ZHCAB22A November 2017 – November 2020 TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1
本文不打算详细介绍半导体器件制造过程中产生的缺陷。SRAM 是一种非常普遍、密集和敏感的电路,在半导体器件测试中受到了极大的关注。测试环境包括高级且通常是专有的测试算法。制造测试环境允许使用在终端系统中不可能出现的电压/温度/频率裕度进行测试。半导体器件设计包括专门的测试模式,以允许制造测试包含进一步的裕度测试。