ZHCABB1B
August 2021 – January 2023
AM68
,
AM68A
,
AM69
,
AM69A
,
DRA821U
,
DRA829V
,
TDA4VM
摘要
商标
1
引言
1.1
特性
1.1.1
支持的特性(版本 0.10.0)
1.1.2
不支持的特性(版本 0.10.0)
1.2
电子表格概述
1.2.1
输入工作表
1.2.2
输出工作表
1.2.3
其他工作表
1.3
默认 SDK 配置
2
定制 DDR 配置
2.1
Config 工作表
2.1.1
系统配置
2.1.2
存储器突发配置
2.2
DRAMTiming 工作表
2.2.1
延迟参数
2.2.2
非延迟参数
2.3
IO 控制工作表
2.3.1
确定 IO 设置
2.3.2
处理器/DDR 控制器 IO
2.3.3
DRAM I/O
3
软件注意事项
3.1
更新 U-Boot
3.1.1
更新 DDR 寄存器设置
3.1.2
更新源以设置可用存储器大小
3.2
更新 RTOS PDK
3.2.1
更新 DDR 寄存器设置
4
疑难解答指南
4.1
主题/问题
4.1.1
主题 1
4.1.2
主题 2
4.1.3
主题 3
5
参考文献
修订历史记录
1.1.1
支持的特性(版本 0.10.0)
以下 TI 处理器器件型号的 DDR 接口
:DRA821x、DRA829x、TDA4AH、TDA4AL、TDA4AP、TDA4VE、TDA4VH、TDA4VL、TDA4VM、TDA4VP
DDR 存储器类型
:LPDDR4
DDR 总线宽度
:32 位或 16 位
单等级或双等级 LPDDR4 存储器
IO 驱动强度/端接定制
可配置 DDR 时序参数
DRAM 初始化期间启用 DDRSS 硬件训练算法,包括:
控制器/PHY 的 IO 校准
命令总线训练,包括在 DRAM 的 MR12 中编程的基准电压
写入矫正
读取 DQS 栅极训练
读取数据眼 (DQ) 训练,包括控制器/PHY 的基准电压
写入数据眼 (DQ) 训练,包括在 DRAM 的 MR14 中编程的基准电压
在正常操作期间启用以下 DDRSS 硬件周期训练算法:
写入数据眼 (DQ) 训练,不包括基准电压
ZQ 校准
非 2 的幂 LPDDR4 密度(例如:3Gb、6Gb、12Gb)
数据总线反转