ZHCAFT6 September   2025 AM623 , AM625 , AM62L

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 AM62x 与 AM62Lx 概述
  6. 3 电源架构和 PMIC 注意事项
  7. 4 IO 电压域和信号电平
    1. 4.1 双电压 IO 组与仅 1.8V IO 组
    2. 4.2 缓冲器类型和失效防护 IO
  8. 5 外设接口变更
    1. 5.1 存储器接口
    2. 5.2 连接
    3. 5.3 媒体接口和显示接口
    4. 5.4 模拟接口和其他接口
  9. 6 引导配置和复位更改
  10. 7 封装和布局注意事项
    1. 7.1 BGA 封装选项
    2. 7.2 热耗散和功率耗散
  11. 8 总结
  12. 9 术语和首字母缩略词
  13. 10参考资料

5.1 存储器接口

与 AM62x 相比，AM62Lx 中移除或更改了一些存储器子系统的功能。存储器接口差异表显示了存储器接口的主要变化。

有关更多信息，请参阅 AM62x 和 AM62Lx DDR 电路板设计和布局指南了解信号完整性规则，并参阅相应的 AM62Lx 原理图设计指南和原理图审查检查清单或 AM62x 原理图设计指南和审查检查清单中的存储器接口一节。

表 5-1 存储器接口差异
存储器接口 AM62x AM62Lx 设计说明
DDR4/LPDDR4（16 位）
  • 双列 (8GB DDR4)
  • 内联 ECC 选项
  • 仅限单列 (4GB DDR4)
  • 无 ECC
 对于 AM62Lx，仅针对一列设计；移除 ECC 线路和第二个芯片选择引脚。
GPMC
  • 8 位/16 位同步/异步
  • 4× CS
  • 更多地址位
    • 非多路复用模式下为 23 位，A[22:0]
    • AD 多路复用模式下为 27 位，A[26:0]
    • AAD 多路复用模式下为 28 位，A[27:0]
  • 8 位/16 位同步/异步
  • 4× CS
  • 更少地址位
    • 非多路复用模式下为 7 位，A[6:0]
    • AD 多路复用模式下为 23 位，A[22:0]
    • AAD 多路复用模式下为 28 位，A[27:0]
 有关不同寄存器值的更多信息，请查看相应处理器的 TRM 和数据表。
OSPI/QSPI
  • 仅支持连接单个 OSPI/QSPI 器件
  • 支持连接最多两个 OSPI/QSPI 器件，具有特定的连接拓扑例外情况和 PCB 布局要求
 AM62x EVM 包括 1 个 CS，而 AM62Lx EVM 包括两个 CS；对 AM62Lx 使用 1.8V。
eMMC 或嵌入式 SDIO (MMC0)
  • 1 位/4 位/8 位
  • 工作速度高达 HS200 的 eMMC
    • 不支持高速 DDR
  • 工作速度高达高速或 UHS-I SDR25 的嵌入式 SDIO
  • 1 位/4 位/8 位
  • 工作速度高达 HS200 的 eMMC
    • 支持高速 DDR
  • 工作速度高达高速或 UHS-I SDR25 的嵌入式 SDIO
 不适用
SD 卡或嵌入式 SDIO (MMC1/2)
  • 1 位/4 位
  • 工作速度高达 SD 卡的 UHS-I SDR104（需要外部电源）
  • 工作速度高达高速或 UHS-I SDR25 的嵌入式 SDIO
  • 需要外部 1.8V/3.3V IO 电源
  • 1 位/4 位
  • 工作速度高达 SD 卡的 UHS-I SDR104
  • 工作速度高达高速或 UHS-I SDR25 的嵌入式 SDIO
  • 用于 MMC1 的内部 1.8V/3.3V IO 电源
 如果迁移到 AM62x，确保添加适当的外部移位器/稳压器电路，并在迁移到 AM62Lx 时移除该电路。