ZHCSYO8B July   2025  – October 2025 F28E120SB , F28E120SC

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 器件比较
    1. 4.1 相关产品
  6. 引脚配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性
    3. 5.3 信号说明
      1. 5.3.1 模拟信号
      2. 5.3.2 数字信号
      3. 5.3.3 电源和接地
      4. 5.3.4 测试、JTAG 和复位
    4. 5.4 引脚多路复用
      1. 5.4.1 GPIO 多路复用引脚
      2. 5.4.2 ADC 引脚上的数字输入 (AIO)
      3. 5.4.3 ADC 引脚上的数字输入和输出 (AGPIO)
      4. 5.4.4 GPIO 输入 X-BAR
      5. 5.4.5 GPIO 输出 X-BAR 和 PWM X-BAR
      6. 5.4.6 GPIO 和 ADC 分配
    5. 5.5 带有内部上拉和下拉的引脚
    6. 5.6 未使用引脚的连接
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  功耗摘要
      1. 6.4.1 系统电流消耗 - 内部电源
      2. 6.4.2 工作模式测试说明
      3. 6.4.3 电流消耗图
      4. 6.4.4 减少电流消耗
    5. 6.5  电气特性
    6. 6.6  PT 封装的热阻特性
    7. 6.7  VFC 封装的热阻特性
    8. 6.8  RHB 封装的热阻特性
    9. 6.9  散热设计注意事项
    10. 6.10 系统
      1. 6.10.1  电源管理模块 (PMM)
        1. 6.10.1.1 引言
        2. 6.10.1.2 概述
          1. 6.10.1.2.1 电源轨监视器
            1. 6.10.1.2.1.1 I/O POR(上电复位)监视器
            2. 6.10.1.2.1.2 I/O BOR(欠压复位)监视器
          2. 6.10.1.2.2 外部监控器使用情况
          3. 6.10.1.2.3 延迟块
        3. 6.10.1.3 外部元件
          1. 6.10.1.3.1 去耦电容器
            1. 6.10.1.3.1.1 VDDIO 去耦
        4. 6.10.1.4 电源时序
          1. 6.10.1.4.1 电源引脚联动
          2. 6.10.1.4.2 信号引脚电源序列
          3. 6.10.1.4.3 电源引脚电源序列
            1. 6.10.1.4.3.1 内部 上电序列
            2. 6.10.1.4.3.2 电源时序摘要和违规影响
            3. 6.10.1.4.3.3 电源压摆率
        5. 6.10.1.5 建议运行条件对 PMM 的适用性
        6. 6.10.1.6 电源管理模块电气数据和时序
          1. 6.10.1.6.1 电源管理模块运行条件
          2. 6.10.1.6.2 电源管理模块特性
      2. 6.10.2  复位时序
        1. 6.10.2.1 复位源
        2. 6.10.2.2 复位电气数据和时序
          1. 6.10.2.2.1 复位 - XRSn - 时序要求
          2. 6.10.2.2.2 复位 - XRSn - 开关特性
          3. 6.10.2.2.3 复位时序图
      3. 6.10.3  时钟规格
        1. 6.10.3.1 时钟源
        2. 6.10.3.2 时钟频率、要求和特性
          1. 6.10.3.2.1 输入时钟频率和时序要求,PLL 锁定时间
            1. 6.10.3.2.1.1 输入时钟频率
            2. 6.10.3.2.1.2 XTAL 振荡器特性
            3. 6.10.3.2.1.3 X1 时序要求
            4. 6.10.3.2.1.4 PLL 特性
            5. 6.10.3.2.1.5 XCLKOUT 开关特性 - 旁路或启用 PLL
            6. 6.10.3.2.1.6 内部时钟频率
        3. 6.10.3.3 输入时钟和 PLL
        4. 6.10.3.4 XTAL 振荡器
          1. 6.10.3.4.1 引言
          2. 6.10.3.4.2 概述
            1. 6.10.3.4.2.1 电子振荡器
              1. 6.10.3.4.2.1.1 运行模式
                1. 6.10.3.4.2.1.1.1 晶体的工作模式
                2. 6.10.3.4.2.1.1.2 单端工作模式
              2. 6.10.3.4.2.1.2 XCLKOUT 上的 XTAL 输出
            2. 6.10.3.4.2.2 石英晶体
          3. 6.10.3.4.3 正常运行
            1. 6.10.3.4.3.1 ESR – 有效串联电阻
            2. 6.10.3.4.3.2 Rneg - 负电阻
            3. 6.10.3.4.3.3 启动时间
              1. 6.10.3.4.3.3.1 X1/X2 前提条件
            4. 6.10.3.4.3.4 DL – 驱动电平
          4. 6.10.3.4.4 如何选择晶体
          5. 6.10.3.4.5 测试
          6. 6.10.3.4.6 常见问题和调试提示
          7. 6.10.3.4.7 晶体振荡器规格
            1. 6.10.3.4.7.1 晶体振荡器参数
            2. 6.10.3.4.7.2 晶振等效串联电阻 (ESR) 要求
            3. 6.10.3.4.7.3 晶体振荡器电气特性
        5. 6.10.3.5 内部振荡器
          1. 6.10.3.5.1 系统振荡器 SYSOSC
          2. 6.10.3.5.2 宽范围振荡器 WROSC
      4. 6.10.4  闪存参数
        1. 6.10.4.1 闪存参数 
      5. 6.10.5  RAM 规格
      6. 6.10.6  ROM 规格
      7. 6.10.7  仿真/JTAG
        1. 6.10.7.1 JTAG 电气数据和时序
          1. 6.10.7.1.1 JTAG 时序要求
          2. 6.10.7.1.2 JTAG 开关特性
          3. 6.10.7.1.3 JTAG 时序图
        2. 6.10.7.2 cJTAG 电气数据和时序
          1. 6.10.7.2.1 cJTAG 时序要求
          2. 6.10.7.2.2 cJTAG 开关特性
          3. 6.10.7.2.3 cJTAG 时序图
      8. 6.10.8  GPIO 电气数据和时序
        1. 6.10.8.1 GPIO - 输出时序
          1. 6.10.8.1.1 通用输出开关特征
          2. 6.10.8.1.2 通用输出时序图
        2. 6.10.8.2 GPIO - 输入时序
          1. 6.10.8.2.1 通用输入时序要求
          2. 6.10.8.2.2 采样模式
        3. 6.10.8.3 输入信号的采样窗口宽度
      9. 6.10.9  中断
        1. 6.10.9.1 外部中断 (XINT) 电气数据和时序
          1. 6.10.9.1.1 外部中断时序要求
          2. 6.10.9.1.2 外部中断开关特性
          3. 6.10.9.1.3 外部中断时序
      10. 6.10.10 低功耗模式
        1. 6.10.10.1 时钟门控低功耗模式
        2. 6.10.10.2 低功耗模式唤醒时序
          1. 6.10.10.2.1 空闲模式时序要求
          2. 6.10.10.2.2 空闲模式开关特性
          3. 6.10.10.2.3 空闲进入和退出时序图
          4. 6.10.10.2.4 STANDBY 模式时序要求
          5. 6.10.10.2.5 待机模式开关特征
          6. 6.10.10.2.6 待机进入和退出时序图
          7. 6.10.10.2.7 停机模式时序要求
          8. 6.10.10.2.8 停机模式开关特征
          9. 6.10.10.2.9 停机模式进入和退出时序图
    11. 6.11 模拟外设
      1. 6.11.1 模拟引脚和内部连接
      2. 6.11.2 模数转换器 (ADC)
        1. 6.11.2.1 ADC 可配置性
          1. 6.11.2.1.1 信号模式
        2. 6.11.2.2 ADC 电气数据和时序
          1. 6.11.2.2.1 ADC 运行条件
          2. 6.11.2.2.2 ADC 特性
          3. 6.11.2.2.3 ADC INL 和 DNL
          4. 6.11.2.2.4 每个引脚的 ADC 性能
          5. 6.11.2.2.5 ADC 输入模型
          6. 6.11.2.2.6 ADC 时序图
      3. 6.11.3 比较器子系统 (CMPSS_LITE)
        1. 6.11.3.1 COMPDACOUT
        2. 6.11.3.2 CMPSS 连接图
        3. 6.11.3.3 方框图
        4. 6.11.3.4 CMPSS 电气数据和时序
          1. 6.11.3.4.1 CMPSS_LITE 比较器电气特性
          2.        CMPSS 比较器以输入为基准的偏移量和迟滞
          3. 6.11.3.4.2 CMPSS_LITE DAC 静态电气特性
          4. 6.11.3.4.3 CMPSS 示意图
          5. 6.11.3.4.4 CMPx_LITE_DACL 缓冲输出的运行条件
          6. 6.11.3.4.5 CMPx_LITE_DACL 缓冲输出的电气特性
      4. 6.11.4 可编程增益放大器 (PGA)
        1. 6.11.4.1 PGA 电气数据和时序
          1. 6.11.4.1.1 PGA 运行条件
          2. 6.11.4.1.2 PGA 特性
      5. 6.11.5 温度传感器
        1. 6.11.5.1 温度传感器电气数据和时序
          1. 6.11.5.1.1 温度传感器特性
    12. 6.12 控制外设
      1. 6.12.1 多通道脉宽调制器 (MCPWM)
        1. 6.12.1.1 控制外设同步
        2. 6.12.1.2 MCPWM 电气数据和时序
          1. 6.12.1.2.1 MCPWM 时序要求
          2. 6.12.1.2.2 MCPWM 开关特性
          3. 6.12.1.2.3 跳闸区输入时序
            1. 6.12.1.2.3.1 PWM 高阻态特征时序图
      2. 6.12.2 外部 ADC 转换启动电气数据和时序
        1. 6.12.2.1 外部 ADC 转换启动开关特性
        2. 6.12.2.2 ADCSOCAO 或ADCSOCBO 时序图
      3. 6.12.3 增强型正交编码器脉冲 (eQEP)
        1. 6.12.3.1 eQEP 电气数据和时序
          1. 6.12.3.1.1 eQEP 时序要求
          2. 6.12.3.1.2 eQEP 开关特性
      4. 6.12.4 增强型捕获 (eCAP)
        1. 6.12.4.1 eCAP 方框图
        2. 6.12.4.2 eCAP 同步
        3. 6.12.4.3 eCAP 电气数据和时序
          1. 6.12.4.3.1 eCAP 开关特性
    13. 6.13 通信外设
      1. 6.13.1 内部集成电路 (I2C)
        1. 6.13.1.1 I2C 电气数据和时序
          1. 6.13.1.1.1 I2C 时序要求
          2. 6.13.1.1.2 I2C 开关特性
          3. 6.13.1.1.3 I2C 时序图
      2. 6.13.2 通用异步接收器/发送器 (UART)
      3. 6.13.3 串行外设接口 (SPI)
        1. 6.13.3.1 SPI 控制器模式时序
          1. 6.13.3.1.1 SPI 控制器模式时序要求
          2. 6.13.3.1.2 SPI 控制器模式开关特性 - 时钟相位为 0
          3. 6.13.3.1.3 SPI 控制器模式开关特性 - 时钟相位为 1
          4. 6.13.3.1.4 SPI 控制器模式时序图
        2. 6.13.3.2 SPI 外设模式时序
          1. 6.13.3.2.1 SPI 外设模式时序要求
          2. 6.13.3.2.2 SPI 外设模式开关特性
          3. 6.13.3.2.3 SPI 外设模式时序图
      4. 6.13.4 串行通信接口 (SCI)
  8. 详细说明
    1. 7.1  概述
    2. 7.2  存储器
      1. 7.2.1 C28x 存储器映射
        1. 7.2.1.1 专用 RAM (Mx RAM)
      2. 7.2.2 闪存映射
      3. 7.2.3 外设寄存器内存映射
    3. 7.3  标识
    4. 7.4  C28x 处理器
      1. 7.4.1 浮点单元 (FPU)
    5. 7.5  直接存储器存取 (DMA)
    6. 7.6  器件引导模式
      1. 7.6.1 器件引导配置
        1. 7.6.1.1 配置引导模式引脚
        2. 7.6.1.2 配置引导模式表选项
      2. 7.6.2 GPIO 分配
    7. 7.7  安全性
      1. 7.7.1 保护芯片边界
        1. 7.7.1.1 JTAGLOCK
        2. 7.7.1.2 零引脚引导
      2. 7.7.2 双区域安全
      3. 7.7.3 免责声明
    8. 7.8  看门狗
    9. 7.9  C28x 计时器
    10. 7.10 双时钟比较器 (DCC)
      1. 7.10.1 特性
      2. 7.10.2 DCCx 时钟源中断的映射
  9. 应用、实施和布局
    1. 8.1 典型应用
      1. 8.1.1 参考设计
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
    2. 9.2 标识
    3. 9.3 工具与软件
    4. 9.4 文档支持
    5. 9.5 支持资源
    6. 9.6 商标
    7. 9.7 静电放电警告
    8. 9.8 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1.     卷带包装信息

修订历史记录

All Revision History Changes Intro HTMLSeptember 9, 2025 to October 22, 2025 (from RevisionA (September 2025)to RevisionB (October 2025))

  • 特性 部分:将 ADC 速度从 9.4MSPS 更改为 8.9MSPS。Go
  • 器件比较 部分:将 ADC 速度从 68.75ns/9.4MSPS 更改为 112.36ns/8.9MSPS。Go
  • 器件比较 部分:删除了“内部 3.3V 至 1.2V 稳压器 (VREG)”表格行。Go
  • 电源和接地 表:向 VDD3VFL、VDDA、VDDIO 和 VDDOSC 的说明中添加了“将该引脚连接到 3.3V 电源”。Go
  • GPIO 和 ADC 分配 表:将“F2800135V”更改为“64 VPM”。Go
  • 将 30 度环境下的典型 VDDIO 工作模式电流消耗从 32mA 更改为 28mAGo
  • 将 30 度环境下的典型 VDDA 工作模式电流消耗从 2.5mA 更改为 3.3mAGo
  • 将 125 度环境下的最大 VDDA 工作模式电流消耗从 6.5mA 更改为 7mAGo
  • 将 125 度环境下的最大 VDDIO 空闲模式电流消耗从 27mA 更改为 29mAGo
  • 将 30 度环境下的典型 VDDA 空闲模式电流消耗从 0.01mA 更改为 2.5mAGo
  • 将 125 度环境下的最大 VDDA 待机模式(PLL 已启用)电流消耗从 0.1mA 更改为 4.0mAGo
  • 将 30 度环境下的典型 VDDIO 复位模式电流消耗从 8mA 更改为 12.5mAGo
  • 将 30 度环境下的典型 VDDA 复位模式电流消耗从 0.01mA 更改为 1mAGo
  • 电流消耗图 部分:更新了数字。Go
  • 电流消耗图 部分:新增了该部分Go
  • PMM 方框图:更新了图。Go
  • 外部监控器使用情况 部分:更新了部分,删除提到的 VDD 内容。Go
  • 内部上电序列 部分:更新了标题和部分,删除提到的 VDD 和 VREG 内容。Go
  • 内部上电序列摘要 表:更新了标题,删除提到的 VDD 内容。Go
  • 建议运行条件对 PMM 的适用性 部分:更新了部分,删除提到的 VREG 内容。Go
  • 将最小电源斜升率从 20mV/us 更改为 3mV/usGo
  • 将上电时间从 350us 更改为 40usGo
  • 将浪涌电流从 80mA 更改为 45mAGo
  • 将电源斜升后的 XRSn 释放延迟从 40us 更改为 320usGo
  • 将 VDDIO BOR 事件后的 XRSn 释放延迟从 40us 更改为 360usGo
  • 将 VDDIO POR 事件后的 XRSn 释放延迟从 120us 更改为 440usGo
  • 上电复位图:删除了图中的 VDD。Go
  • 将最大 PLL 锁定时间从 15us 更改为 786*tC(OSCLK) usGo
  • 将最低 INTCLK 频率从 2MHz 更改为 4MHzGo
  • 将最高 INTCLK 频率从 20MHz 更改为 25MHzGo
  • 将最低 VCOCLK 频率从 220MHz 更改为 160MHzGo
  • 将最高 VCOCLK 频率从 600MHz 更改为 400MHzGo
  • 将最低 PLLRAWCLK 频率从 6MHz 更改为 5MHzGo
  • 将最高 PLLRAWCLK 频率从 240MHz 更改为 200MHzGo
  • 更改了标称 PLL 应急频率计算公式Go
  • 将最小 LSPCLK 周期从 8.33ns 更改为 6.25nsGo
  • 添加了 WROSC 频率表Go
  • RAM 规格 部分:新增了该部分Go
  • ROM 规格 部分:新增了该部分Go
  • 参考汇总表:将 CONFIG8 位字段名称替换为了 ANAREFSEL。Go
  • 模数转换器 (ADC) 部分:更新了“每个 ADC 都具有以下特性”下的要点。Go
  • 将 ADCCLK 转换周期从 11 个 ADCCLK 更改为 12 个 ADCCLKGo
  • 将 2.5V 基准电压下的典型 VREFHI 输入电流从 40uA 更改为 200uAGo
  • 将 1.65V 基准电压下的典型 VREFHI 输入电流从 40uA 更改为 130uAGo
  • 将典型增益误差(采用外部基准)从 +/-3LSB 更改为最小值 -5LSBGo
  • 将典型增益误差(采用外部基准)从 +/-3LSB 更改为最大值 5LSBGo
  • 将典型失调电压误差从 +/-2LSB 更改为最小值 -5LSBGo
  • 将典型失调电压误差从 +/-2LSB 更改为最大值 5LSBGo
  • 将典型 DNL 误差从 -0.999 至 1LSB 更改为最小值 >-1LSBGo
  • 将典型 DNL 误差从 -0.999 至 1LSB 更改为最大值 1LSBGo
  • 将典型 INL 误差更改为最小值和最大值Go
  • 将典型 THD 从 -80dB 更改为 -77dBGo
  • 每个引脚的 ADC 性能 部分:新增了该部分Go
  • 48 引脚 PT LQFP 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
  • 32 引脚 RHB VQFN 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
  • 32 引脚 VFC LQFP 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
  • 将 1 倍增益下的最小迟滞电压从 2mV 更改为 1mVGo
  • 将 2 倍增益下的最小迟滞电压从 8mV 更改为 7mVGo
  • 将 3 倍增益下的最小迟滞电压从 15mV 更改为 14mVGo
  • 将 4 倍增益下的最小迟滞电压从 20mV 更改为 19mVGo
  • 将 5 倍增益下的最小迟滞电压从 26mV 更改为 25mVGo
  • 将 6 倍增益下的最小迟滞电压从 32mV 更改为 31mVGo
  • 将 7 倍增益下的最小迟滞电压从 38mV 更改为 37mVGo
  • 将最小静态 INL 从 -5LSB 更改为 -7LSBGo
  • 将最大静态 INL 从 5LSB 更改为 7LSBGo
  • 将负载调整率从典型值 +/- 1mV/V 更改为最小值 -1mV/VGo
  • 将负载调整率从典型值 +/- 1mV/V 更改为最大值 1mV/VGo
  • 添加了电压输出压摆率最小值Go
  • 将电压输出压摆率典型值从 2.5V/us 更改为 4.5V/usGo
  • 添加了电压输出压摆率最大值Go
  • 将负载瞬态趋稳时间最大值从 700ns 更改为 750nsGo
  • 添加了失调电压误差最小值Go
  • 删除了失调电压误差典型值Go
  • 添加了失调电压误差最大值Go
  • 添加了 DNL 最小值Go
  • 删除了 DNL 典型值Go
  • 添加了 DNL 最大值Go
  • 添加了 INL 最小值Go
  • 删除了 INL 典型值Go
  • 添加了 INL 最大值Go
  • 更改了所有增益下的最小 ADC S+H 趋稳时间Go
  • 将增益为 2/-1 时的典型 Ria 值从 14kOhms 更改为 16kOhmsGo
  • 将增益为 4/-3 时的典型 Ria 值从 7kOhms 更改为 8kOhmsGo
  • 将增益为 2/-1 时的典型 Rib 值从 14kOhms 更改为 16kOhmsGo
  • 将增益为 4/-3 时的典型 Rib 值从 21kOhms 更改为 24kOhmsGo
  • 更改了增益从 2,-1 至 32,-31 的最小和最大增益误差Go
  • eQEP 方框图:更新了图Go
  • 闪存存储器映射 表:从“器件型号”列中删除了 F2800135V。Go
  • 直接存储器存取 (DMA) 部分:添加了有关 DMA 存取受 EALLOW 保护的外设寄存器的注释。Go
  • 直接存储器存取 (DMA):更新了图表和“DMA 特性包括”列表,以添加对 PGA 和 CMPSS 外设寄存器的存取权限。在方框图中添加了来自 C28x 的软件触发器作为触发源。Go
  • 卷带包装 章节:向“卷带包装”表中添加了 32VFC 和 48PT 器件。Go

Timestamp Revision History Changes Intro HTMLJuly 27, 2025 to September 8, 2025

  • 卷带包装信息章节:添加了 XF28E120SBTRHBRGo