ZHCAEM0 October 2024 OPA593
表 3-1 比较了 CMOSFET 和 CBJT 电流驱动器的优缺点，这两种驱动器是最常用且具有成本效益的选项。尽管本节中未提供详细的比较，但请注意，在为特定应用选择电流提升器时，需要考虑显著的差异和权衡。
| 编号 | 互补 MOSFET (CMOSFET) 输出级 | 互补 BJT (CBJT) 输出级 |
|---|---|---|
| 1 | 较快的开关速度（可能具有 MHz 数量级）、更宽的 BW | 较慢的开关速度（可在几百 kHz 范围内）、较低的 BW |
| 2 | 高输入阻抗、较低的待机功率耗散 | 低输入阻抗、较高的待机功率耗散 |
| 3 | 略高的理论固有输出阻抗（如果已归一化） | 较低的理论固有输出阻抗 |
| 4 | VDS 接口在温度范围内表现出 PTC | ICE 接口在温度范围内表现出 NTC |
| 5 | 不易发生典型的二次击穿，需要器件保护 | 与 MOSFET 器件相当，需要器件保护 |
| 6 | 较低的跨导 gm - 每级的电压增益较低 | 较高的跨导 gm - 每级的电压增益越高 |
| 7 | 较好的功率耗散、较好的热稳定性和性能、较简单的热管理 | 较高的功耗，容易发生热失控，需要较多的热管理电路 |
| 8 | 需要较高的导通 VGS 阈值电压 | 较低的 VBE 电压，需要大约 0.65V 的导通正向偏置电压 |
| 9 | 随着 VGS 的增大，漏源导电性会增大 | 随着 IBE 的增大，集电极-发射极导电性会增大 |
| 10 | 专为较宽的电压和高电流电源应用而设计 | 专为高电流增益应用而设计 |
| 11 | 在三极管或线性区运行；电压控制电流源 | 在放大区运行；电流控制电流源 |
| 12 | 成本略高于 BJT 器件 | 成本通常比 MOSFET 器件更低 |
| 13 | 栅极上具有 pA 至 nA 的直流输入偏置电流 | 基极上具有 µA 至 mA 的直流输入偏置电流 |
| 14 | 较低的单位面积电流密度 | 较高的单位面积电流密度 |
| 15 | 较适合大功率线性稳压器，较高的余量 | 较好的线性、较简单的控制以及较低的余量 |