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TPS7H3302-SEP

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耐辐射、2.3V 至 3.5V 输入、3A 灌电流和拉电流 DDR 终端 LDO 稳压器

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DDR memory type DDR2, DDR3, DDR4 Control mode S3, S4/S5 Iout VTT (max) (A) 3 Iq (typ) (mA) 18 Output VREF, VTT Vin (min) (V) 0.9 Vin (max) (V) 3.5 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125 Regulator type Linear Regulator Vin bias (max) (V) 3.5 Vin bias (min) (V) 2.375 Vout VTT (min) (V) 0.6
DDR memory type DDR2, DDR3, DDR4 Control mode S3, S4/S5 Iout VTT (max) (A) 3 Iq (typ) (mA) 18 Output VREF, VTT Vin (min) (V) 0.9 Vin (max) (V) 3.5 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125 Regulator type Linear Regulator Vin bias (max) (V) 3.5 Vin bias (min) (V) 2.375 Vout VTT (min) (V) 0.6
HTSSOP (DAP) 32 89.1 mm² 11 x 8.1
  • 提供 QMLP TPS7H3302-SP 标准微电路图 (SMD)，5962R14228
  • 提供增强型航天塑料封装供应商项目图，VID V62/22615
  • 电离辐射总剂量 (TID) 特性
    • 耐辐射保障 (RHA)，耐受高达 100krad(Si) 或 50krad(Si) 的电离辐射总剂量 (TID)
  • 单粒子效应 (SEE) 特性
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子栅穿 (SEGR)、单粒子烧毁 (SEB) 对于 LET 的抗扰度 = 70MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子功能中断 (SEFI) 和单粒子翻转 (SEU) 特性值高达 70MeVcm2/mg
  • 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接应用
  • 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • 低至0.9V 的独立低压输入 (VLDOIN)，可提高电源效率
  • 3A 灌电流和拉电流终端稳压器
  • 可实现电源时序的使能输入和电源正常输出
  • VTT 终端稳压器
    • 输出电压范围：0.5 至 1.75 V
    • 3A 灌电流和拉电流
  • 具有检测输入的精密集成分压器网络
  • 遥感 (VTTSNS)
  • VTTREF 缓冲基准
    • 相对于 VDDQSNS (±3mA) 的精度为 49% 至 51%
    • ±10mA 灌电流和拉电流
  • 集成了欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL) 功能
  • 塑料封装
  • 提供 QMLP TPS7H3302-SP 标准微电路图 (SMD)，5962R14228
  • 提供增强型航天塑料封装供应商项目图，VID V62/22615
  • 电离辐射总剂量 (TID) 特性
    • 耐辐射保障 (RHA)，耐受高达 100krad(Si) 或 50krad(Si) 的电离辐射总剂量 (TID)
  • 单粒子效应 (SEE) 特性
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子栅穿 (SEGR)、单粒子烧毁 (SEB) 对于 LET 的抗扰度 = 70MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子功能中断 (SEFI) 和单粒子翻转 (SEU) 特性值高达 70MeVcm2/mg
  • 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接应用
  • 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • 低至0.9V 的独立低压输入 (VLDOIN)，可提高电源效率
  • 3A 灌电流和拉电流终端稳压器
  • 可实现电源时序的使能输入和电源正常输出
  • VTT 终端稳压器
    • 输出电压范围：0.5 至 1.75 V
    • 3A 灌电流和拉电流
  • 具有检测输入的精密集成分压器网络
  • 遥感 (VTTSNS)
  • VTTREF 缓冲基准
    • 相对于 VDDQSNS (±3mA) 的精度为 49% 至 51%
    • ±10mA 灌电流和拉电流
  • 集成了欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL) 功能
  • 塑料封装

TPS7H3302 是一款具有内置 VTTREF 缓冲器的耐辐射双倍数据速率 (DDR) 3A 终端稳压器。该稳压器专门设计用于为单板计算机、固态记录器和有效载荷处理等航天 DDR 端接应用提供完整的紧凑型低噪声解决方案。

TPS7H3302 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接应用。凭借快速瞬态响应，TPS7H3302 VTT 稳压器可在读取/写入状态下提供非常稳定的电源。TPS7H3302 还包含一个用于跟踪 VTT 的内置 VTTREF 电源，以进一步减小解决方案尺寸。为了实现简单的电源时序，TPS7H3302 中集成了使能输入和电源正常输出 (PGOOD)。使能信号还可用于在挂起至 RAM (S3) 断电模式时使 VTT 放电。

TPS7H3302 是一款具有内置 VTTREF 缓冲器的耐辐射双倍数据速率 (DDR) 3A 终端稳压器。该稳压器专门设计用于为单板计算机、固态记录器和有效载荷处理等航天 DDR 端接应用提供完整的紧凑型低噪声解决方案。

TPS7H3302 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接应用。凭借快速瞬态响应，TPS7H3302 VTT 稳压器可在读取/写入状态下提供非常稳定的电源。TPS7H3302 还包含一个用于跟踪 VTT 的内置 VTTREF 电源，以进一步减小解决方案尺寸。为了实现简单的电源时序，TPS7H3302 中集成了使能输入和电源正常输出 (PGOOD)。使能信号还可用于在挂起至 RAM (S3) 断电模式时使 VTT 放电。
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评估板

TPS7H3302EVM — TPS7H3302 3A 灌电流和拉电流 DDR 终端 LDO 稳压器评估模块

TPS7H3302 (LP085) 评估模块 (EVM) 是一个用于评估 TPS7H3302-SEP 性能和特性的平台，TPS7H3302-SEP 是一款耐辐射 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 终端低压降 (LDO) 稳压器。

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.A): PDF | HTML
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评估板

ALPHA-3P-ADM-VA600-SPACE-AMD — 采用 AMD Versal 内核 XQRVC1902 ACAP 和 TI 耐辐射产品的 Alpha Data ADM-VA600 套件

具有 6U VPX 外形，突出了 AMD-Xilinx® Versal AI Core XQRVC1902 自适应 SoC/FPGA。ADM-VA600 采用模块化板设计，带有一个 FMC+ 连接器、DDR4 DRAM 和系统监控功能。大多数元件是耐辐射电源管理、接口、时钟和嵌入式处理 (-SEP) 器件。

来源：Alpha Data Parallel Systems Ltd.
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TPS7H3302-SEP PSpice Model

SLVME03.ZIP (45 KB) - PSpice Model
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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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