ZHCSQL1A May   2022  – December 2025 DP83TC813R-Q1 , DP83TC813S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 诊断工具套件
        1. 7.3.1.1 信号质量指示器
        2. 7.3.1.2 静电放电检测
        3. 7.3.1.3 时域反射法
        4. 7.3.1.4 电压感测
        5. 7.3.1.5 BIST 和环回模式
          1. 7.3.1.5.1 数据生成器和校验器
          2. 7.3.1.5.2 xMII 环回
          3. 7.3.1.5.3 PCS 环回
          4. 7.3.1.5.4 数字环回
          5. 7.3.1.5.5 模拟环回
          6. 7.3.1.5.6 反向环回
      2. 7.3.2 合规性测试模式
        1. 7.3.2.1 测试模式 1
        2. 7.3.2.2 测试模式 2
        3. 7.3.2.3 测试模式 4
        4. 7.3.2.4 测试模式 5
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  断电
      2. 7.4.2  复位
      3. 7.4.3  待机
      4. 7.4.4  正常
      5. 7.4.5  睡眠确认
      6. 7.4.6  睡眠请求
      7. 7.4.7  睡眠失败
      8. 7.4.8  睡眠
      9. 7.4.9  唤醒
      10. 7.4.10 TC10 系统示例
      11. 7.4.11 媒体相关接口
        1. 7.4.11.1 100BASE-T1 主模式和 100BASE-T1 从模式配置
        2. 7.4.11.2 自动极性检测和校正
        3. 7.4.11.3 Jabber 检测
        4. 7.4.11.4 交错检测
      12. 7.4.12 MAC 接口
        1. 7.4.12.1 媒体独立接口
        2. 7.4.12.2 简化媒体独立接口
        3. 7.4.12.3 简化千兆位媒体独立接口
        4. 7.4.12.4 串行千兆位媒体独立接口
      13. 7.4.13 串行管理接口
        1. 7.4.13.1 直接寄存器访问
        2. 7.4.13.2 扩展寄存器空间访问
        3. 7.4.13.3 写入操作（无后增量）
        4. 7.4.13.4 读取操作（无后增量）
        5. 7.4.13.5 写入操作（有后增量）
        6. 7.4.13.6 读取操作（有后增量）
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 搭接配置
      2. 7.5.2 LED 配置
      3. 7.5.3 PHY 地址配置
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 寄存器访问汇总
    2. 8.2 DP83TC813 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
        1. 9.2.1.1 物理媒体连接
          1. 9.2.1.1.1 共模扼流圈建议
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
        1. 9.4.1.1 信号布线
        2. 9.4.1.2 返回路径
        3. 9.4.1.3 金属浇注
        4. 9.4.1.4 PCB 层堆叠
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 社区资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.6 时序要求

参数 测试条件 最小值 标称值 最大值 单位
MII 时序
T1.1 TX_CLK 高电平/低电平时间 16 20 24 ns
T1.2 TX_D[3:0]，TX_ER、TX_EN 设置为 TX_CLK 10 ns
T1.3 TX_D[3:0]，来自 TX_CLK 的 TX_ER、TX_EN 保持 0 ns
T2.1 RX_CLK 高电平/低电平时间 16 20 24 ns
T2.2 RX_D[3:0]、RX_ER、RX_DV 相对于 RX_CLK 上升的延迟时间 10 30 ns
RMII 主模式时序
T3.1 RMII 主模式时钟周期 20 ns
RMII 主时钟占空比 35 65 %
T3.2 TX_D[1:0]、TX_ER、TX_EN 相对于 RMII 主时钟的建立时间 4 ns
T3.3 TX_D[1:0]、TX_ER、TX_EN 相对于 RMII 主时钟的保持时间 2 ns
T3.4 RX_D[1:0]、RX_ER、CRS_DV 相对于 RMII 主时钟上升沿的延迟时间 4 10 14 ns
RMII 从模式时序
T3.1 输入基准时钟周期 20 ns
基准时钟占空比 35 65 %
T3.2 TX_D[1:0]、TX_ER、TX_EN 设置，到 XI 时钟上升 4 ns
T3.3 TX_D[1:0]、TX_ER、TX_EN 保持，从 XI 时钟上升 2 ns
T3.4 RX_D[1:0]、RX_ER、CRS_DV 延迟，从 XI 时钟上升 4 14 ns
RGMII 输入时序
Tcyc 时钟周期时长 TX_CLK 36 40 44 ns
Tsetup(align) TX_D[3:0]、TX_CTRL 相对于 TX_CLK 的建立时间（对齐模式） 1 2 ns
Thold(align) TX_D[3:0]、TX_CLK 相对于 TX_CTRL 的保持时间（对齐模式） 1 2 ns
RGMII 输出时序
Tskew(align) RX_D[3:0]，RX_CLK 后的 RX_CTRL 延迟（已启用对齐模式） 在 PHY 引脚上 -750 750 ps
Tsetup(shift) RX_D[3:0]、RX_CTRL 相对于 RX_CLK 的延迟（移位模式
启用，默认设置）		 在 PHY 引脚上 2 ns
Tcyc 时钟周期时长 RX_CLK 36 40 44 ns
Duty_G 占空比 RX_CLK 45 50 55 %
Tr/Tf 上升/下降时间（20% 至 80%） CLOAD = 5pF 1.2 ns
SMI 时序
T4.1 MDC 至 MDIO（输出）延迟时间 25pF 负载电容 0 40 ns
T4.2 MDIO（输入）至 MDC 建立时间 10 ns
T4.3 MDIO（输入）至 MDC 保持时间 10 ns
MDC 频率 2.5 20 MHz
上电时序
T5.1 电源斜坡时间：适用于除 VSLEEP 以外的所有电源 (1) 0.2 8 ms
T5.1 电源斜坡时间：针对 VSLEEP(1) 0.4 8 ms
T5.3 XTAL 启动/稳定：加电至 XI 良好/稳定 0.35 ms
T5.4 从上电到振荡器稳定的时间 10 ms
最后一次电源上电到复位释放 10 ms
T5.5 上电后至 SMI 就绪：为寄存器访问发送 MDC 前导码之前所需的上电后等待时间 10 ms
T5.6 上电至配置 (strap) 锁存 10 ms
T5.7 CLKOUT 启动/稳定：加电至 CLKOUT 良好/稳定 10 ms
T5.8 上电至空闲流 10 ms
复位时序 (RESET_N)
T6.1 复位脉冲宽度：能够复位的最小复位脉冲宽度 720 ns
T6.2 重置为 SMI 就绪：为寄存器访问发送 MDC 前导码之前所需的复位后等待时间 1 ms
T6.3 重置为配置 (strap) 锁存：硬件配置引脚转换为输出驱动器 40 µs
T6.4 复位为空闲流 1800 µs
唤醒请求和唤醒脉冲时序
T7.1 本地唤醒脉冲持续时间 40 µs
T7.2 本地唤醒至 INH 转换 40 µs
T7.3 基于能量检测的唤醒脉冲持续时间 0.7 ms
T7.4 基于能量检测的唤醒至 INH 转换 0.7 ms
T7.5 基于能量检测的唤醒至 WAKE 转发脉冲 1.4 ms
发送延迟时序
TX_EN 置位的 MII 上升沿 TX_CLK 至 MD 上的 SSD 符号 205 233 ns
RMII 从模式上升沿 XI 时钟在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符号 374 409 ns
RMII 主模式上升沿时钟在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符号 382 408 ns
TX_CTRL 置位的 RGMII 上升沿 TX_CLK 至 MDI 上的 SSD 符号 370 390 ns
SGMII 的第一个符号至 MDI 上的 SSD 符号 420 456 ns
接收延迟时序
MDI 上的 SSD 符号到 RX_DV 置位的 RX_CLK 的 MII 上升沿 467 491 ns
MDI 上的 SSD 符号到 CRS_DV 置位的 XI 时钟从模式 RMII 上升沿 527 574 ns
MDI 上的 SSD 符号到 CRS_DV 置位的主时钟的主 RMII 上升沿 521 557 ns
MDI 上的 SSD 符号至 RX_CTRL 已置位 RGMII RX_CLK 的上升沿 484 511 ns
MDI 上的 SSD 符号至 SGMII 的第一个符号 708 788 ns
25MHz 振荡器要求
频率容差 -100 +100 ppm
上升/下降时间 (10%-90%) 8 ns
抖动容差 (RMS) 25 ps
外部时钟模式下的 XI 占空比 40 60 %
50MHz 振荡器要求
频率 50 MHz
频率容差及稳定性与温度及老化之间的关系 -100 100 ppm
上升/下降时间 (10% - 90%) 4 ns
占空比 35 65 %
25MHz 晶振要求
频率 25 MHz
频率容差及稳定性与温度及老化之间的关系 -100 100 ppm
等效串联电阻 100 Ω
输出时钟时序 (25MHz)
频率 (PPM) -100 100 -
占空比 40 60 %
上升时间 5000 ps
下降时间 5000 ps
抖动（短期） 1000 ps
频率 25 MHz
(1) 对于斜坡速率超过 8ms 的电源，在最后一个电源稳定后，需要一个复位脉冲。