ZHCAB22A November   2017  – November 2020 TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1

 

  1.   商标
  2. 1 引言和范围
  3. 2 SRAM 位阵列
  4. 3 SRAM 故障来源
    1. 3.1 制造缺陷
      1. 3.1.1 时间零点故障
      2. 3.1.2 潜在故障
    2. 3.2 电路随使用次数的增加发生漂移
    3. 3.3 电路过应力
    4. 3.4 软错误
      1. 3.4.1 放射性事件
      2. 3.4.2 动态电压事件
      3. 3.4.3 错误来源总结
  5. 4 用于管理电子系统中存储器故障的方法
    1. 4.1 启动测试
    2. 4.2 系统内测试
    3. 4.3 奇偶检测
    4. 4.4 检错与纠错 (EDAC)
    5. 4.5 冗余
  6. 5 比较和结论
  7. 6  C2000 存储器类型示例
    1. 6.1 TMS320F2837xD
  8. 7 存储器类型
    1. 7.1 专用 RAM（Mx 和 Dx RAM）
    2. 7.2 本地共享 RAM (LSx RAM)
    3. 7.3 全局共享 RAM (GSx RAM)
    4. 7.4 CPU 消息 RAM (CPU MSGRAM)
    5. 7.5 CLA 消息 RAM (CLA MSGRAM)
  9. 8 总结
  10. 9 参考文献
  11. 10修订历史记录

8 总结

最后阐明两个问题。

与旧工艺节点中的早期器件相比，最新半导体工艺节点中的许多较新芯片在其 SRAM 中更广泛地使用 EDAC。尽管这确实比存储器中具有奇偶校验功能或不具有自动检测功能的旧器件提供了更好的覆盖范围，但这可能更多是由于工艺要求而不是安全性。较新的工艺节点采用了结构更具创新性的几何形状，更容易受到软错误和工艺退化的影响，因此有必要添加 EDAC 以满足合理的器件寿命要求。只要较新的器件包含 EDAC，这个问题就无需担心。不过，采用这些新工艺的器件对 EDAC 的需求更大。

要考虑的第二个问题是工艺节点的可用历史记录。如果目标市场需要 10 年的寿命，那么从安全角度而言，最好是在仔细监控现场故障的同时，使用可满足市场要求的工艺节点进行 10 年以上的批量生产。这是因为每项新工艺的进步都会带来独特的新问题。