ZHCAB22A November 2017 – November 2020 F28377D-SEP , TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1
在本报告的上下文中，软错误是指由 SRAM 阵列外部的事件引起并且不会损坏 SRAM 电路的 SRAM 故障。软错误是临时的，因为将新值写入受影响的字后，错误便不再存在。此类故障的两个来源是穿透电路的放射性粒子和读取或写入字时的动态电压噪声。
随着半导体几何尺寸的减小，软错误变得更加常见。这既是因为各个位相互靠得更近（可创建目标更丰富的环境），又因为电压电平较低，从而导致位单元存储的稳健性较差。
仅当系统在受干扰的字被写入之前读取了该字时，软错误才会影响系统。某些 SRAM 内容在本质上是静态的，例如代码或表。其他 SRAM 内容是动态的，例如传入的数据和变量。此外，许多对数据进行操作的算法对单个位错误具有很好的适应性，尤其是在错误位于较低有效位的情况下。因此，动态数据中由于软错误导致的故障率比静态使用 SRAM 时低得多。在许多系统中，代码和表存储在非易失性存储器（如 ROM 或闪存）中，而 SRAM 主要用于动态存储。