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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS73801-SEP

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采用塑料封装的耐辐射、2.2V 至 20V 输入、1A 可调节 LDO 稳压器

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TPS73801-SEP

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产品详情

Rating Space Vin (max) (V) 20 Vin (min) (V) 2.2 Iout (max) (A) 1 Output options Adjustable Output Vout (max) (V) 19.2 Vout (min) (V) 1.21 Noise (µVrms) 45 PSRR at 100 KHz (dB) 45 Iq (typ) (mA) 1 Features Enable Thermal resistance θJA (°C/W) 50.5 Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 240 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (krad) 50
Rating Space Vin (max) (V) 20 Vin (min) (V) 2.2 Iout (max) (A) 1 Output options Adjustable Output Vout (max) (V) 19.2 Vout (min) (V) 1.21 Noise (µVrms) 45 PSRR at 100 KHz (dB) 45 Iq (typ) (mA) 1 Features Enable Thermal resistance θJA (°C/W) 50.5 Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 240 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (krad) 50
SOT-223 (DCQ) 6 45.89 mm² 6.5 x 7.06
  • 供应商项目图 (VID) V62/18616
  • 电离辐射总剂量 (TID) 特征值
    • 抗辐射加固保障 (RHA) 为 50krad(Si)
  • 单粒子效应 (SEE) 特性
    • SEL、SEB 和 SEGR 对于 LET 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
    • SET 和 SEFI 的 LET 特征值高达 43MeV-cm2/mg
  • 增强型航天塑料
    • Au 键合线和 NiPdAu-Ag 铅涂层
    • 采用增强型模塑化合物实现低释气
    • 制造、封装测试一体化基地
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知周期
    • 产品可追溯性
  • 针对快速瞬态响应进行了优化
  • 输出电流：1A
  • 压降电压：300mV
  • 低噪声：45µVRMS（10Hz 至 100kHz）
  • 1mA 静态电流
  • 无需保护二极管
  • 压降中的受控静态电流
  • 可调节输出电压：1.21V 至 20V
  • 关断模式下静态电流小于 1µA
  • 与 10µF 输出电容器搭配使用时可保持稳定
  • 与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定
  • 反向电池保护
  • 无反向电流
  • 热限制
  • 军用级温度范围（–55°C 至 125°C）
  • 供应商项目图 (VID) V62/18616
  • 电离辐射总剂量 (TID) 特征值
    • 抗辐射加固保障 (RHA) 为 50krad(Si)
  • 单粒子效应 (SEE) 特性
    • SEL、SEB 和 SEGR 对于 LET 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
    • SET 和 SEFI 的 LET 特征值高达 43MeV-cm2/mg
  • 增强型航天塑料
    • Au 键合线和 NiPdAu-Ag 铅涂层
    • 采用增强型模塑化合物实现低释气
    • 制造、封装测试一体化基地
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知周期
    • 产品可追溯性
  • 针对快速瞬态响应进行了优化
  • 输出电流：1A
  • 压降电压：300mV
  • 低噪声：45µVRMS（10Hz 至 100kHz）
  • 1mA 静态电流
  • 无需保护二极管
  • 压降中的受控静态电流
  • 可调节输出电压：1.21V 至 20V
  • 关断模式下静态电流小于 1µA
  • 与 10µF 输出电容器搭配使用时可保持稳定
  • 与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定
  • 反向电池保护
  • 无反向电流
  • 热限制
  • 军用级温度范围（–55°C 至 125°C）

TPS73801-SEP 是一款针对快速瞬态响应进行了优化的低压降 (LDO) 稳压器。该器件可提高 1A 的输出电流（压降为 300mV）。工作静态电流为 1mA，在关断时下降至小于 1µA。除了快速瞬态响应，TPS73801-SEP 稳压器还有很低的输出噪声，因此非常适合灵敏射频电源应用。

输出电压范围为 1.21V 至 20V，能够利用低至 10µF 的输出电容器，包括陶瓷电容器。内部保护电路包括反向电池保护、电流限制、热限制和反向电流保护。

TPS73801-SEP 是一款针对快速瞬态响应进行了优化的低压降 (LDO) 稳压器。该器件可提高 1A 的输出电流（压降为 300mV）。工作静态电流为 1mA，在关断时下降至小于 1µA。除了快速瞬态响应，TPS73801-SEP 稳压器还有很低的输出噪声，因此非常适合灵敏射频电源应用。

输出电压范围为 1.21V 至 20V，能够利用低至 10µF 的输出电容器，包括陶瓷电容器。内部保护电路包括反向电池保护、电流限制、热限制和反向电流保护。
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设计与开发

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来源：Alpha Data Parallel Systems Ltd.
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TPS73801-SEP PSpice Model (AC Stability)

SLVME50.ZIP (24 KB) - PSpice Model
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TPS73801-SEP PSpice Transient Model (Rev. A)

SLVMCX3A.ZIP (22 KB) - PSpice Model
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TPS73801-SEP TINA-TI Transient Reference Design

SLVMCX6.TSC (1203 KB) - TINA-TI Reference Design
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TPS73801-SEP TINA-TI Transient Spice Model

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TIDA-050088 — 适用于 Versal AI Edge 的抗辐射电源参考设计

这是一款面向 AMD Versal™ AI Edge XQRVE2302 的抗辐射电源架构参考设计。Versal Edge 是一款适用于太空应用的自适应片上系统 (SoC)，能够以小巧外形实现高性能。要在太空环境中充分发挥该设计的性能，稳健的电力输送至关重要。该电源设计采用多个器件为各电源轨供电，并配备序列发生器以实现电源轨的有序启动与监控。
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TIDA-010260 — 4T5R 航天级集成收发器参考设计

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-223 (DCQ) 6 Ultra Librarian
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