 修订历史记录
All Revision History Changes Intro HTMLSeptember 9, 2025 to October 22, 2025 (from RevisionA (September 2025)to RevisionB (October 2025))
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特性 部分:将 ADC 速度从 9.4MSPS 更改为 8.9MSPS。Go
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器件比较 部分:将 ADC 速度从 68.75ns/9.4MSPS 更改为 112.36ns/8.9MSPS。Go
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器件比较 部分:删除了“内部 3.3V 至 1.2V 稳压器 (VREG)”表格行。Go
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电源和接地 表:向 VDD3VFL、VDDA、VDDIO 和 VDDOSC 的说明中添加了“将该引脚连接到 3.3V 电源”。Go
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GPIO 和 ADC 分配 表:将“F2800135V”更改为“64 VPM”。Go
- 将 30 度环境下的典型 VDDIO 工作模式电流消耗从 32mA 更改为 28mAGo
- 将 30 度环境下的典型 VDDA 工作模式电流消耗从 2.5mA 更改为 3.3mAGo
- 将 125 度环境下的最大 VDDA 工作模式电流消耗从 6.5mA 更改为 7mAGo
- 将 125 度环境下的最大 VDDIO 空闲模式电流消耗从 27mA 更改为 29mAGo
- 将 30 度环境下的典型 VDDA 空闲模式电流消耗从 0.01mA 更改为 2.5mAGo
- 将 125 度环境下的最大 VDDA 待机模式(PLL 已启用)电流消耗从 0.1mA 更改为 4.0mAGo
- 将 30 度环境下的典型 VDDIO 复位模式电流消耗从 8mA 更改为 12.5mAGo
- 将 30 度环境下的典型 VDDA 复位模式电流消耗从 0.01mA 更改为 1mAGo
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电流消耗图 部分:更新了数字。Go
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电流消耗图 部分:新增了该部分Go
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PMM 方框图:更新了图。Go
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外部监控器使用情况 部分:更新了部分,删除提到的 VDD 内容。Go
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内部上电序列 部分:更新了标题和部分,删除提到的 VDD 和 VREG 内容。Go
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内部上电序列摘要 表:更新了标题,删除提到的 VDD 内容。Go
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建议运行条件对 PMM 的适用性 部分:更新了部分,删除提到的 VREG 内容。Go
- 将最小电源斜升率从 20mV/us 更改为 3mV/usGo
- 将上电时间从 350us 更改为 40usGo
- 将浪涌电流从 80mA 更改为 45mAGo
- 将电源斜升后的 XRSn 释放延迟从 40us 更改为 320usGo
- 将 VDDIO BOR 事件后的 XRSn 释放延迟从 40us 更改为 360usGo
- 将 VDDIO POR 事件后的 XRSn 释放延迟从 120us 更改为 440usGo
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上电复位图:删除了图中的 VDD。Go
- 将最大 PLL 锁定时间从 15us 更改为 786*tC(OSCLK) usGo
- 将最低 INTCLK 频率从 2MHz 更改为 4MHzGo
- 将最高 INTCLK 频率从 20MHz 更改为 25MHzGo
- 将最低 VCOCLK 频率从 220MHz 更改为 160MHzGo
- 将最高 VCOCLK 频率从 600MHz 更改为 400MHzGo
- 将最低 PLLRAWCLK 频率从 6MHz 更改为 5MHzGo
- 将最高 PLLRAWCLK 频率从 240MHz 更改为 200MHzGo
- 更改了标称 PLL 应急频率计算公式Go
- 将最小 LSPCLK 周期从 8.33ns 更改为 6.25nsGo
- 添加了 WROSC 频率表Go
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RAM 规格 部分:新增了该部分Go
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ROM 规格 部分:新增了该部分Go
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参考汇总表:将 CONFIG8 位字段名称替换为了 ANAREFSEL。Go
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模数转换器 (ADC) 部分:更新了“每个 ADC 都具有以下特性”下的要点。Go
- 将 ADCCLK 转换周期从 11 个 ADCCLK 更改为 12 个 ADCCLKGo
- 将 2.5V 基准电压下的典型 VREFHI 输入电流从 40uA 更改为 200uAGo
- 将 1.65V 基准电压下的典型 VREFHI 输入电流从 40uA 更改为 130uAGo
- 将典型增益误差(采用外部基准)从 +/-3LSB 更改为最小值 -5LSBGo
- 将典型增益误差(采用外部基准)从 +/-3LSB 更改为最大值 5LSBGo
- 将典型失调电压误差从 +/-2LSB 更改为最小值 -5LSBGo
- 将典型失调电压误差从 +/-2LSB 更改为最大值 5LSBGo
- 将典型 DNL 误差从 -0.999 至 1LSB 更改为最小值 >-1LSBGo
- 将典型 DNL 误差从 -0.999 至 1LSB 更改为最大值 1LSBGo
- 将典型 INL 误差更改为最小值和最大值Go
- 将典型 THD 从 -80dB 更改为 -77dBGo
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每个引脚的 ADC 性能 部分:新增了该部分Go
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48 引脚 PT LQFP 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
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32 引脚 RHB VQFN 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
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32 引脚 VFC LQFP 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
- 将 1 倍增益下的最小迟滞电压从 2mV 更改为 1mVGo
- 将 2 倍增益下的最小迟滞电压从 8mV 更改为 7mVGo
- 将 3 倍增益下的最小迟滞电压从 15mV 更改为 14mVGo
- 将 4 倍增益下的最小迟滞电压从 20mV 更改为 19mVGo
- 将 5 倍增益下的最小迟滞电压从 26mV 更改为 25mVGo
- 将 6 倍增益下的最小迟滞电压从 32mV 更改为 31mVGo
- 将 7 倍增益下的最小迟滞电压从 38mV 更改为 37mVGo
- 将最小静态 INL 从 -5LSB 更改为 -7LSBGo
- 将最大静态 INL 从 5LSB 更改为 7LSBGo
- 将负载调整率从典型值 +/- 1mV/V 更改为最小值 -1mV/VGo
- 将负载调整率从典型值 +/- 1mV/V 更改为最大值 1mV/VGo
- 添加了电压输出压摆率最小值Go
- 将电压输出压摆率典型值从 2.5V/us 更改为 4.5V/usGo
- 添加了电压输出压摆率最大值Go
- 将负载瞬态趋稳时间最大值从 700ns 更改为 750nsGo
- 添加了失调电压误差最小值Go
- 删除了失调电压误差典型值Go
- 添加了失调电压误差最大值Go
- 添加了 DNL 最小值Go
- 删除了 DNL 典型值Go
- 添加了 DNL 最大值Go
- 添加了 INL 最小值Go
- 删除了 INL 典型值Go
- 添加了 INL 最大值Go
- 更改了所有增益下的最小 ADC S+H 趋稳时间Go
- 将增益为 2/-1 时的典型 Ria 值从 14kOhms 更改为 16kOhmsGo
- 将增益为 4/-3 时的典型 Ria 值从 7kOhms 更改为 8kOhmsGo
- 将增益为 2/-1 时的典型 Rib 值从 14kOhms 更改为 16kOhmsGo
- 将增益为 4/-3 时的典型 Rib 值从 21kOhms 更改为 24kOhmsGo
- 更改了增益从 2,-1 至 32,-31 的最小和最大增益误差Go
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eQEP 方框图:更新了图Go
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闪存存储器映射 表:从“器件型号”列中删除了 F2800135V。Go
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直接存储器存取 (DMA) 部分:添加了有关 DMA 存取受 EALLOW 保护的外设寄存器的注释。Go
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直接存储器存取 (DMA):更新了图表和“DMA 特性包括”列表,以添加对 PGA 和 CMPSS 外设寄存器的存取权限。在方框图中添加了来自 C28x 的软件触发器作为触发源。Go
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卷带包装 章节:向“卷带包装”表中添加了 32VFC 和 48PT 器件。Go
Timestamp Revision History Changes Intro HTMLJuly 27, 2025 to September 8, 2025
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卷带包装信息章节:添加了 XF28E120SBTRHBRGo