TPS73801-SEP

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采用塑料封装的耐辐射、2.2V 至 20V 输入、1A 可调节 LDO 稳压器

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Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 20 Vin (min) (V) 2.2 Vout (max) (V) 19.2 Vout (min) (V) 1.21 Noise (µVrms) 45 Iq (typ) (mA) 1 Thermal resistance θJA (°C/W) 50.5 Rating Space Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Features Enable Accuracy (%) 3 PSRR at 100 KHz (dB) 45 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 240 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (krad) 50
Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 20 Vin (min) (V) 2.2 Vout (max) (V) 19.2 Vout (min) (V) 1.21 Noise (µVrms) 45 Iq (typ) (mA) 1 Thermal resistance θJA (°C/W) 50.5 Rating Space Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Features Enable Accuracy (%) 3 PSRR at 100 KHz (dB) 45 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 240 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (krad) 50
SOT-223 (DCQ) 6 45.89 mm² 6.5 x 7.06
  • VID V62/18616
  • 耐辐射
    • SEL、SEB 和 SEGR 对于 LET 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
    • SET 和 SEFI 的 LET 特征值高达 43MeV-cm2/mg
    • 每个晶圆批次的保障 TID 高达 20krad(Si)
    • TID 特征值高达 50krad(Si)
  • 增强型航天塑料
    • Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层
    • 采用增强型塑封实现低释气
    • 制造、组装和测试一体化基地
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知周期
    • 产品可追溯性
  • 针对快速瞬态响应进行了优化
  • 输出电流:1A
  • 压降电压:300mV
  • 低噪声:45µVRMS(10Hz 至 100kHz)
  • 1mA 静态电流
  • 无需保护二极管
  • 压降中的受控静态电流
  • 可调节输出电压:1.21V 至 20V
  • 关断模式下静态电流小于 1µA
  • 与 10µF 输出电容器搭配使用时可保持稳定
  • 与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定
  • 反向电池保护
  • 无反向电流
  • 热限制
  • VID V62/18616
  • 耐辐射
    • SEL、SEB 和 SEGR 对于 LET 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
    • SET 和 SEFI 的 LET 特征值高达 43MeV-cm2/mg
    • 每个晶圆批次的保障 TID 高达 20krad(Si)
    • TID 特征值高达 50krad(Si)
  • 增强型航天塑料
    • Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层
    • 采用增强型塑封实现低释气
    • 制造、组装和测试一体化基地
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知周期
    • 产品可追溯性
  • 针对快速瞬态响应进行了优化
  • 输出电流:1A
  • 压降电压:300mV
  • 低噪声:45µVRMS(10Hz 至 100kHz)
  • 1mA 静态电流
  • 无需保护二极管
  • 压降中的受控静态电流
  • 可调节输出电压:1.21V 至 20V
  • 关断模式下静态电流小于 1µA
  • 与 10µF 输出电容器搭配使用时可保持稳定
  • 与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定
  • 反向电池保护
  • 无反向电流
  • 热限制

TPS73801-SEP 是一款针对快速瞬态响应进行了优化的低压降 (LDO) 稳压器。该器件可提高 1A 的输出电流(压降为 300mV)。工作静态电流为 1mA,在关断时下降至小于 1µA。与许多其他稳压器相比,静态电流受到很好的控制,在压降时不上升。除了快速瞬态响应,TPS73801-SEP 稳压器还有很低的输出噪声,因此非常适合灵敏射频电源应用。

输出电压范围是 1.21V 至 20V,与低至 10µF 的输出电容器搭配使用时可保持稳定。使用小型陶瓷电容器可无需额外的 ESR。内部保护电路包括反向电池保护、电流限制、热限制和反向电流保护。TPS73801-SEP 稳压器可采用 6 引脚 TO-223 (DCQ) 封装,提供可调的 1.21V 基准电压。

TPS73801-SEP 是一款针对快速瞬态响应进行了优化的低压降 (LDO) 稳压器。该器件可提高 1A 的输出电流(压降为 300mV)。工作静态电流为 1mA,在关断时下降至小于 1µA。与许多其他稳压器相比,静态电流受到很好的控制,在压降时不上升。除了快速瞬态响应,TPS73801-SEP 稳压器还有很低的输出噪声,因此非常适合灵敏射频电源应用。

输出电压范围是 1.21V 至 20V,与低至 10µF 的输出电容器搭配使用时可保持稳定。使用小型陶瓷电容器可无需额外的 ESR。内部保护电路包括反向电池保护、电流限制、热限制和反向电流保护。TPS73801-SEP 稳压器可采用 6 引脚 TO-223 (DCQ) 封装,提供可调的 1.21V 基准电压。

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设计和开发

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评估板

DEM-SOT223LDO — 采用 SOT223 (DCQ) 封装与大多数正输出 LDO 兼容的 DEM-SOT223LDO

The Texas Instruments DEM-SOT223LDO demonstration module (DEM) helps designers evaluate the operation and performance of Texas Instruments low-dropout regulators (LDOs).  This module is compatible with most positive output LDOs offered in the SOT223 (DCQ) package.

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
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仿真模型

TPS73801-SEP PSpice Model (AC Stability)

SLVME50.ZIP (24 KB) - PSpice Model
仿真模型

TPS73801-SEP TINA-TI Transient Reference Design

SLVMCX6.TSC (1203 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

TPS73801-SEP TINA-TI Transient Spice Model

SLVMCX7.ZIP (17 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

TPS73801-SEP Unencrypted PSpice Transient Model

SLVMCX3.ZIP (3 KB) - PSpice Model
参考设计

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-223 (DCQ) 6 Ultra Librarian

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包含信息:
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  • REACH
  • 器件标识
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  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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  • 材料成分
  • 鉴定摘要
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包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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