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TPS7H6025-SEP

正在供货

Radiation-tolerant, 22V half-bridge GaN gate driver

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 22 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 22 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
HTSSOP (DCA) 56 113.4 mm² (14 mm × 8.1 mm)
  • 辐射性能:
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式:
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试
  • 可用于军用温度范围,即 -55°C 至 125°C
  • 辐射性能:
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式:
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试
  • 可用于军用温度范围,即 -55°C 至 125°C

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和高电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005(200V 等级)、TPS7H6015(60V 等级)和 TPS7H6025(22V 等级)。这些器件全都采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装,并提供 QMLP 和增强型航天塑料 (SEP) 等级。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟,以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO,无论电源电压如何,都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出,可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式:独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下,两个补偿输出信号由单个输入产生,用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能,在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时,输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护,从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率和高电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005(200V 等级)、TPS7H6015(60V 等级)和 TPS7H6025(22V 等级)。这些器件全都采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装,并提供 QMLP 和增强型航天塑料 (SEP) 等级。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟,以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO,无论电源电压如何,都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x5 驱动器都具有分离栅极输出,可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式:独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下,两个补偿输出信号由单个输入产生,用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能,在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时,输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护,从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

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技术文档

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TPS7H6025EVM — TPS7H6025 评估模块

TPS7H6025EVM 用户指南提供了操作 TPS7H6025 评估模块的全面说明。默认情况下,该评估模块设置为在脉宽调制模式下与 TPS7H6025-SEP 一起运行。该模式接受一个开关信号作为输入,并在内部生成互补信号。这可以更改为器件的独立输入模式,在该模式下,两个输出彼此独立工作。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

ALPHA-3P-ADM-VA601-SPACE-AMD — 采用 AMD Versal Core XQRVC1902 ACAP 和 TI 抗辐射产品的 Alpha Data ADM-VA601 套件

具有 6U VPX 外形,突出了 AMD-Xilinx® Versal AI Core XQRVC1902 自适应 SoC/FPGA。ADM-VA600 采用模块化板设计,带有一个 FMC+ 连接器、DDR4 DRAM 和系统监控功能。大多数元件是耐辐射电源管理、接口、时钟和嵌入式处理 (-SEP) 器件。

支持的产品和硬件
评估板

ALPHA-3P-VB630-SPACE-AMD — 采用 AMD Versal edge XQRVE2302 ACAP 和 TI 抗辐射产品的 Alpha Data ADM-VB630 套件

具有 3U VPX 外形,突出了 AMD-Xilinx® Versal AI Edge XQRVE2302 自适应 SoC/FPGA。ADM-VB630 是单板计算机电路板。大多数元件是耐辐射电源管理、接口和感测 (-SEP) 产品组合。

支持的产品和硬件
仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS 模型
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-011004 — 航天级 3U VPX 电源模块参考设计

此参考设计是一款符合 VITA-62 标准的航天级电源模块,适用于航天级 3U VPX 架构。Space VPX 标准通过为模块化和可扩展系统定义框架来实现标准化和互操作性,这些系统可用于各种不同的任务配置文件。此参考设计采用紧凑的外形尺寸实现,同时保持了极高的整体性能。

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-050088 — 适用于 Versal AI Edge 的抗辐射电源参考设计

这是一款面向 AMD Versal™ AI Edge XQRVE2302 的抗辐射电源架构参考设计。Versal Edge 是一款适用于太空应用的自适应片上系统 (SoC),能够以小巧外形实现高性能。要在太空环境中充分发挥该设计的性能,稳健的电力输送至关重要。该电源设计采用多个器件为各电源轨供电,并配备序列发生器以实现电源轨的有序启动与监控。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HTSSOP (DCA) 56 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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