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TPS7H6015-SEP

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Radiation-tolerant, 60V half-bridge GaN gate driver

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 60 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 60 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
HTSSOP (DCA) 56 113.4 mm² (14 mm × 8.1 mm)
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试
  • 可用于军用温度范围，即 -55°C 至 125°C
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试
  • 可用于军用温度范围，即 -55°C 至 125°C

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和高电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005（200V 等级）、TPS7H6015（60V 等级）和 TPS7H6025（22V 等级）。这些器件全都采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装，并提供 QMLP 和增强型航天塑料 (SEP) 等级。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和高电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005（200V 等级）、TPS7H6015（60V 等级）和 TPS7H6025（22V 等级）。这些器件全都采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装，并提供 QMLP 和增强型航天塑料 (SEP) 等级。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。
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* 数据表 TPS7H60x5-SP 和 TPS7H60x5-SEP 耐辐射保障半桥 GaN FET 栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025-5-5
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6005-SP/-SEP, TPS7H6015-SP/-SEP, TPS7H6025-SP/-SEP Neutron Displacement Damage Characterization Report (Rev. B) 2025-12-5
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6015-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report 2025-4-29
* 辐射与可靠性报告 TPS7H60X5-SEP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2024-11-14
* VID TPS7H6015-SEP VID TPS7H6015-SEP V62-24632 2025-4-8
选择指南 TI Space Products (Rev. L) 2026-3-27
技术文章 如何借助电力系统优化下一代卫星的 SWaP (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2025-3-19
应用手册 借助增强型航天塑料产品降低近地轨道任务的风险 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022-10-14
电子书 电子产品辐射手册 2022-5-7

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS7H6015EVM — TPS7H6015 评估模块

TPS7H6015EVM 用户指南提供了操作 TPS7H6015 评估模块的全面说明。默认情况下，该评估模块设置为在脉宽调制模式下与 TPS7H6015-SEP 一起运行。该模式接受一个开关信号作为输入，并在内部生成互补信号。这可以更改为器件的独立输入模式，在该模式下，两个输出彼此独立工作。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP23391 — 适用于 100kRad 应用的 300W、12V 输出 ZVS 全桥转换器参考设计

该参考设计是一种全桥拓扑，包括以次级接地为基准的 TPS7H5005-SEP，用于控制三个 TPS7H6005-SEP 半桥栅极驱动器。以初级侧为基准的两个驱动器在脉宽调制 (PWM) 模式下运行，使得该设计能够在较高负载条件下实现零电压开关 (ZVS)。在次级侧，另一个驱动器控制一对次级整流器，以进一步提高转换效率。在此设计中，选择控制器、半桥驱动器和 GaN 场效应晶体管 (FET) 来满足对地静止轨道辐射 (GEO) 要求。这些元件可以互换以满足其他任务规格。
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-011004 — 航天级 3U VPX 电源模块参考设计

此参考设计是一款符合 VITA-62 标准的航天级电源模块，适用于航天级 3U VPX 架构。Space VPX 标准通过为模块化和可扩展系统定义框架来实现标准化和互操作性，这些系统可用于各种不同的任务配置文件。此参考设计采用紧凑的外形尺寸实现，同时保持了极高的整体性能。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HTSSOP (DCA) 56 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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