ZHCADH3 December   2023 MSPM0C1104 , MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1228

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1MSPM0 产品系列概述
    1. 1.1 引言
    2. 1.2 STM8 MCU 与 MSPM0 MCU 的产品系列比较
  5. 2生态系统和迁移
    1. 2.1 生态系统比较
      1. 2.1.1 MSPM0 软件开发套件 (MSPM0 SDK)
      2. 2.1.2 MSPM0 支持的 IDE
      3. 2.1.3 SysConfig
      4. 2.1.4 调试工具
      5. 2.1.5 LaunchPad
    2. 2.2 迁移过程
      1. 2.2.1 步骤 1.选择合适的 MSPM0 MCU
      2. 2.2.2 步骤 2.设置 IDE 和 CCS 简介
        1. 2.2.2.1 设置 IDE
        2. 2.2.2.2 CCS 简介
      3. 2.2.3 步骤 3.设置 MSPM0 SDK 和 MSPM0 SDK 简介
        1. 2.2.3.1 设置 MSPM0 SDK
        2. 2.2.3.2 SDK 简介
      4. 2.2.4 步骤 4.软件评估
      5. 2.2.5 步骤 5.PCB 板设计
      6. 2.2.6 步骤 6.大规模生产
    3. 2.3 示例
  6. 3内核架构比较
    1. 3.1 CPU
    2. 3.2 嵌入式存储器比较
      1. 3.2.1 闪存和 EEPROM 特性
      2. 3.2.2 闪存和 EEPROM 组织
        1. 3.2.2.1 闪存和 EEPROM 区域
        2. 3.2.2.2 MSPM0 的 NONMAIN 存储器
      3. 3.2.3 嵌入式 SRAM
    3. 3.3 上电和复位总结和比较
    4. 3.4 时钟总结和比较
      1. 3.4.1 振荡器
      2. 3.4.2 时钟信号比较
    5. 3.5 MSPM0 工作模式总结和比较
      1. 3.5.1 工作模式比较
      2. 3.5.2 低功耗模式下的 MSPM0 功能
      3. 3.5.3 进入低功耗模式
      4. 3.5.4 低功耗模式代码示例
    6. 3.6 中断和事件比较
      1. 3.6.1 中断和异常
        1. 3.6.1.1 MSPM0 的中断管理
        2. 3.6.1.2 STM8 的中断控制器 (ITC)
      2. 3.6.2 MSPM0 的事件处理程序
      3. 3.6.3 事件管理比较
    7. 3.7 调试和编程比较
      1. 3.7.1 调试模式比较
      2. 3.7.2 编程模式比较
        1. 3.7.2.1 引导加载程序 (BSL) 编程选项
  7. 4数字外设比较
    1. 4.1 通用 I/O（GPIO、IOMUX）
    2. 4.2 通用异步接收器/发送器 (UART)
    3. 4.3 串行外设接口 (SPI)
    4. 4.4 内部集成电路接口 (I2C)
    5. 4.5 计时器（TIMGx、TIMAx）
    6. 4.6 窗口化看门狗计时器 (WWDT)
  8. 5模拟外设比较
    1. 5.1 模数转换器 (ADC)
    2. 5.2 比较器 (COMP)
    3. 5.3 电压基准 (VREF)

3.3 上电和复位总结和比较

STM8 器件和 MSPM0 器件均具有最低工作电压，并具有相应的模块，可通过将器件或器件的某些部分保持在复位状态来确保器件正常启动。表 3-5 比较了这两个系列的实现方式以及哪些模块控制整个系列的上电过程和复位。

表 3-5 上电总结和比较
STM8 MSPM0
上电复位 (POR) 上升检测：VDD>VPOR，POR 状态释放，BOR 开始工作。 上电复位 (POR) 上升检测：VDD>POR+，释放 POR 状态，并启动带隙基准和 BOR
下降检测：VDD<POR-，器件保持 POR 状态
断电复位 (PDR) 下降检测：VDD<VPDR，PDR 使器件保持复位状态。
欠压复位 (BOR)(1) 上升检测：VDD>VBOR+，BOR 状态被释放，器件继续执行引导过程。
下降检测：VDD<VBOR-，产生 BOR 状态。
BOR 有五个不同的级别可供选择。		 欠压复位 (BOR) - 0 级(2) 上升检测：VDD>BOR0+，
器件继续执行引导过程，并启动 PMU
下降检测：VDD<BOR0-、
器件保持 BOR 状态
欠压复位 (BOR) - 1 至 3 级(2) 下降检测：
1) VDD<BORx- (x=1, 2, 3)，生成中断请求，BOR 电路自动将 BOR 阈值电平切换为 BOR0
2) VDD<BOR0-，器件保持 BOR 状态
可编程电压检测器 (PVD)(3) 上升检测：VDD>VPVD，生成 PVD 事件。
下降检测：VDD<VPVD，生成 PVD 事件。PVD 有 7 个不同的级别可供选择。		 不适用 不适用
RTC 复位 RTC 及相关寄存器通过系统复位或上电复位进行复位。 RTC 复位 RTC 和相关时钟通过 BOOTRST、BOR 或 POR 复位
(1) 启动期间，BOR 需要配置为 BOR 电平 0，以确保最低工作电压。BOR 在上电时始终处于活动状态，保持 MCU 处于复位状态，直到达到应用运行阈值。如果 BOR 在断电时被禁用，复位阈值为 VPDR 以确保 VDD 最小值。
(2) 有四个可选的 BOR 阈值电平 (BOR0-BOR3)。在启动期间，BOR 阈值始终为 BOR0（最低值），使器件始终以指定的 VDD 最小值启动。启动后，软件可以选择性地重新配置 BOR 电路以使用不同（更高）的阈值电平。
(3) STM8L001xx、STM8L101xx 和 STM8S 系列微控制器没有 PVD。

图 3-1 显示了 MSPM0 复位功能。MSPM0 器件有五个复位级别：上电复位 (POR)、欠压复位 (BOR)、引导复位 (BOOTRST)、系统复位 (SYSRST) 和 CPU 复位 (CPURST)。

GUID-0FB084DB-B2BB-4932-AF37-1E0737C021CB-low.png图 3-1 MSP 复位功能