1 辐射挑战

不同的半导体技术具有不同的固有辐射容限（有关详细信息，请参阅 TI 的电子产品辐射手册）。同时，使用相同工艺技术或节点的两种产品，由于产品的设计方式和工艺使用模块的不同，可能具有完全不同的辐射响应。因此，客户需要花费时间和资源来评估这些器件的可靠性和辐射性能。为了缩短开发时间，德州仪器 (TI) 的 Space EP 产品提供了广泛的辐射特性，以满足 LEO 任务的要求。

此外，辐射耐受性不能一概而论，并非适用于所有情况。65nm 工艺可能不受 SEL 的影响，但仅适用于 1.1V 电路。如果产品使用电压更高的电路，它更有可能有 SEL。具有 EPI 或 SOI 基板并不一定意味着 CMOS 产品对 SEL 抗扰。对于大多数 CMOS 产品，使用 EPI 基板对 SEL 敏感性没有影响，并且 SOI 仅在场氧化物 (STI) 通过有源层到达埋氧层时才能确保 SEL 抗扰度。

TI 等供应商了解其产品所使用的流程。使用这些信息，TI 可以选择可能具有较高耐辐射性的产品，并且经常通过工艺或设计更改来满足辐射目标。选择器件后，TI 会通过重离子、中子置换损伤 (NDD) 和总电离剂量 (TID) 测试来验证所选方案。

TI 的 Space EP 流程也遵循单一生产流程，并提供辐射批次验收测试 (RLAT)，以降低批次间产生差异的风险。大多数晶圆厂没有针对辐射耐受性的监控器或控制装置。现代晶圆厂保持非常严格的控制以确保一致的电气性能，但控制的参数与影响辐射耐受性的参数不同。例如，钝化层的化学计量和厚度对电气性能几乎没有影响，但在辐射耐受性方面会有很大变化。在极端的情况下，有一个产品的一个批次通过了 100krad(Si)，而一个月后在同一晶圆厂加工的批次仅通过了 10krad(Si)。因此，辐射批次验收测试 (RLAT) 非常重要。

客户可以使用德州仪器 (TI) 的 Space EP 产品进行设计，以帮助将新的航天系统更快地推向市场，并确保这些系统满足 LEO 任务的辐射要求。每个器件都预先进行了辐射测试，并在产品文件夹中包含的单独辐射报告中提供了 TID、SEE 和通常的 NDD 特性。为了提高辐射可靠性，Space EP 产品仅使用一个生产流程，并且每批都获得 RLAT，从而消除了批次间产生差异的风险。