ZHCABB1B August   2021  – January 2023 AM68 , AM68A , AM69 , AM69A , DRA821U , DRA829V , TDA4VM

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 特性
      1. 1.1.1 支持的特性(版本 0.10.0)
      2. 1.1.2 不支持的特性(版本 0.10.0)
    2. 1.2 电子表格概述
      1. 1.2.1 输入工作表
      2. 1.2.2 输出工作表
      3. 1.2.3 其他工作表
    3. 1.3 默认 SDK 配置
  4. 2定制 DDR 配置
    1. 2.1 Config 工作表
      1. 2.1.1 系统配置
      2. 2.1.2 存储器突发配置
    2. 2.2 DRAMTiming 工作表
      1. 2.2.1 延迟参数
      2. 2.2.2 非延迟参数
    3. 2.3 IO 控制工作表
      1. 2.3.1 确定 IO 设置
      2. 2.3.2 处理器/DDR 控制器 IO
      3. 2.3.3 DRAM I/O
  5. 3软件注意事项
    1. 3.1 更新 U-Boot
      1. 3.1.1 更新 DDR 寄存器设置
      2. 3.1.2 更新源以设置可用存储器大小
    2. 3.2 更新 RTOS PDK
      1. 3.2.1 更新 DDR 寄存器设置
  6. 4疑难解答指南
    1. 4.1 主题/问题
      1. 4.1.1 主题 1
      2. 4.1.2 主题 2
      3. 4.1.3 主题 3
  7. 5参考文献
  8.   修订历史记录

DRAM I/O

此部分的每个参数的其他详细信息可以在下述列表中找出:

  1. VREF 控制
    1. VREF 范围(DQ 或 CA):此参数对应于 DQ 信号的 MR14[6] 以及命令/地址信号的 MR12[6],并定义了各自信号使用的 VREF 范围。
    2. VREF(DQ 或 CA):此参数对应 DQ 信号的 MR14[5:0] 以及命令/地址信号的 MR12[5:0],并定义了目标参考电压电平,作为 I/O 电压的百分比。
  2. 驱动强度
    1. 下拉 (PDDS):此参数对应于 LPDDR4 存储器的 MR3[5:3] 并定义了读取周期内 DDR 数据 (DQ) 和频闪 (DQS) 引脚的驱动强度。如GUID-4B78B8B7-300A-435E-B1BA-B14DBD2B65BB.html#GUID-4B78B8B7-300A-435E-B1BA-B14DBD2B65BB中所述,应当基于 I/O 模型设置选择合适的值以实现最佳的模拟结果。
    2. 上拉校准:此参数对应于 LPDDR4 存储器的 MR3[0] 并定义了读取周期内的目标 VOH。建议将此参数保持为默认的“VDDQ / 3”。
  3. 端接
    1. CA ODT 禁用:此参数对应于 LPDDR4 存储器的 MR22[5]。当将此参数设置为“Disable”(禁用)时,无论在 MR11 中是如何配置端接的或 ODT_CA 引脚处于何种状态,命令/地址引脚的端接被禁用。当将此参数设置为“ODT_CA Bond Pad”时,命令/地址引脚的端接将根据 MR11 配置和 ODT_CA 引脚进行配置。建议将此参数保持为默认的“ODT_CA Bond Pad”。
    2. CK ODT 覆盖:此参数对应于 LPDDR4 存储器的 MR22[3]。当设置为“Enable”(启用)时,无论 ODT_CA 引脚如何,时钟端接都由 MR11 配置决定。如果 CA 总线在两个等级之间共享,但时钟未共享,此参数用于启用时钟上的端接。由于 Jacinto 7 处理器在不同等级之间共享 CA 总线和时钟,建议将此参数保持为默认值“Disable”(禁用)。
    3. CS ODT 覆盖:此参数对应于 LPDDR4 存储器的 MR22[4]。当设置为“Enable”(启用)时,无论 ODT_CA 引脚如何,芯片选择端接都由 MR11 配置决定。如果 CA 总线在两个等级之间共享,但芯片选择未共享,此参数用于启用芯片选择引脚上的端接。由于 Jacinto 7 处理器在不同等级之间共享 CA 总线但只有唯一的芯片选择信号,建议将此参数保持为默认值“Enable”(启用)。
    4. CA ODT:此参数对应于 LPDDR4 存储器的 MR11[6:4] 并定义了 LPDDR4 存储器的命令/地址引脚的端接。如GUID-4B78B8B7-300A-435E-B1BA-B14DBD2B65BB.html#GUID-4B78B8B7-300A-435E-B1BA-B14DBD2B65BB中所述,应当基于 I/O 模型设置选择合适的值以实现最佳的模拟结果。
    5. DQ ODT:此参数对应于 LPDDR4 存储器的 MR11[2:0] 并定义了 WRITE 周期内 LPDDR4 存储器的数据 (DQ)、数据掩码 (DM) 以及频闪 (DQS) 引脚的端接。如GUID-4B78B8B7-300A-435E-B1BA-B14DBD2B65BB.html#GUID-4B78B8B7-300A-435E-B1BA-B14DBD2B65BB中所述,应当基于 I/O 模型设置选择合适的值以实现最佳的模拟结果。
    6. SOC ODT:此参数对应于 LPDDR4 存储器的 MR22[2:0] 并定义了处理器/DDR 控制器的端接。此参数必须配置为与 3 中所定义的端接匹配。