ZHCSQL1A May   2022  – December 2025 DP83TC813R-Q1 , DP83TC813S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 诊断工具套件
        1. 7.3.1.1 信号质量指示器
        2. 7.3.1.2 静电放电检测
        3. 7.3.1.3 时域反射法
        4. 7.3.1.4 电压感测
        5. 7.3.1.5 BIST 和环回模式
          1. 7.3.1.5.1 数据生成器和校验器
          2. 7.3.1.5.2 xMII 环回
          3. 7.3.1.5.3 PCS 环回
          4. 7.3.1.5.4 数字环回
          5. 7.3.1.5.5 模拟环回
          6. 7.3.1.5.6 反向环回
      2. 7.3.2 合规性测试模式
        1. 7.3.2.1 测试模式 1
        2. 7.3.2.2 测试模式 2
        3. 7.3.2.3 测试模式 4
        4. 7.3.2.4 测试模式 5
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  断电
      2. 7.4.2  复位
      3. 7.4.3  待机
      4. 7.4.4  正常
      5. 7.4.5  睡眠确认
      6. 7.4.6  睡眠请求
      7. 7.4.7  睡眠失败
      8. 7.4.8  睡眠
      9. 7.4.9  唤醒
      10. 7.4.10 TC10 系统示例
      11. 7.4.11 媒体相关接口
        1. 7.4.11.1 100BASE-T1 主模式和 100BASE-T1 从模式配置
        2. 7.4.11.2 自动极性检测和校正
        3. 7.4.11.3 Jabber 检测
        4. 7.4.11.4 交错检测
      12. 7.4.12 MAC 接口
        1. 7.4.12.1 媒体独立接口
        2. 7.4.12.2 简化媒体独立接口
        3. 7.4.12.3 简化千兆位媒体独立接口
        4. 7.4.12.4 串行千兆位媒体独立接口
      13. 7.4.13 串行管理接口
        1. 7.4.13.1 直接寄存器访问
        2. 7.4.13.2 扩展寄存器空间访问
        3. 7.4.13.3 写入操作（无后增量）
        4. 7.4.13.4 读取操作（无后增量）
        5. 7.4.13.5 写入操作（有后增量）
        6. 7.4.13.6 读取操作（有后增量）
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 搭接配置
      2. 7.5.2 LED 配置
      3. 7.5.3 PHY 地址配置
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 寄存器访问汇总
    2. 8.2 DP83TC813 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
        1. 9.2.1.1 物理媒体连接
          1. 9.2.1.1.1 共模扼流圈建议
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
        1. 9.4.1.1 信号布线
        2. 9.4.1.2 返回路径
        3. 9.4.1.3 金属浇注
        4. 9.4.1.4 PCB 层堆叠
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 社区资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.5 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
符合 100BASE-T1 PMA 标准
VOD-MDI 输出差分电压 RL(diff) = 100Ω 2.2 V
RMDI-Diff 集成差分输出终端 TRD_P 和 TRD_M 100 Ω
自举直流特性（2 级）
VMODE1 模式 1 配置电压范围  VDDIO = 3.3V±10%，2 级配置 0 0.8 V
VMODE2 模式 2 配置电压范围 VDDIO = 3.3V±10%，2 级配置 2 VDDIO V
VMODE1 模式 1 配置电压范围  VDDIO = 2.5V±10%，2 级配置 0 0.7 V
VMODE2 模式 2 配置电压范围 VDDIO = 2.5V±10%，2 级配置 1.5 VDDIO V
VMODE1 模式 1 配置电压范围  VDDIO = 1.8V±10%，2 级配置 0 0.35 × VDDIO V
VMODE2 模式 2 配置电压范围 VDDIO = 1.8V±10%，2 级配置 0.65 × VDDIO VDDIO V
自举直流特性（3 级）
VMODE1 模式 1 配置电压范围 VDDIO = 3.3V±10%，3 级配置 0 0.18 × VDDIO V
VMODE2 模式 2 配置电压范围 VDDIO = 3.3V±10%，3 级配置 0.22 × VDDIO 0.42 × VDDIO V
VMODE3 模式 3 配置电压范围 VDDIO = 3.3V±10%，3 级配置 0.46 × VDDIO  VDDIO V
VMODE1 模式 1 配置电压范围 VDDIO = 2.5V±10%，3 级配置 0 0.19 × VDDIO V
VMODE2 模式 2 配置电压范围 VDDIO = 2.5V±10%，3 级配置 0.27 × VDDIO 0.41 × VDDIO V
VMODE3 模式 3 配置电压范围 VDDIO = 2.5V±10%，3 级配置 0.58 × VDDIO  VDDIO V
VMODE1 模式 1 配置电压范围 VDDIO = 1.8V±10%，3 级配置 0 0.35 × VDDIO V
VMODE2 模式 2 配置电压范围 VDDIO = 1.8V±10%，3 级配置 0.40 × VDDIO 0.75 × VDDIO V
VMODE3 模式 3 配置电压范围 VDDIO = 1.8V±10%，3 级配置 0.84 × VDDIO  VDDIO V
IO 特性
VIH 高电平输入电压 VDDIO = 3.3V ±10% 2 V
VIL 低电平输入电压 VDDIO = 3.3V ±10% 0.8 V
VOH 高电平输出电压 IOH =-2mA、VDDIO = 3.3V ±10% 2.4 V
VOL 低电平输出电压 IOL= 2mA、VDDIO = 3.3V ±10% 0.4 V
VIH 高电平输入电压 VDDIO = 2.5V ±10% 1.7 V
VIL 低电平输入电压 VDDIO = 2.5V ±10% 0.7 V
VOH 高电平输出电压 IOH =-2mA、VDDIO = 2.5V ±10% 2 V
VOL 低电平输出电压 IOL= 2mA、VDDIO = 2.5V ±10% 0.4 V
VIH 高电平输入电压 VDDIO = 1.8V ±10% 0.65 × VDDIO V
VIL 低电平输入电压 VDDIO = 1.8V ±10% 0.35 × VDDIO V
VOH 高电平输出电压 IOH =-2mA、VDDIO = 1.8V ±10% VDDIO-0.45 V
VOL 低电平输出电压 IOL= 2mA、VDDIO = 1.8V ±10% 0.45 V
IIH 输入高电流(1) TA = –40℃ 至 125℃、VIN=VDDIO、除 XI 和 WAKE 之外的所有引脚 -10 10 µA
IIH-XI 输入高电流(1) TA = –40℃ 至 125℃，VIN = VDDIO，XI 引脚 -15 15 µA
IIL-XI 输入低电流(1) TA = -40℃ 至 125℃，VIN = GND，XI 引脚 -15 15 µA
IIL 输入低电流(1) TA = –40℃ 至 125℃，VIN=GND，除 XI 引脚外的所有引脚 -10 10 µA
Iozh 三态输出大电流 TA = –40℃ 至 125℃，VIN = VDDIO，除 RX_CTRL 和 RX_ER 之外的所有引脚 -10 10 µA
Iozh 三态输出大电流 TA = –40℃ 至 125℃，VIN = VDDIO，RX_CTRL 和 RX_ER -52 52 µA
Iozl 三态输出低电流(2) TA = -40℃ 至 125℃，VOUT = GND -10 10 µA
Rpulldn 内部下拉电阻 RX_D[3:0]、RX_CLK、LED_1 6.2 8.4 10.7 kΩ
Rpulldn 内部下拉电阻 RX_CTRL、RX_ER 4.725 5.8 7.2 kΩ
Rpulldn 内部下拉电阻 WAKE 455 kΩ
Rpullup 内部上拉电阻器 INT、RESET 6.3 9 11.2 kΩ
XI VIH 高电平输入电压 1.3 VDDIO V
XI VIL 低电平输入电压 0.5 V
CIN 输入电容 XI 1 pF
CIN 输入电容输入引脚 5 pF
COUT 输出电容 XO 1 pF
COUT 输出电容输出引脚 5 pF
Rseries 集成 MAC 串联终端电阻器 RX_D[3:0]、RX_ER、RX_DV、RX_CLK 35 50 65 Ω
功耗
I(3V3) MII -40°C 至 125°C 57 63 mA
I(3V3) RMII -40°C 至 125°C 57 63 mA
I(3V3) RGMII -40°C 至 125°C 57 63 mA
I(3V3) SGMII -40°C 至 125°C 81 95 mA
I(VDDIO=3.3V) MII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 19 24 mA
I(VDDIO=3.3V) RMII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 18 23 mA
I(VDDIO=3.3V) RGMII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 13 21 mA
I(VDDIO=3.3V) SGMII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 7 12 mA
I(VDDIO=2.5V) MII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 12 18 mA
I(VDDIO=2.5V) RMII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 12 17 mA
I(VDDIO=2.5V) RGMII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 12 16 mA
I(VDDIO=2.5V) SGMII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 6 9 mA
I(VDDIO=1.8V) MII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 9 13 mA
I(VDDIO=1.8V) RMII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 9 13 mA
I(VDDIO=1.8V) RGMII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 9 12 mA
I(VDDIO=1.8V) SGMII –40℃ 至 125℃，VDDIO = VDDMAC 4 6 mA
功耗（低功耗模式）
I(VDDA3V3) IEEE 断电 –40℃ 至 125℃，所有接口 8 22 mA
I(VDDA3V3) TC-10 睡眠 –40℃ 转 125℃，所有接口 30 50 mA
I(VDDA3V3) 复位 –40℃ 至 125℃，所有接口 9 23 mA
I(VDDA3V3) 待机 –40°C 至 125°C，MII 15 33 mA
I(VDDA3V3) 待机 –40°C 至 125°C，RMII 15 30 mA
I(VDDA3V3) 待机 –40℃ 至 125℃，RGMII 15 30 mA
I(VDDA3V3) 待机 –40℃ 至 125℃，SGMII 15 30 mA
I(VDDIO=3.3V) IEEE 断电 –40℃ 至 125℃，所有接口，VDDIO = VDDMAC 15 23 mA
I(VDDIO=3.3V) TC-10 睡眠 –40℃ 至 125℃，所有接口，VDDIO = VDDMAC 15 23 mA
I(VDDIO=3.3V) 复位 –40℃ 至 125℃，所有接口，VDDIO = VDDMAC 15 23 mA
I(VDDIO=3.3V) 待机 –40℃ 至 125℃， MII，VDDIO = VDDMAC 19 25 mA
I(VDDIO=3.3V) 待机 –40℃ 至 125℃，RMII，VDDIO = VDDMAC 16 20 mA
I(VDDIO=3.3V) 待机 –40℃ 至 125℃，RGMII，VDDIO = VDDMAC 14 20 mA
I(VDDIO=3.3V) 待机 –40℃ 至 125℃，SGMII，VDDIO = VDDMAC 14 16 mA
I(VDDIO=2.5V) IEEE 断电 –40℃ 至 125℃，所有接口，VDDIO = VDDMAC 10 16 mA
I(VDDIO=2.5V) TC-10 睡眠 –40℃ 至 125℃，所有接口，VDDIO = VDDMAC 10 16 mA
I(VDDIO=2.5V) 复位 –40℃ 至 125℃，所有接口，VDDIO = VDDMAC 10 16 mA
I(VDDIO=2.5V) 待机 –40℃ 至 125℃， MII，VDDIO = VDDMAC 14 18 mA
I(VDDIO=2.5V) 待机 –40℃ 至 125℃，RMII，VDDIO = VDDMAC 11 14 mA
I(VDDIO=2.5V) 待机 –40℃ 至 125℃，RGMII，VDDIO = VDDMAC 9 14 mA
I(VDDIO=2.5V) 待机 –40℃ 至 125℃，SGMII，VDDIO = VDDMAC 9 14 mA
I(VDDIO=1.8V) IEEE 断电 –40℃ 至 125℃，所有接口，VDDIO = VDDMAC 7 11 mA
I(VDDIO=1.8V) TC-10 睡眠 –40℃ 至 125℃，所有接口，VDDIO = VDDMAC 7 11 mA
I(VDDIO=1.8V) 复位 –40℃ 至 125℃，所有接口，VDDIO = VDDMAC 7 11 mA
I(VDDIO=1.8V) 待机 –40℃ 至 125℃， MII，VDDIO = VDDMAC 10 12 mA
I(VDDIO=1.8V) 待机 –40℃ 至 125℃，RMII，VDDIO = VDDMAC 7 11 mA
I(VDDIO=1.8V) 待机 –40℃ 至 125℃，RGMII，VDDIO = VDDMAC 6 11 mA
I(VDDIO=1.8V) 待机 –40℃ 至 125℃，SGMII，VDDIO = VDDMAC 6 11 mA
I(VSLEEP) TC-10 睡眠 -40℃ 至 125℃，所有接口、所有其他电源均关闭 7 18 µA
SGMII 输入
VIDTH 输入差分电压阈值 SI_P 和 SI_N、交流耦合 0.1 V
RIN-DIFF 接收器差动输入阻抗（直流） 80 120 Ω
SGMII 输出
时钟信号占空比 SO_P 和 SO_N、交流耦合、0101010101 模式 48 52 %
输出差分电压 SO_P 和 SO_N，交流耦合 150 400 mV
电压传感器
VDDA VDDA 传感器范围 -40°C 至 +125°C 2.7 3.3 4 V
VDDA 传感器分辨率 (LSB) -40°C 至 +125°C 8.8 mV
VDDA 传感器精度（单个器件的电压和温度变化） -40°C 至 +125°C -120 120 mV
VDDA 传感器精度（器件间差异） -40°C 至 +125°C -50 50 mV
VDDIO/VDDMAC VDDIO/VDDMAC 传感器范围 -40°C 至 +125°C 1.44 3.9 V
VDDIO/VDDMAC 传感器分辨率 (LSB) -40°C 至 +125°C 16 mV
VDDIO / VDDMAC 传感器精度（单个器件的电压和温度变化） -40°C 至 +125°C -144 144 mV
VDDIO/VDDMAC 传感器精度（器件间变化） -40°C 至 +125°C -85 85 mV
VSLEEP VSLEEP 传感器范围 -40°C 至 +125°C 2.7 3.3 4 V
VSLEEP 传感器分辨率 (LSB) -40°C 至 +125°C 8.8 mV
VSLEEP 传感器精度（单个器件的电压和温度变化） -40°C 至 +125°C -120 120 mV
VSLEEP 传感器精度（器件间差异） -40°C 至 +125°C -50 50 mV
(1) 适用于引脚：MDC、TX_CLK、TX_CTRL、TX_D[3:0] 和 RESET_N
(2) 适用于引脚：RX_D[3:0]、RX_CLK、RX_CTRL、MDIO、INT_N 和 XO。