ZHCAB22A November   2017  – November 2020 TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1

 

  1.   商标
  2. 1 引言和范围
  3. 2 SRAM 位阵列
  4. 3 SRAM 故障来源
    1. 3.1 制造缺陷
      1. 3.1.1 时间零点故障
      2. 3.1.2 潜在故障
    2. 3.2 电路随使用次数的增加发生漂移
    3. 3.3 电路过应力
    4. 3.4 软错误
      1. 3.4.1 放射性事件
      2. 3.4.2 动态电压事件
      3. 3.4.3 错误来源总结
  5. 4 用于管理电子系统中存储器故障的方法
    1. 4.1 启动测试
    2. 4.2 系统内测试
    3. 4.3 奇偶检测
    4. 4.4 检错与纠错 (EDAC)
    5. 4.5 冗余
  6. 5 比较和结论
  7. 6  C2000 存储器类型示例
    1. 6.1 TMS320F2837xD
  8. 7 存储器类型
    1. 7.1 专用 RAM（Mx 和 Dx RAM）
    2. 7.2 本地共享 RAM (LSx RAM)
    3. 7.3 全局共享 RAM (GSx RAM)
    4. 7.4 CPU 消息 RAM (CPU MSGRAM)
    5. 7.5 CLA 消息 RAM (CLA MSGRAM)
  9. 8 总结
  10. 9 参考文献
  11. 10修订历史记录

1 引言和范围

当今世界高度依赖电子控制和管理，因此人们开始关注电子操作的安全性。一个关键的关注点是系统中 SRAM 的运行。这非常重要，从某些角度而言，这是电子产品运行安全最重要的一个方面。原因如下：

  • SRAM 是整个器件中的一个大型元件，通常是最大的元件。
    • 占用面积最大
    • 包含的晶体管数量最多
  • SRAM 是非常密集的电路，因此容易受到干扰或细微缺陷的影响。
  • SRAM 的工作电压范围比正常电路逻辑低，因此容易受到干扰。

由于这些原因，SRAM 位单元和阵列布局对于任何新集成电路工艺开发和验证都是关键组成部分。在制造过程中，集成电路制造专家致力于寻找 SRAM 位单元和阵列布局的漂移和变化。因此 SRAM 错误检测对于安全相关电子产品而言非常重要。如果您想跳到结尾部分，请参阅Topic Link Label8。

本文的内容如下：