ZHCAB22A November   2017  – November 2020 F28377D-SEP , TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1

 

  1.   商标
  2. 1 引言和范围
  3. 2 SRAM 位阵列
  4. 3 SRAM 故障来源
    1. 3.1 制造缺陷
      1. 3.1.1 时间零点故障
      2. 3.1.2 潜在故障
    2. 3.2 电路随使用次数的增加发生漂移
    3. 3.3 电路过应力
    4. 3.4 软错误
      1. 3.4.1 放射性事件
      2. 3.4.2 动态电压事件
      3. 3.4.3 错误来源总结
  5. 4 用于管理电子系统中存储器故障的方法
    1. 4.1 启动测试
    2. 4.2 系统内测试
    3. 4.3 奇偶检测
    4. 4.4 检错与纠错 (EDAC)
    5. 4.5 冗余
  6. 5 比较和结论
  7. 6  C2000 存储器类型示例
    1. 6.1 TMS320F2837xD
  8. 7 存储器类型
    1. 7.1 专用 RAM（Mx 和 Dx RAM）
    2. 7.2 本地共享 RAM (LSx RAM)
    3. 7.3 全局共享 RAM (GSx RAM)
    4. 7.4 CPU 消息 RAM (CPU MSGRAM)
    5. 7.5 CLA 消息 RAM (CLA MSGRAM)
  9. 8 总结
  10. 9 参考文献
  11. 10修订历史记录

4.1 启动测试

在启动时测试 SRAM 无法解决上述三个角度的问题。不过，即使在系统运行时无法进行测试，在启动时测试 SRAM 也会产生很大的附加值。

半导体行业达成共识，“在系统出现故障时，用户自行对系统进行下电已然非常糟糕，但更糟糕的是在自行下电后再对系统进行上电”。这是因为您无法完全管理系统（或系统元件）上电和下电期间的电压和电流摆动。器件在设计时已经考虑到了这个问题，但如果要发生破坏性电源事件，在上电/下电期间发生的概率更大。因此，在上电时测试 SRAM 可以解决最有可能损坏电路的问题。

此外，SRAM 在启动时更容易测试，因为系统上下文尚未加载，因此没有要保存和恢复的上下文。嵌入式 CPU 执行的 SRAM 测试需要大量的 CPU 周期，并且在与系统操作共享 CPU 资源的情况下无法轻松或有效地完成。