ZHCAB22A November   2017  – November 2020 TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1

 

  1.   商标
  2. 1 引言和范围
  3. 2 SRAM 位阵列
  4. 3 SRAM 故障来源
    1. 3.1 制造缺陷
      1. 3.1.1 时间零点故障
      2. 3.1.2 潜在故障
    2. 3.2 电路随使用次数的增加发生漂移
    3. 3.3 电路过应力
    4. 3.4 软错误
      1. 3.4.1 放射性事件
      2. 3.4.2 动态电压事件
      3. 3.4.3 错误来源总结
  5. 4 用于管理电子系统中存储器故障的方法
    1. 4.1 启动测试
    2. 4.2 系统内测试
    3. 4.3 奇偶检测
    4. 4.4 检错与纠错 (EDAC)
    5. 4.5 冗余
  6. 5 比较和结论
  7. 6  C2000 存储器类型示例
    1. 6.1 TMS320F2837xD
  8. 7 存储器类型
    1. 7.1 专用 RAM（Mx 和 Dx RAM）
    2. 7.2 本地共享 RAM (LSx RAM)
    3. 7.3 全局共享 RAM (GSx RAM)
    4. 7.4 CPU 消息 RAM (CPU MSGRAM)
    5. 7.5 CLA 消息 RAM (CLA MSGRAM)
  9. 8 总结
  10. 9 参考文献
  11. 10修订历史记录

2 SRAM 位阵列

信息以字的形式存储在 SRAM 中。字长因存储需要而异。本文中使用 32 位字。字的位存储在位阵列中。不过，各个位的物理位置都针对半导体工艺的细节进行了优化。阵列是具有行和列的矩阵。在下面的示例中有 N 行，每行包含 8 个字。如果 N = 256，则该阵列为包含 256x8x32 = 65,536 个位或 2048 个字的 SRAM。

请注意，单个字的各个位在物理上是不相邻的，但 1 个 D 输入/Q 输出的所有位都是相邻的。单个字的各个位在物理上与其他字相隔 7 位。这改善了物理阵列的大小和 D/Q 信号的路由。稍后您将看到这是如何提高多位故障机制的错误检测能力的。

下面显示了三个字中的值：

Word(0) = 1 … 0 1b    Row0, Column0
Word(1) = 1 … 1 0b    Row0, Column1
Word(7) = 1 … 0 0b    Row3, Column7
表 2-1 SRAM 位阵列
D0 D1 D31
行 Col
0 1 2 … 7 0 1 2 … 7 0 1 2 … 7 列
N-1
…
5
4
3 0 0 1
2
1
0 1 0 0 1 1 1

阵列中位单元的物理组织可能因多种原因而有所不同，但该图提供了一个很好的讨论示例。该示例显示了一个值为 8 的列多路复用器因子，这意味着对于每个 Q/D，一行中有 8 个位。在执行存储器读取时，会选择行，然后列地址提供有关哪个特定的位将从 Q 中输出的解码信息。在执行存储器写入时，列解码具体定义将对所选行中的哪些位进行写入。每个 D/Q 的子阵列 (256x8) 被称为棒。

较大的存储器阵列通常使用较高的列多路复用器因子进行组织。